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    • 본 발명은 논리 수정이나 특성 개선 등을 위해서 배선이나 비어홀의 패턴이 변형된 층과 동일한 층의 배선이나 비어홀의 패턴을 변경함으로써, 칩 정보를 변경하는 것을 그 해결 과제로 하고 있다.
      제1 층째의 배선층의 제1 배선부(21p)를 개시단(20)으로 하고, 이 개시단(20)을 접지 전위(VSS)에 접속한다. 제1 배선부(21p)와 제2 층째의 배선층의 제2 배선부(22p)를 제1 접속부(31p)에서 접속한다. 제2 배선부(22p)와 제3 층째의 배선층의 제3 배선부(23p)를 제2 접속부(32p)에서 접속한다. 제3 배선부(23p)와 연속해서 제4 배선부(24p)와 제2 층째의 배선층의 제5 배선부(25p)를 제3 접속부(33p)에서 접속한다. 제5 배선부(25p)와 제1 층째의 배선층의 제6 배선부(26p)를 제4 접속부(34p)에서 접속한다. 이와 같은 산 모양의 도전 경로를 연결하고, 개시단(20)에서 출력단(39)까지 연속해서 접속된 도전 경로(100)를 형성한다.
      반도체 장치, 칩코드 작성 유닛, 마스크 패턴, 도전 경로
    • 本发明旨在通过改变与布线或通孔图案被修改的层相同的层中的布线和通孔的图案以改变逻辑校正或特性,来改变芯片信息的问题。