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    • 2. 发明授权
    • 반도체 회로
    • KR102432447B1
    • 2022-08-16
    • KR1020160003181
    • 2016-01-11
    • H03K3/037H03K3/356H03K19/003
    • 반도체회로가제공된다. 상기반도체회로는, 입력데이터의논리레벨, 제1 노드의논리레벨에반전된논리레벨, 클럭신호의논리레벨, 및제2 노드의논리레벨을기초로상기제1 노드의논리레벨을결정하는제1 회로, 및상기입력데이터의논리레벨, 상기제2 노드의논리레벨에반전된논리레벨, 상기클럭신호의논리레벨, 및상기제1 노드의논리레벨에반전된논리레벨을기초로상기제2 노드의논리레벨을결정하는제2 회로를포함하되, 상기클럭신호가제1 논리레벨인경우상기제1 노드와상기제2 노드는서로다른논리레벨을갖고, 상기클럭신호가상기제1 논리레벨과다른제2 논리레벨인경우상기제1 노드와상기제2 노드는서로동일한논리레벨을갖는다.
    • 3. 发明授权
    • 인터페이스 회로 및 인터페이스 장치
    • KR102404059B1
    • 2022-05-31
    • KR1020200000863
    • 2020-01-03
    • H03K19/003H03K19/0185
    • 본발명의일 실시예에따른인터페이스회로는, 제1 전원전압을공급하는제1 전원노드, 및출력신호를내보내는출력노드에연결되며, 제1 입력신호로제어되는제1 스위치소자, 상기제1 전원전압보다작은제2 전원전압을공급하는제2 전원노드, 및상기출력노드에연결되며, 상기제1 입력신호와다른제2 입력신호로제어되는제2 스위치소자, 상기제1 전원노드와상기제1 스위치소자사이에연결되는제1 저항, 상기제2 전원노드와상기제2 스위치소자사이에연결되는제2 저항, 상기출력노드에연결되며제1 제어신호에의해충전및 방전되는제1 커패시터, 상기출력노드에연결되며상기제1 제어신호와다른제2 제어신호에의해충전및 방전되는제2 커패시터, 상기제1 저항과상기제1 스위치소자사이의노드에연결되는제3 커패시터, 및상기제2 저항과상기제2 스위치소자사이의노드에연결되는제4 커패시터를포함한다.