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1. 发明公开

KR1020130040516A 필드 플레이트 구조를 가지는 전력 반도체 소자 无效
标题翻译：具有现场板结构的功率半导体器件
公开(公告)号：KR1020130040516A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：KR1020110105340
申请日：2011-10-14
申请人： (주) 트리노테크놀로지
发明人： 김수성
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7395 , H01L29/66045 , H01L29/7393 , H01L29/772
摘要： PURPOSE: A power semiconductor device with a field plate structure is provided to implement a stable breakdown voltage property by suppressing the deterioration of a breakdown voltage even though charges are changed on an interface between a semiconductor substrate and an oxide layer. CONSTITUTION: A plurality of field limiting rings(121) are formed on one side of a semiconductor substrate. An interlayer dielectric layer(108) is formed on the upper side of the field limiting ring. A plurality of field plates(122) are formed on the upper side of the interlayer dielectric layer. In comparison with a bonding boundary side of an active region side of the corresponding field limiting ring, the end of an active region side of each field plate is closer to the active region to reduce the change of a breakdown voltage due to the change of an interfacial charge. [Reference numerals] (AA,BB) End region direction; (CC,DD) Active region direction; (EE) Formation end of a field plate; (FF) Formation end of a field limiting ring;
摘要翻译：目的：提供具有场板结构的功率半导体器件，以便即使在半导体衬底和氧化物层之间的界面上改变电荷，也可以通过抑制击穿电压的劣化来实现稳定的击穿电压特性。构成：在半导体衬底的一侧上形成多个场限制环（121）。层间介质层（108）形成在场限制环的上侧。在层间电介质层的上侧形成有多个场板（122）。与相应的限界环的有源区域侧的接合边界侧相比，每个场板的有源区域侧的端部更靠近有源区域，以减小由于其的变化引起的击穿电压的变化界面电荷。（附图标记）（AA，BB）端部区域方向; （CC，DD）有源区域方向; （EE）场板的形成端; （FF）场限制环的形成端;

2. 发明授权

KR101121574B1 전하 균형 전력 디바이스 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：电荷平衡功率器件及其制造方法
公开(公告)号：KR101121574B1
公开(公告)日：2012-03-06
申请号：KR1020100002528
申请日：2010-01-12
申请人： (주) 트리노테크놀로지
发明人： 윤종만 , 김수성 , 오광훈
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7811 , H01L29/0615 , H01L29/0634 , H01L29/1095
摘要： 전하균형전력디바이스및 그제조방법이개시된다. 전하균형파워디바이스는, 제1 도전형의불순물영역인제1 도전형필러(pillar)와제2 도전형의불순물영역인제2 도전형필러가배치되는전하균형바디영역; 상기전하균형바디영역상부에형성되는제1 도전형에피텍셜층; 및상기제1 도전형에피텍셜층의내부에형성되는트랜지스터영역을포함할수 있다. 본발명에의하여, 웨이퍼상단에형성되는트랜지스터영역의구조와관계없이동일한전하균형바디영역을가지도록할 수있다.

3. 发明公开

KR1020110027959A 모스 게이트 전력 반도체 소자 有权
标题翻译： MOS栅极功率半导体器件
公开(公告)号：KR1020110027959A
公开(公告)日：2011-03-17
申请号：KR1020090085816
申请日：2009-09-11
申请人： (주) 트리노테크놀로지
发明人： 오광훈 , 추병호 , 김수성 , 윤종만
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/94
CPC分类号： H01L27/0629 , H01L29/7395 , H01L29/7804 , H01L29/7811 , H01L29/8611 , H01L2224/0603 , H01L2924/13055 , H02J7/0029 , H01L29/7393 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: A MOS gate power semiconductor device is provided to integrate a diode for inducing a protection operation in a semiconductor switching device, thereby slimming and simplifying a power electronic circuit. CONSTITUTION: A main device area forms an active area and an edge termination area. A sub device area is horizontally formed on an external side of the main device area to include a diode. An anode electrode(540) and a cathode electrode(550) of the diode are exposed on the sub device area. The second conductive wells(322) are formed on the first conductive semiconductor substrate. The first conductive well(325) is formed in the second conductive well located in the sub device area.
摘要翻译：目的：提供MOS栅极功率半导体器件以集成用于在半导体开关器件中引起保护操作的二极管，从而减轻和简化电力电子电路。构成：主设备区域形成活动区域和边缘终止区域。副装置区水平地形成在主装置区域的外侧，以包括二极管。二极管的阳极电极（540）和阴极电极（550）暴露在子器件区域上。第二导电阱（322）形成在第一导电半导体衬底上。第一导电孔（325）形成在位于副装置区域中的第二导电阱中。

4. 发明公开

KR1020110024705A 모스 게이트 전력 반도체 소자 有权
标题翻译： MOS栅极功率半导体器件
公开(公告)号：KR1020110024705A
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：KR1020090082820
申请日：2009-09-03
申请人： (주) 트리노테크놀로지
发明人： 오광훈 , 추병호 , 김수성 , 윤종만
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7395 , H01L27/0705 , H01L29/8611 , H01L2224/0603 , H01L2924/13055 , H01L21/041 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: A MOS gate power semiconductor device is provided to be turned off in case of an abnormal case, thereby preventing a semiconductor switch from becoming deteriorated and/or broken. CONSTITUTION: A plurality of P-type wells(320,322) is formed on an N type semiconductor substrate(315). An n-type well(325) is selectively formed in a P-type well. A gate poly electrode(335) is formed in an interlayer insulating film(340). A collector area(350) is formed in a lower part of the N type semiconductor substrate. A collector metal electrode(310) is formed in a lower part of the collector area.
摘要翻译：目的：提供在异常情况下关闭的MOS栅极功率半导体器件，从而防止半导体开关变坏和/或损坏。构成：在N型半导体衬底（315）上形成多个P型阱（320,322）。在P型阱中选择性地形成n型阱（325）。栅极聚电极（335）形成在层间绝缘膜（340）中。在N型半导体衬底的下部形成集电极区域（350）。集电体金属电极（310）形成在集电区域的下部。

5. 发明授权

KR101744296B1 수평형 초접합 전력 반도체 소자 有权
公开(公告)号：KR101744296B1
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：KR1020150141234
申请日：2015-10-07
申请人： (주) 트리노테크놀로지
发明人： 윤종만 , 오광훈 , 김수성 , 정진영 , 김은택
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/78
摘要： 수평형초접합전력반도체소자가개시된다. 수평형초접합전력반도체소자는, 소스전극, 게이트전극및 드레인전극에대응하여전기적으로연결되기위해, 상기전력반도체소자의상부에위치되어, 제1 도전형웰, 상기제1 도전형웰의상부영역에형성되는소스영역및 드레인영역이형성되는트랜지스터층; 및상기트랜지스터층의하부에형성되는전하균형바디층을포함하되, 상기전하균형바디층에는제1 도전형의불순물영역인제1 도전형필러(pillar)와제2 도전형의불순물영역인제2 도전형필러가배치된다.

6. 发明公开

KR1020170041964A 수평형 초접합 전력 반도체 소자 有权
标题翻译：卧式超级结半导体器件
公开(公告)号：KR1020170041964A
公开(公告)日：2017-04-18
申请号：KR1020150141234
申请日：2015-10-07
申请人： (주) 트리노테크놀로지
发明人： 윤종만 , 오광훈 , 김수성 , 정진영 , 김은택
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/78
摘要： 수평형초접합전력반도체소자가개시된다. 수평형초접합전력반도체소자는, 소스전극, 게이트전극및 드레인전극에대응하여전기적으로연결되기위해, 상기전력반도체소자의상부에위치되어, 제1 도전형웰, 상기제1 도전형웰의상부영역에형성되는소스영역및 드레인영역이형성되는트랜지스터층; 및상기트랜지스터층의하부에형성되는전하균형바디층을포함하되, 상기전하균형바디층에는제1 도전형의불순물영역인제1 도전형필러(pillar)와제2 도전형의불순물영역인제2 도전형필러가배치된다.
摘要翻译：公开了一种卧式超级结功率半导体器件。水平超级结功率半导体器件中，源电极的上部区域，以相应地电连接到所述栅电极和漏电极，位于所述功率半导体器件的顶部，第一导电hyeongwel，第一导电hyeongwel 晶体管层，其中形成要形成的源极区和漏极区; 并包括：形成在所述晶体管层的下部的电荷平衡体层，所述电荷平衡体层已在西班牙在西班牙第二导电型柱的第一导电型杂质区域的第一导电型柱（柱）沃赫第二导电型杂质区域它被设置。

7. 发明授权

KR101039564B1 트렌치 게이트 구조를 가지는 반도체 소자 有权
标题翻译：沟槽门半导体器件
公开(公告)号：KR101039564B1
公开(公告)日：2011-06-09
申请号：KR1020090073186
申请日：2009-08-10
申请人： (주) 트리노테크놀로지
发明人： 오광훈 , 이규현 , 김수성 , 추병호 , 윤종만
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 트렌치 게이트 구조를 가지는 반도체 소자가 개시된다. 제1 도전형 반도체 기판을 이용하여 생성되는 트렌치 게이트 구조의 반도체 소자는, 액티브 영역; 상기 액티브 영역을 둘러싸는 에지 터미네이션 영역; 및 상기 액티브 영역과 상기 에지 터미네이션 영역의 사이에 위치되는 주변 영역을 포함하되, 상기 주변 영역에 형성된 제2 도전형 웰(well)은 적어도 최외측 트렌치를 내부에 수납하는 접합 깊이를 가지도록 형성될 수 있다. 본 발명에 의하여, 높은 항복 전압과 함께 견고한 특성을 가지도록 하여 같은 정격의 반도체 소자 이용시 보다 안전한 동작을 확보할 수 있도록 하는 트렌치 게이트 구조를 가지는 반도체 소자가 제공될 수 있다.
트렌치, 전력 반도체, IGBT, MOSFET

8. 发明公开

KR1020110052836A 전력 반도체 소자 有权
标题翻译：功率半导体器件
公开(公告)号：KR1020110052836A
公开(公告)日：2011-05-19
申请号：KR1020090109523
申请日：2009-11-13
申请人： (주) 트리노테크놀로지
发明人： 김수성 , 오광훈
IPC分类号： H01L29/772
CPC分类号： H01L29/7823 , H01L29/408 , H01L29/7395
摘要： PURPOSE: A power semiconductor device is provided to prevent a depletion layer from being extended to a channel stopper by thinning an insulation layer on the end region than a withstand voltage maintaining region. CONSTITUTION: A gate pad electrode and an emitter electrode(210) are formed on an active region(110). A loop type field limiting ring(250) is arranged around an active region with a preset space. A channel stopper(265) is formed on the upper side of an N type semiconductor substrate(220). A field oxide layer is formed on the upper side of the channel stopper. A channel stopper electrode(270) is arranged on the upper side of the field oxide layer.
摘要翻译：目的：提供一种功率半导体器件，以防止耗尽层通过使端部区域上的绝缘层变薄而超过耐电压保持区域而延伸到沟道阻挡层。构成：在有源区（110）上形成栅极焊盘电极和发射极（210）。循环型场限制环（250）围绕具有预设空间的有源区域布置。在N型半导体衬底（220）的上侧形成沟道限制器（265）。在通道止动器的上侧形成场氧化物层。沟道阻挡电极（270）布置在场氧化物层的上侧。

9. 发明授权

KR101928395B1 전력 반도체 소자 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101928395B1
公开(公告)日：2018-12-13
申请号：KR1020170053555
申请日：2017-04-26
申请人： (주) 트리노테크놀로지
发明人： 윤종만 , 오광훈 , 김수성
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/10 , H01L29/08
摘要： 전력 반도체 소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 전력 반도체 소자는 제1 도전형의 드리프트 층; 상기 드리프트 층의 이온 농도보다 상대적으로 큰 제1 피크 이온 농도를 가지도록 상기 드리프트 층의 하부에 형성되는 제1 도전형의 제1 필드 스톱층; 상기 제1 피크 이온 농도보다 상대적으로 큰 제2 피크 이온 농도를 가지도록 상기 제1 필드 스톱층의 하부에 형성되는 제1 도전형의 제2 필드 스톱층; 및 상기 제2 필드 스톱층의 하부에 형성되는 제2 도전형의 컬렉터 영역을 포함할 수 있다.

10. 发明授权

KR101093678B1 전력 반도체 소자 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：功率半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR101093678B1
公开(公告)日：2011-12-15
申请号：KR1020100006785
申请日：2010-01-26
申请人： (주) 트리노테크놀로지
发明人： 이승철 , 김수성
IPC分类号： H01L29/78
摘要： 전력 반도체 소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 전력 반도체 소자는, 드리프트 영역 방향으로 연장되어 형성되고, 내부에 소스 전극이 위치되는 소스 트렌치 구조; 및 드리프트 영역 방향으로 연장되어 형성되고, 내부에 게이트 전극이 위치되는 게이트 트렌치 구조를 포함한다. 본 발명에 의해, 셀의 집적도가 향상되고, 항복전압이 높게 유지될 수 있다.

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