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11. 发明授权

KR101060127B1 모스 게이트 전력 반도체 소자 有权
公开(公告)号：KR101060127B1
公开(公告)日：2011-08-29
申请号：KR1020090082820
申请日：2009-09-03
申请人： (주) 트리노테크놀로지
发明人： 오광훈 , 추병호 , 김수성 , 윤종만
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7395 , H01L27/0705 , H01L29/8611 , H01L2224/0603 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
摘要： 모스 게이트 전력 반도체 소자가 개시된다. 모스 게이트 전력 반도체 소자는 게이트 금속 전극 및 게이트 버스 라인 중 하나 이상의 하부에 형성되고, 에미터 금속 전극에 전기적으로 연결되는 하나 이상의 P형 웰; 및 상기 P형 웰의 내부에 형성되고, 상기 게이트 금속 전극 및 상기 게이트 버스 라인 중 하나 이상에 전기적으로 연결되는 하나 이상의 N형 웰을 포함할 수 있다. 본 발명에 의하여, 과전류 발생에 따른 소자의 열화 및/또는 파괴를 억제할 수 있다.
반도체 소자, 전력 반도체, IGBT, MOSFET

12. 发明公开

KR1020110087392A 전력 반도체 소자 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：功率半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110087392A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：KR1020100006785
申请日：2010-01-26
申请人： (주) 트리노테크놀로지
发明人： 이승철 , 김수성
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L21/02225 , H01L29/42312
摘要： PURPOSE: A power semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to maintain a high break down voltage and improve the degree of integration of each cell without increasing distance between trench gates to form a P type conductive pillar on the bottom of P type conductive well. CONSTITUTION: A source trench structure is formed by being extended to a drift layer and a source electrode. A gate trench structure includes a gate electrode(160). The source trench structure and the source trench structure are alternatively arranged. The gate electrode is arranged to be insulated with a source metal and electrically connected with the source metal. The source trench structure and the gate trench structure respectively include a dielectric material to insulate the source electrode and the gate electrode. A first conductive pillar is formed in a drift area which is placed in the lower parts of the trench structures.
摘要翻译：目的：提供一种功率半导体器件及其制造方法，以保持高的分解电压并提高每个电池的集成度，而不增加沟槽栅极之间的距离，以在P型导电阱的底部形成P型导电柱。构成：源极沟槽结构通过延伸到漂移层和源极形成。栅沟槽结构包括栅电极（160）。源沟槽结构和源沟槽结构交替布置。栅电极被设置为与源极金属绝缘并与源极金属电连接。源极沟槽结构和栅极沟槽结构分别包括绝缘材料以使源电极和栅电极绝缘。第一导电柱形成在放置在沟槽结构的下部的漂移区域中。

13. 发明授权

KR101986711B1 정전기 보호 기능을 구비한 전력 반도체 장치 有权
公开(公告)号：KR101986711B1
公开(公告)日：2019-09-30
申请号：KR1020170170726
申请日：2017-12-12
申请人： (주) 트리노테크놀로지
发明人： 김은택 , 오광훈 , 정진영 , 김수성 , 윤종만
IPC分类号： H03K17/0812 , H03K19/003 , H01L27/02 , H02H9/04

14. 发明公开

KR1020180119884A 전력 반도체 소자 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR1020180119884A
公开(公告)日：2018-11-05
申请号：KR1020170053555
申请日：2017-04-26
申请人： (주) 트리노테크놀로지
发明人： 윤종만 , 오광훈 , 김수성
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/10 , H01L29/08
摘要： 전력반도체소자및 그제조방법이개시된다. 전력반도체소자는제1 도전형의드리프트층; 상기드리프트층의이온농도보다상대적으로큰 제1 피크이온농도를가지도록상기드리프트층의하부에형성되는제1 도전형의제1 필드스톱층; 상기제1 피크이온농도보다상대적으로큰 제2 피크이온농도를가지도록상기제1 필드스톱층의하부에형성되는제1 도전형의제2 필드스톱층; 및상기제2 필드스톱층의하부에형성되는제2 도전형의컬렉터영역을포함할수 있다.

15. 发明授权

KR101060128B1 모스 게이트 전력 반도체 소자 有权
公开(公告)号：KR101060128B1
公开(公告)日：2011-08-29
申请号：KR1020090085816
申请日：2009-09-11
申请人： (주) 트리노테크놀로지
发明人： 오광훈 , 추병호 , 김수성 , 윤종만
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/94
CPC分类号： H01L27/0629 , H01L29/7395 , H01L29/7804 , H01L29/7811 , H01L29/8611 , H01L2224/0603 , H01L2924/13055 , H02J7/0029 , H01L2924/00
摘要： 모스 게이트 전력 반도체 소자가 개시된다. 모스 게이트 전력 반도체 소자는 액티브 영역 및 에지 터미네이션 영역이 형성되는 주 소자 영역; 및 다이오드(diode)를 포함하도록 상기 주 소자 영역의 외부에 수평적으로 형성되는 부 소자 영역을 포함할 수 있다. 본 발명에 의하여, 과전류 발생에 따른 회로의 보호, 소자의 열화 및/또는 파괴를 방지할 수 있다.
반도체 소자, 전력 반도체, IGBT, MOSFET

16. 发明公开

KR1020110082676A 전하 균형 전력 디바이스 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：充电平衡功率器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110082676A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：KR1020100002528
申请日：2010-01-12
申请人： (주) 트리노테크놀로지
发明人： 윤종만 , 김수성 , 오광훈
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7811 , H01L29/0615 , H01L29/0634 , H01L29/1095 , H01L29/42312 , H01L21/02002 , H01L21/02293 , H01L29/41725
摘要： PURPOSE: A charge balance power device and a manufacturing method thereof are provided to have the same charge balance body area without respect to the structure of a transistor area formed on a wafer. CONSTITUTION: A charge balance body area(210) is vertically formed on a semiconductor substrate(10). A first conductive filler and a second conductive filler are arranged on a charge balance body area. A first conductive epitaxial layer is formed on the charge balance body area. A transistor area(230) is formed in the first conductive epitaxial layer. The transistor area and the charge balance body area are separated each other by a separation area(225).
摘要翻译：目的：提供一种电荷平衡功率器件及其制造方法，其不依赖于晶片上形成的晶体管区域的结构而具有相同的电荷平衡体积面积。构成：电荷平衡体区域（210）垂直地形成在半导体衬底（10）上。第一导电填料和第二导电填料布置在电荷平衡体区域上。在电荷平衡体区域上形成第一导电外延层。晶体管区域（230）形成在第一导电外延层中。晶体管区域和电荷平衡体区域通过分离区域（225）彼此分离。

17. 发明授权

KR101049446B1 전력 반도체 소자 有权
标题翻译：功率半导体器件
公开(公告)号：KR101049446B1
公开(公告)日：2011-07-15
申请号：KR1020090109523
申请日：2009-11-13
申请人： (주) 트리노테크놀로지
发明人： 김수성 , 오광훈
IPC分类号： H01L29/772
摘要： 전력 반도체 소자가 개시된다. 활성 영역, 내압 유지 영역 및 단부 영역을 가지는 전력 반도체 소자에서, 상기 단부 영역은, 반도체 기판에 형성된 채널 스토퍼; 상기 채널 스토퍼 상부에 단턱을 가지는 형상으로 형성되는 전계 산화막(field oxide); 및 상기 전계 산화막 상부에 배치되는 채널 스토퍼 전극을 포함하여 구성될 수 있다. 본 발명에 의하여, 제조 공정의 복잡성이 없고 소자의 전체 면적 증가 없이 안정적인 항복전압 특성을 확보할 수 있는 전력 반도체 소자가 제공될 수 있다.
반도체 소자, 전력 반도체, IGBT, MOSFET
摘要翻译：公开了一种功率半导体器件。在具有有源区，该区域和端部区域的内部压力的功率半导体器件，所述端部区域，形成在半导体衬底上的沟道截断环场氧化物形成为在沟道截断器上具有台阶的形状; 并且设置在电场氧化膜上的沟道停止电极。根据本发明，能够确保没有制造工艺的复杂性的可靠的击穿电压特性，而不增加可以提供它的设备的总面积的功率半导体器件。

18. 发明公开

KR1020110015788A 트렌치 게이트 구조를 가지는 반도체 소자 有权
标题翻译： TRENCH门式半导体器件
公开(公告)号：KR1020110015788A
公开(公告)日：2011-02-17
申请号：KR1020090073186
申请日：2009-08-10
申请人： (주) 트리노테크놀로지
发明人： 오광훈 , 이규현 , 김수성 , 추병호 , 윤종만
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/42312 , H01L29/7811 , H01L29/7823
摘要： PURPOSE: A semiconductor device including a trench gate structure is provided to improve the breakdown voltage property of the semiconductor device by alleviating electric field concentration generated at the lower side of a trench gate under a breakdown voltage state. CONSTITUTION: A gate pad electrode forming region(110) is formed on a semiconductor substrate(100). An active region(120) includes a plurality of cells for conducting currents. An edge termination region(130) surrounds the active region. A peripheral region is located between the active region and the edge termination region. A gate bus-line(140) transmitting gate signals is formed along the peripheral of the active region.
摘要翻译：目的：提供一种包括沟槽栅极结构的半导体器件，以通过减轻在击穿电压状态下在沟槽栅极的下侧产生的电场浓度来提高半导体器件的击穿电压特性。构成：在半导体衬底（100）上形成栅极焊盘电极形成区（110）。有源区（120）包括用于传导电流的多个单元。边缘终止区域（130）围绕有源区域。外围区域位于有源区域和边缘终止区域之间。沿有源区域的周边形成发送栅极信号的栅极总线（140）。

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