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141. 发明授权

KR101408671B1 통합 차폐 전극을 갖는 이온 가속 칼럼 연결 구조 및 그 방법 有权
标题翻译：具有集成屏蔽电极的离子加速管连接机构及相关方法
公开(公告)号：KR101408671B1
公开(公告)日：2014-06-17
申请号：KR1020097021443
申请日：2008-03-18
申请人： 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.
发明人： 테크레트사딕,카센,디.
IPC分类号： H01L21/265 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J5/46 , H01J37/248 , H01R13/53
摘要： 통합 차폐 전극을 갖는 연결 구조를 포함하는 이온 가속 장치 및 그 방법이 개시된다. 일 실시예에 따르면, 이온 주입 시스템의 이온 가속 장치는 제1 요소, 상기 제1 요소에 포함되고, 제1 커넥터 및 상기 제1 커넥터 주위의 제1 분리 차폐 전극을 구비하는 제1 연결 시스템, 그리고 상기 제1 요소와는 상이한 제2 요소에 포함되고, 상기 제1 커넥터에 연결되는 제2 연결 시스템을 포함하며, 상기 제1 분리 차폐 전극은 상기 제2 연결 시스템이 상기 제1 요소와 연결되는 상기 제1 요소의 제1 경계 표면에 인접한 제1 차폐 부분을 구비하고, 단면상으로 상기 제1 차폐 부분은 U-형상이다.

142. 发明公开

KR1020140072002A 플라즈마 도핑장치 및 플라즈마 도핑방법 有权
标题翻译：等离子喷涂装置和等离子喷涂方法
公开(公告)号：KR1020140072002A
公开(公告)日：2014-06-12
申请号：KR1020140062414
申请日：2014-05-23
申请人： 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤 , 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 다나카마사루 , 구리야마마사시 , 무로오카히로키
IPC分类号： H01L21/265 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/32412 , H01J37/3244 , H01L21/2236
摘要： The purpose of the present invention is to put an injection of an impurity using plasma doping to practical use. A plasma doping device (10) for adding an impurity to a semiconductor substrate (W) includes a chamber (12), a gas supply unit (14) configured for supplying gas to the chamber (12), and a plasma source (16) for generating plasma of the supplied gas in the chamber (12). The mixed gas containing material gas containing an impurity element to be added to the semiconductor substrate (W), hydrogen gas, and diluent gas for diluting the material gas is supplied to the chamber (12).
摘要翻译：本发明的目的是在等离子体掺杂中注入杂质。一种用于向半导体衬底（W）添加杂质的等离子体掺杂装置（10）包括：腔室（12），被配置用于向腔室（12）供应气体的气体供应单元（14）;以及等离子体源（16）用于在腔室（12）中产生供应气体的等离子体。将含有添加到半导体衬底（W）中的杂质元素的混合气体的原料气体，氢气和用于稀释原料气体的稀释气体供给到室（12）。

143. 发明授权

KR101386804B1 에너지 크기가 대폭 개선된 고전류-중에너지 이온주입기 有权
标题翻译：大电流和中子能量离子注入机，能量大大提高
公开(公告)号：KR101386804B1
公开(公告)日：2014-04-21
申请号：KR1020120015730
申请日：2012-02-16
申请人： 최동윤
发明人： 최동윤
IPC分类号： H01J37/317
摘要： 본 발명에 따르는 고전류 중에너지 이온주입기는 에너지 대역이 200 KeV 정도까지 대폭 개선된 것으로, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 이온주입기는 이온 빔을 발생시키는 소스헤드부와, 상기 이온 빔으로부터 바람직하지 않은 종류의 이온들을 제거하기 위한 질량분석기와, 상기 이온 빔을 편향시키기 위한 스캐닝 어셈블리와, 상기 이온 빔 내의 이온을 바람직한 에너지를 갖도록 가속하는 가속관부와, 상기 주사된 이온 빔의 통로에서 반도체 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼실로 이루어지는 고전류 중에너지 이온주입기에 있어서, 상기 소스헤드부와 상기 질량분석기와 상기 가속관부와 상기 스캐닝 어셈블리를 포함하여 구성되는 터미널부와; 상기 터미널부 내부의 상기 소스헤드부와 상기 터미널부의 절연을 위한 제1 절연부와; 상기 터미널부 외측 하단과 이온주입기 하단 사이에 형성되는 제2 절연포함하여 구성된다.

144. 发明授权

KR101386686B1 빔 감시 장치, 방법 및 시스템 有权
标题翻译：光束监测装置，方法和系统
公开(公告)号：KR101386686B1
公开(公告)日：2014-04-18
申请号：KR1020120001541
申请日：2012-01-05
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 황치-홍 , 장천-린 , 쳉나이-한 , 양치-밍 , 린친-시앙
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： H01J37/244 , H01J37/3171 , H01J2237/024 , H01J2237/24405 , H01J2237/24528 , H01J2237/24542
摘要： 빔 감시 장치, 방법 및 시스템이 개시된다. 예시적인 빔 감시 장치는 1차원(1D) 프로파일러를 포함한다. 1D 프로파일러는 절연 물질 및 도전 물질을 갖는 패러데이를 포함한다. 빔 감시 장치는 2차원(2D) 프로파일러를 더 포함한다. 2D 프로파일러는 절연 물질 및 도전 물질을 갖는 복수의 패러데이를 포함한다. 빔 감시 장치는 제어 암(arm)을 더 포함한다. 제어 암은 길이 방향으로의 빔 감시 장치의 이동을 용이하게 하고, 축을 중심으로 빔 감시 장치의 회전을 용이하게 하도록 작동된다.

145. 发明授权

KR101384571B1 방착판 지지부재 및 이것을 구비한 이온원 有权
标题翻译：用于沉积预防板及其离子源的支持部件
公开(公告)号：KR101384571B1
公开(公告)日：2014-04-11
申请号：KR1020120030938
申请日：2012-03-27
申请人： 닛신 이온기기 가부시기가이샤
发明人： 이노우치유타카 , 도히쇼지로 , 타니이마사히로
IPC分类号： H01J37/32 , H01J37/317 , H01J37/08
摘要： 본 발명은 플라즈마 생성용기에의 방착판의 장착, 분리에 관한 작업 효율을 개선하는 것이다.
플라즈마 처리장치나 이온빔 조사장치에서 이용되는 플라즈마 생성용기(4) 내에 배치되는 방착판 지지부재(15)로서, 플라즈마 생성용기(4)의 내벽에 적어도 일부가 접촉하는 본체부(16)와, 본체부(16)에서 연장된 단부(17)를 가지는 동시에, 플라즈마 생성용기(4)에 방착판 지지부재(15)를 조립했을 때, 단부(17)가 플라즈마 생성용기(4)의 내벽에서 이간되어 있는 방착판 지지부재를 이용한다.

146. 发明授权

KR101365103B1 이온 주입기용 주사 패턴 有权
标题翻译：扫描图案为离子植入物
公开(公告)号：KR101365103B1
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：KR1020097000152
申请日：2007-06-14
申请人： 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.
发明人： 드젠겔레스키죠셉피.
IPC分类号： H01J37/36 , H01J37/317 , H01J37/304
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/304 , H01J2237/30488
摘要： 이온 주입기가 이온 빔을 발생시키고 이온 빔을 작업 대상물로 인도하도록 구성된 이온 빔 발생기를 포함하고, 이온 빔과 작업 대상물 사이의 상대적인 이동이 작업 대상물 앞면 상에 주사 패턴을 생성한다. 이 주사 패턴은 작업 대상물 앞면의 적어도 일 부분에 진동 패턴을 갖는다.

147. 发明公开

KR1020140019791A 마스크 없는 패턴화된 주입을 위한 장치 및 방법 有权
标题翻译：装置和方法进行拼接图案的植入
公开(公告)号：KR1020140019791A
公开(公告)日：2014-02-17
申请号：KR1020137026214
申请日：2012-02-28
申请人： 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.
发明人： 레비트,크리스토퍼,제이. , 고데,루도빅 , 밀러,티모시,제이.
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/302 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/3172 , H01J37/3023 , H01J37/32009 , H01J37/32137 , H01J37/32376 , H01J37/32412 , H01J37/32623 , H01J2237/31711
摘要： 이온 주입 시스템(400) 내의 작업물(100)의 주입 방법. 방법은, 플라즈마(140)를 내포하는 플라즈마 챔버(402)에 인접한 추출 플레이트(101)를 제공하는 단계를 포함하며, 그 결과 추출 플레이트는 작업물 상에 입사각들의 범위에 걸쳐 분포되는 이온들을 갖는 이온 빔을 제공하는 적어도 하나의 개구(407)를 통해 플라즈마로부터 이온들(102)을 추출한다. 방법은, 추출 플레이트에 대해 작업물을 스캔하는 단계 및 스캔하는 동안 플라즈마의 파워 레벨을 제 1 파워 레벨로부터 제 2 파워 레벨로 변화시키는 단계를 포함하며, 작업물의 표면에서, 제 1 파워 레벨의 제 1 빔 폭(W1, W3)은 제 2 파워 레벨의 제 2 빔 폭(W2)보다 크다.

148. 发明公开

KR1020140000142A 이온빔 조사장치 및 이온빔 조사장치의 운전방법 有权
标题翻译：离子束辐照装置离子束辐射装置的操作方法
公开(公告)号：KR1020140000142A
公开(公告)日：2014-01-02
申请号：KR1020130037479
申请日：2013-04-05
申请人： 닛신 이온기기 가부시기가이샤
发明人： 마츠모토타케시
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/08
摘要： The present invention is to perform a cleaning process on an ion beam irradiation apparatus and to greatly improve the working efficiency of the apparatus at the same time. The ion beam irradiation apparatus includes a substrate transfer part (102) for performing a surface exchange process many times on an ion-beam-irradiated substrate between a cassette (7) and a process room (5), and ion beam supply part (101) for supplying an ion beam (3) to the process room. The inner part of the ion beam supply part (101) is cleaned by changing the setting of the operation parameter of the ion beam supply part (101) and performing the surface exchange process at least one time. [Reference numerals] (A,F) Cassette; (AA) Substrate 1; (B,D) Vacuum; (BB,EE) Process room; (C,E) Spare room; (CC,FF) Time; (DD) Substrate 2; (GG) Period τ
摘要翻译：本发明是对离子束照射装置进行清洗处理，同时大幅提高装置的工作效率。离子束照射装置包括：用于在盒（7）和处理室（5）之间的离子束照射基板上进行多次表面交换处理的基板转印部（102）和离子束供给部（101）），用于向处理室供应离子束（3）。离子束供给部（101）的内部通过改变离子束供给部（101）的运转参数的设定，至少一次进行表面交换处理来进行清洗。（附图标记）（A，F）盒; （AA）基材1; （B，D）真空; （BB，EE）过程室; （C，E）备用房; （CC，FF）时间; （DD）基板2; （GG）周期τ

149. 发明公开

KR1020130142956A 탄소 주입 동안 이온 소스 수명의 연장 및 이온 소스 성능의 개선을 위한 방법 审中-实审
标题翻译：用于延长离子源寿命的方法和改进碳源植入过程中的离子源性能
公开(公告)号：KR1020130142956A
公开(公告)日：2013-12-30
申请号：KR1020130070276
申请日：2013-06-19
申请人： 프랙스에어 테크놀로지, 인코포레이티드 , 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.
发明人： 싱하애쉬위니케이 , 브라운로이드에이 , 캠퓨서지 , 바썸네일제이 , 스포리더데이빗
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/08
CPC分类号： H01L21/322 , C23C14/48 , C23C14/564 , H01L29/36
摘要： Provided are a method and a system for extending the life of an ion source and improving the performance of the ion source during carbon implantation. Concretely a carbon ion implantation process includes a step of using a dopant gas mixture having carbon monooxide and one or more sort of fluorine-contained gas with carbon expressed as a chemical equation CxFy where x and y are equal to or more than 1. One or more sort of the fluorine-contained gas with carbon included in the mixture has approximately 3-12 vol% of the dopant gas mixture. Fluorine ions, radicals or their combination are radiated from the ionized dopant gas mixture, and reacts with a deposit substantially induced from the carbon along at least one among a repeller, an extraction electrode and the surface of the chamber so the total amount of the deposit is reduced. By using the method, a single dopant gas mixture can provide carbon ions, and can eliminate the deposit being generated during the carbon implantation which is a wide range problem typically encountered. [Reference numerals] (AA) Schematic diagram of an ion source device
摘要翻译：提供了一种用于延长离子源的寿命并改善碳注入期间离子源的性能的方法和系统。具体地，碳离子注入工艺包括使用具有一氧化碳和一种或多种含氟气体的掺杂剂气体混合物的步骤，其中表示为化学方程式CxFy，其中x和y等于或大于1。包含在混合物中的更多类型的含氟气体具有约3-12体积％的掺杂剂气体混合物。氟离子，自由基或它们的组合从离子化的掺杂气体混合物中辐射，并且与从排斥体，提取电极和室的表面中的至少一个基本上从碳中诱导的沉积物反应，因此沉积物的总量降低了。通过使用该方法，单个掺杂剂气体混合物可以提供碳离子，并且可以消除在碳注入期间产生的沉积物，这是通常遇到的宽范围问题。（附图标记）（AA）离子源装置的示意图

150. 发明公开

KR1020130137667A 이온 빔 중심 광선 궤적 주위의 정전기 렌즈를 제어하기 위한 방법 및 장치 有权
标题翻译：用于控制静电镜的方法和装置关于离子束的中心射线
公开(公告)号：KR1020130137667A
公开(公告)日：2013-12-17
申请号：KR1020137019555
申请日：2011-12-12
申请人： 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.
发明人： 라도바노프,스베틀라나 , 켈러만,피터,엘. , 싱클레어,프랭크 , 린드버그,로버트,씨.
IPC分类号： H01J37/12 , H01J37/15 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/12 , H01J37/15 , H01J37/3171 , H01J2237/121 , H01J2237/151
摘要： A method of controlling deflection of a charged particle beam in an electrostatic lens includes establishing a symmetrical electrostatic lens configuration comprising a plurality of electrodes disposed at unadjusted positions that are symmetric with respect to the central ray trajectory with applied unadjusted voltages that create fields symmetric with respect to the central ray trajectory. A symmetric electric field is calculated corresponding to the set of unadjusted voltages. A plurality of lower electrodes is arranged at adjusted positions that are asymmetric with respect to the central ray trajectory. A set of adjusted voltages is obtained for the plurality of lower electrodes, wherein the set of adjusted voltages corresponds to a set of respective potentials of the symmetric electric field at respective adjusted asymmetric positions. The adjusted voltages are applied to the asymmetric lens configuration when the charged particle beam passes therethrough.

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