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11. 发明授权

KR100371932B1 알루미늄막 또는 산화알루미늄막의 형성방법 失效
标题翻译： 알루미늄막또는산화알루미늄막의형성방법
公开(公告)号：KR100371932B1
公开(公告)日：2003-02-11
申请号：KR1020000080425
申请日：2000-12-22
申请人： 주승기
发明人： 주승기 , 이장식 , 정창욱
IPC分类号： C23C8/10
CPC分类号： H01L21/02178 , C23C16/403 , C23C16/45531 , C23C16/4554 , H01L21/02274 , H01L21/28562 , H01L21/31683 , H01L21/76888
摘要： Disclosed is a process for depositing an aluminum oxide thin film necessary for semiconductor devices. The process includes the steps of: subjecting a gaseous organoaluminum compound as an aluminum source in contact with a target substrate and depositing aluminum using plasma. The steps are sequentially repeated to form an aluminum thin film, and further includes the step of oxidizing the aluminum thin film using oxygen plasma. This deposition cycle is repeated to obtain an aluminum oxide thin film. The present invention uses an aluminum source containing less contaminant compared to the prior art, thus obtaining aluminum oxide of high quality. Furthermore, the temperature of the gas supply and the reactor can be lowered in relation to the prior art method to reduce costs in the fabrication of semiconductor devices.
摘要翻译：公开了用于沉积半导体器件所需的氧化铝薄膜的工艺。该方法包括以下步骤：使作为铝源的气态有机铝化合物与目标基底接触并使用等离子体沉积铝。依次重复步骤以形成铝薄膜，并且还包括使用氧等离子体氧化铝薄膜的步骤。重复该沉积循环以获得氧化铝薄膜。与现有技术相比，本发明使用含有较少污染物的铝源，从而获得高质量的氧化铝。此外，与现有技术方法相比，可以降低气体供应和反应器的温度，以降低制造半导体器件的成本。

12. 发明公开

KR1020030002792A 탄탈륨 옥사이드 캐퍼시터의 형성 방법 有权
标题翻译：氧化钽电容器的制备方法
公开(公告)号：KR1020030002792A
公开(公告)日：2003-01-09
申请号：KR1020010038501
申请日：2001-06-29
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 박동수 , 김형균
IPC分类号： H01L27/10
CPC分类号： H01L21/02183 , H01L21/0228 , H01L21/02326 , H01L21/0234 , H01L21/31604 , H01L21/31683 , H01L27/0805 , H01L28/40 , H01L29/94
摘要： PURPOSE: A method for fabricating a tantalum oxide capacitor is provided to improve a step coverage characteristic of a tantalum oxide thin film and an electrical characteristic of a capacitor by uniformly depositing the tantalum oxide thin film through an atomic layer deposition(ALD) method. CONSTITUTION: The upper portion of a lower electrode(100) is nitridized. A tantalum-nitride thin film(104) is deposited on the nitridized layer(102) through an ALD method. The tantalum-nitride thin film is reacted with oxygen to form the tantalum oxide thin film. An upper electrode is formed on the tantalum oxide thin film.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造氧化钽电容器的方法，以通过原子层沉积（ALD）方法均匀沉积氧化钽薄膜来改善氧化钽薄膜的阶梯覆盖特性和电容器的电特性。构成：下电极（100）的上部被氮化。氮化钛薄膜（104）通过ALD法沉积在氮化层（102）上。氮化钽薄膜与氧气反应形成氧化钽薄膜。在氧化钽薄膜上形成上电极。

13. 发明公开

KR1020030002023A 하프늄산화막을 구비하는 캐패시터의 제조 방법 失效
标题翻译：制造具有氧化铪的电容器的方法
公开(公告)号：KR1020030002023A
公开(公告)日：2003-01-08
申请号：KR1020010038756
申请日：2001-06-30
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 송창록
IPC分类号： H01L27/108
CPC分类号： H01L28/40 , H01L21/28568 , H01L21/31604 , H01L21/31683 , H01L28/60 , Y10S148/014
摘要： PURPOSE: A fabrication method of a capacitor having a hafnium oxide(HfO2) layer is provided to simplify manufacturing processes and to reduce a current leakage by directly forming a lower electrode in a storage node contact hole without forming a capacitor oxide layer. CONSTITUTION: An interlayer dielectric(22) having a storage node contact hole is formed on a semiconductor substrate(21). An ohmic contact layer(23) is formed on the exposed substrate in the storage node contact hole. A Ti1-xHfxN layer(24a) (where, 0
摘要翻译：目的：提供具有氧化铪（HfO 2）层的电容器的制造方法，以简化制造工艺并通过在存储节点接触孔中直接形成下电极而不形成电容器氧化物层来减少电流泄漏。构成：在半导体衬底（21）上形成具有存储节点接触孔的层间电介质（22）。在存储节点接触孔中的暴露的基板上形成欧姆接触层（23）。在欧姆接触层（23）和存储节点接触孔的内壁上形成Ti1-xHfxN层（24a）（其中，0 <= x <= 5）。在包括存储节点接触孔的所得结构上形成上电极（25a）。通过在氧气氛下退火所得结构，在Ti1-xHfxN层（24a）和上电极（25a）之间形成HfO 2层（26）。

14. 发明公开

KR1020020093993A 실리콘/금속 합성물 필름 스택을 선택적으로 산화시키기위한 방법 및 장치 无效
标题翻译： /选择性氧化硅/金属复合膜片的方法和装置
公开(公告)号：KR1020020093993A
公开(公告)日：2002-12-16
申请号：KR1020027014481
申请日：2001-04-26
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 주,현,송 , 로페스,데이비드,알.
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L21/32105 , H01L21/28061 , H01L21/28247 , H01L21/31683
摘要： 합성물필름을선택적으로산화시키는방법. 본발명에따라하부실리콘필름, 장벽층 및상기장벽층 상의상부금속필름을포함하는합성물필름을갖는기판은반응챔버내로배치된다. 그다음에불활성기체가반응챔버내에서불활성대기를생성하도록상기반응챔버내로공급된다. 그다음에상기기판의온도는불활성대기내에서제 1 온도로부터제 2 온도로상승되거나급상승된다. 상기기판의온도가상기제 2 온도로상승된후, 상기기판은금속을산화시키지않지만실리콘을산화시키는대기에노출된다.
摘要翻译：选择性地氧化复合膜的方法。根据本发明，将具有由下硅膜，阻挡层和阻挡层上的上金属膜构成的复合膜的基板放入反应室中。然后将惰性气体进料到反应室中以在反应室中产生惰性环境。然后在惰性环境中将衬底的温度升高或从第一温度升高到第二温度。在将衬底的温度升高到第二温度之后，衬底暴露于氧化硅而不氧化金属的环境中。

15. 发明公开

KR1020020004539A 수소확산을 방지할 수 있는 강유전체 메모리 소자 제조 방법 无效
标题翻译：制造防止氢扩散的电磁记忆装置的方法
公开(公告)号：KR1020020004539A
公开(公告)日：2002-01-16
申请号：KR1020000038543
申请日：2000-07-06
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 양비룡 , 이승석 , 홍석경 , 강남수
IPC分类号： H01L27/105
CPC分类号： H01L28/55 , H01L21/31683 , H01L21/76888
摘要： PURPOSE: A method of fabricating a ferroelectric memory device for preventing hydrogen diffusion is provided to prevent efficiently permeation of hydrogen generated from a passivation process to a ferroelectric capacitor. CONSTITUTION: A capacitor including a lower electrode(16), a ferroelectric layer(17), and an upper electrode(18) is formed on a semiconductor substrate(10) formed with a transistor(11,12,13). The first metal line(21A) for connecting the capacitor with the transistor and a bit line(21B) are formed on the semiconductor substrate(10). The first metal line alumina hydrogen diffusion barrier layer(22) is formed thereon. An inter-metal dielectric(23) is formed by laminating an SiON layer, an SOG layer, and an SRO layer on the whole surface of the above structure. The second metal line connected with the first metal line(21A) is formed on the semiconductor substrate(10). A passivation layer(24) is deposited on the whole surface of the above structure.
摘要翻译：目的：提供一种制造用于防止氢扩散的铁电存储器件的方法，以防止从钝化处理产生的氢气有效地渗透到铁电电容器。构成：在形成有晶体管（11,12,13）的半导体衬底（10）上形成包括下电极（16），铁电体层（17）和上电极（18）的电容器。用于将电容器与晶体管连接的第一金属线（21A）和位线（21B）形成在半导体衬底（10）上。第一金属线氧化铝氢扩散阻挡层（22）形成在其上。通过在上述结构的整个表面上层叠SiON层，SOG层和SRO层来形成金属间电介质（23）。与第一金属线（21A）连接的第二金属线形成在半导体基板（10）上。钝化层（24）沉积在上述结构的整个表面上。

16. 发明公开

KR1020010063463A 반도체 소자의 제조 방법 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020010063463A
公开(公告)日：2001-07-09
申请号：KR1019990060547
申请日：1999-12-22
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 박대규
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L21/28185 , H01L21/28202 , H01L21/31683 , H01L21/318 , H01L29/518
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to improve a leakage current characteristic in forming a next-generation gate, by using a gate dielectric layer composed of AlN/Al2O3 having high permittivity. CONSTITUTION: An isolation layer(12) is formed on a semiconductor substrate(11) to define an active region. An AlN thin film(13) is formed on the semiconductor substrate having the isolation layer. The AlN thin film is annealed to form a gate dielectric layer(130). A gate electrode(14) is formed on the gate dielectric layer.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造半导体器件的方法，通过使用由具有高介电常数的AlN / Al 2 O 3构成的栅极电介质层来改善形成下一代栅极的漏电流特性。构成：隔离层（12）形成在半导体衬底（11）上以限定有源区。在具有隔离层的半导体衬底上形成AlN薄膜（13）。对AlN薄膜进行退火以形成栅介质层（130）。栅极电极（14）形成在栅极电介质层上。

17. 发明授权

KR101376830B1 플라즈마 산화 및 산화된 재료의 제거 有权
标题翻译：等离子体氧化和去除氧化材料
公开(公告)号：KR101376830B1
公开(公告)日：2014-03-20
申请号：KR1020137003686
申请日：2006-02-27
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 김윤상 , 베일리앤드류3세 , 윤형석알렉산더 , 하워드아서엠
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/32136 , H01L21/31683 , H01L21/321 , H01L21/32115 , H01L21/32135 , H01L21/32138 , H01L21/32139 , H01L21/7684 , H01L21/76865 , H01L21/76885
摘要： 도전층의적어도일부를변환시키는단계, 및도전층의변환된부분을실질적으로제거하여잔존표면을노출시키도록도전층을식각하는단계를포함하는도전층식각방법이개시된다. 잔존표면은평균표면거칠기가약 10㎚미만이다. 또한도전층식각시스템이개시된다.

18. 发明授权

KR101117450B1 낮은 에너지 플라즈마 시스템을 이용하여 하이 유전상수 트랜지스터 게이트를 제조하는 방법 및 장치 有权
公开(公告)号：KR101117450B1
公开(公告)日：2012-03-13
申请号：KR1020087024385
申请日：2007-02-27
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 챠우,타이쳉 , 헝,스티븐 , 리우,파트리시아엠 , 사토,타츠야 , 패터슨,알렉스엠 , 토도로브,발렌틴 , 홀랜드,존피
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/469
CPC分类号： H01L21/31155 , H01J37/32082 , H01J37/34 , H01L21/28185 , H01L21/28202 , H01L21/3144 , H01L21/316 , H01L21/31683 , H01L29/517
摘要： 본 발명은 전반적으로 기판 상에 고품질 유전체 게이트층을 형성하도록 구성되는 방법들 및 장치들을 제공한다. 본 발명의 실시예들은 금속 플라즈마 처리 프로세스가 기판 상에 하이 유전상수의 층을 형성하는데 있어 표준 질화 프로세스 대신 이용되는 방법을 제시한다. 또한 본 발명의 실시예들은 게이트 유전체층, 이를 테면 실리콘 이산화물층에 대한 이온 충돌 손상을 감소시키고 하부에 놓인 실리콘 속으로 금속 원자들이 통합되는 것을 방지하기 위해 비교적 낮은 에너지의 금속 이온들을 "이온주입"하도록 구성된 장치를 제시한다. 일반적으로, 프로세스는 하이-k 유전체를 형성한 다음 게이트 전극과 하이-k 유전체 물질 간에 양호한 계면이 형성되도록 증착된 물질을 처리하는 단계들을 포함한다. 또한 본 발명의 실시예들은 하이-k 유전체 물질을 형성하고, 하이 k-유전체 물질의 표면을 처리하고, 원하는 후처리 단계들을 수행하고 게이트 층들을 형성하도록 구성되는 클러스터 툴을 제공한다.

19. 发明公开

KR1020110007271A 발광소자용 정공수송층 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：用于发光装置和太阳能电池的孔输送层及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110007271A
公开(公告)日：2011-01-24
申请号：KR1020090064705
申请日：2009-07-16
申请人： 한국기계연구원
发明人： 정국채 , 김영국 , 최철진
IPC分类号： C09K11/06 , H05B33/14
CPC分类号： H01L51/5088 , H01L21/31683
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing hole transport layer for light emitting devices and solar cell is provided to obtain a stable hole-transport layer to oxygen or moisture in the air and to control the oxygen content and heat treatment temperature of reaction gas. CONSTITUTION: A hole transport layer for light emitting devices and solar cell includes nickel oxide formed by oxidizing one side of a conductive thin film layer made of flexible metals. A method for manufacturing hole transport layer for light emitting devices and solar cell comprises a material preparation step for preparing a conductive thin film layer(10) made of flexible metals, and an oxide layer formation step for forming a hole-transport layer(20) by forming an oxidized layer by heat-treating the conductive thin film layer in an oxygen atmosphere.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造发光器件和太阳能电池的空穴传输层的方法，以获得空气中的氧气或湿气的稳定的空穴传输层，并控制反应气体的氧含量和热处理温度。构成：用于发光器件和太阳能电池的空穴传输层包括由柔性金属制成的导电薄膜层的一侧氧化形成的氧化镍。一种用于制造发光器件和太阳能电池的空穴传输层的方法包括用于制备由柔性金属制成的导电薄膜层（10）的材料制备步骤和用于形成空穴传输层（20）的氧化物层形成步骤，通过在氧气氛中对导电薄膜层进行热处理而形成氧化层。

20. 发明授权

KR100876992B1 반도체 처리용 자외선 어시스트 처리 장치 失效
标题翻译：用于半导体处理的超紫外线辅助加工装置
公开(公告)号：KR100876992B1
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：KR1020037010268
申请日：2002-03-13
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 샤오쇼우-퀴안 , 리이쳉
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/67115 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/482 , H01L21/31662 , H01L21/31683
摘要： 본 발명에 따른 반도체 처리용 자외선 어시스트 처리 장치(10)는 탑재대(11)와 대향하도록 처리실(12)을 규정하는 벽에 설치된 자외선을 투과하는 창(20)을 갖는다. 창(20)에 대향하도록 처리실(12) 밖으로 자외선을 발하는 광원(15)이 설치된다. 처리실(12)내에 처리 가스를 공급하기 위한 공급계는 창(20)의 내부에 형성된 처리 가스가 통과하는 헤드 스페이스(21)와, 처리 가스를 토출하는 복수의 토출 구멍(22)을 갖는다.

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