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101. 发明授权

KR1019900003028B1 반도체 집적회로장치 失效
标题翻译：半导体集成电路设备
公开(公告)号：KR1019900003028B1
公开(公告)日：1990-05-04
申请号：KR1019860009247
申请日：1986-11-03
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 사또오싱이찌 , 도꾸이아끼라 , 가와이아끼라 , 나까지마마사유끼 , 나가모도마사오 , 오자끼히로지
IPC分类号： H01L27/00
CPC分类号： H01L27/10805 , H01L23/556 , H01L24/48 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2924/12036 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/16195 , H01L2924/19041 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
摘要： a substrate (6) of first type; a surface charge storage region (5a) and a bit line region (5b) both of second type; a first gate electrode (2) for the charge storage region; a second gate electrode (3) for the bit line region; insulation layers separating the regions and the gate electrodes; and two high concn. impurity regions (10a,10b) adjacent the charge storage and bit line regions forming pn junctions with each.
摘要翻译：第一类型的衬底（6）; 第二类型的表面电荷存储区域（5a）和位线区域（5b）; 用于电荷存储区域的第一栅电极（2）用于位线区域的第二栅电极（3）; 分离区域和栅电极的绝缘层; 和两个高层与电荷存储相邻的杂质区域（10a，10b）和与其形成pn结的位线区域。

102. 发明公开

KR20180025984A 광전 반도체 소자 有权
标题翻译：光电子半导体元件
公开(公告)号：KR20180025984A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：KR20187005274
申请日：2011-06-10
申请人： 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
发明人： RAMCHEN JOHANN , RACZ DAVID , GALLMEIER HANS CHRISTOPH , GROETSCH STEFAN , JEREBIC SIMON
IPC分类号： H01L33/60 , H01L33/46 , H01L33/54 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/60 , H01L23/295 , H01L23/3121 , H01L23/60 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L31/0232 , H01L33/46 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48471 , H01L2224/48479 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01079 , H01L2924/05032 , H01L2924/05432 , H01L2924/12036 , H01L2924/181 , H01L2924/207 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099
摘要： 광전반도체소자(1)의적어도하나의실시형태에서, 광전반도체소자(1)는캐리어(2) 및캐리어상면(20)에부착되는적어도하나의광전반도체칩(3)을포함한다. 또한, 반도체소자(1)는반도체칩(3)을전기적으로접촉시키는적어도하나의본딩와이어(4) 및주 방사측면(30) 상에부착되고본딩와이어(4)를넘어돌출하는적어도하나의커버체(5)를포함한다. 적어도하나의반사글롭톱(6)이측방방향으로반도체칩(3)을에워싸고, 적어도반도체칩(3)의주 방사측면(30)까지이른다. 본딩와이어(4)는반사글롭톱(6)에의해완전히또는커버체(5)와함께반사글롭톱(6)에의해완전히덮인다.
摘要翻译：一种光电子半导体器件，包括具有载体顶侧的载体，布置在载体顶侧并具有远离载体顶侧的辐射主侧的至少一个光电子半导体芯片，至少一个接合线，至少一个覆盖主体所述辐射主侧以及至少一个反射封装化合物，所述至少一个反射封装化合物在横向方向上围绕所述半导体芯片并且从所述载体顶侧至少延伸至所述辐射主侧，其中所述接合线完全被所述反射封装化合物覆盖或者完全被反射灌封胶和覆盖体覆盖，键合引线在辐射主侧上的电连接区域固定到半导体芯片上，并且电连接区域没有覆盖体并且部分或完全被覆盖体覆盖反光灌封胶。

103. 发明授权

KR101762174B1 발광소자 패키지 및 제조방법 有权
标题翻译：发光器件封装和制造方法
公开(公告)号：KR101762174B1
公开(公告)日：2017-08-07
申请号：KR1020110027175
申请日：2011-03-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 편인준
IPC分类号： H01L23/00 , H01L25/075 , H01L33/52 , H01L33/56 , H01L33/48 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/52 , H01L24/97 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2933/005 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 발광소자패키지및 제조방법이개시된다. 개시된발광소자패키지제조방법은각 발광소자칩이장착된복수의캐버티가형성되며, 상기캐버티의바닥에관통홀이형성된패키지본체와, 상기캐버티를막는제1면을제공하는고정몰드를준비하는단계; 상기캐버티의단부가상기제1면과접촉하도록상기패키지본체를상기고정몰드에체결하고, 상기캐버티내로상기관통홀을통해서봉지제를공급하는단계; 상기봉지제를경화시킨후, 상기패키지본체를상기고정몰드로부터분리하고, 상기패키지본체를각 단품으로싱귤레이션하는단계;를포함한다. 상기봉지제공급은상기봉지제가중력방향으로공급되게상기고정몰드위에상기패키지본체를배치한상태에서수행한다.
摘要翻译：公开了一种发光器件封装及其制造方法。所公开的发光器件封装的制造方法与多个各发光器件芯片的空腔的形成被安装，且具有在所述空腔的底部的通孔腔封装体，所述固定半模，以提供一第一表面，以防止在腔制备的步骤; 其中所述封装主体的固定端部的空腔的第一面接触到固定模，并供给袋jereul通过通孔进入空腔; 在封装剂固化后将封装体与固定模具分离，并将封装体分成单独的部分。所述袋供应以间歇hansangtae在固定模具所以在重力的方向上的密封剂供给进行到封装体。

104. 发明授权

KR101746614B1 발광소자 패키지 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101746614B1
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：KR1020110001793
申请日：2011-01-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 임재윤 , 오국진 , 이준길
IPC分类号： H01L23/00 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/62 , H01L24/48 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L2224/4809 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/78268 , H01L2224/78301 , H01L2224/85045 , H01L2224/85181 , H01L2224/85205 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/12044 , H01L2924/181 , H01L2933/0066 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
摘要： 개시된발광소자패키지는, 탑재부와단자부가마련된패키지본체와, 탑재부에실장되는발광소자칩과, 단자부와발광소자칩의전극을전기적으로연결하는본딩와이어를포함한다. 본딩와이어는발광소자칩으로부터루프정점까지상승하는상승부와, 루프정점과단자부를연결하는연장부를구비하며, 상승부에는상승방향과교차되는방향으로구부러진제1킨크부가마련된다.

105. 发明授权

KR101744783B1 광전자 소자 그리고 광전자 소자를 제조하기 위한 방법 有权
标题翻译：制造光电子器件和光电子器件的方法
公开(公告)号：KR101744783B1
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：KR1020127013945
申请日：2010-10-05
申请人： 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
发明人： 바르히만,베른트 , 칼텐바허,악셀 , 슈타트,노르베르트 , 베크라이터,발터 , 바이트너,카를 , 비르트,랄프
IPC分类号： H01L25/075 , H01L23/00 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/62 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L25/0753 , H01L2224/24998 , H01L2224/76155 , H01L2224/82102 , H01L2924/01006 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12036 , H01L2924/12042 , H01L2924/00
摘要： 본발명에따르면, 광전자소자는접속영역(5)을갖는캐리어몸체(3)를포함한다. 상기캐리어몸체(3) 상에는반도체칩(7)이배치되어있다. 상기캐리어몸체(3)로부터떨어져서마주한상기반도체칩(7)의상부면(8)에는콘택영역(10)이제공되어있다. 상기접속영역(5)은지지대없는라인구조물(13)에의해상기접촉영역(10)과도전접속되어있다. 본발명에서는광전자소자를제조하기위한방법이기술된다.
摘要翻译：根据本发明，光电子器件包括具有连接区域（5）的载体主体（3）。载体（3）上设置有半导体芯片（7）。现在在半导体芯片7的背向载体3的上表面8上提供接触区域10。连接区域5还通过无线结构13连接到接触区域10。在本发明中，描述了一种用于制造光电子器件的方法。

106. 发明授权

KR101746412B1 인쇄가능한 반도체소자들의 제조 및 조립방법과 장치 有权
标题翻译：用于制造和组装可印刷半导体元件的方法和设备
公开(公告)号：KR101746412B1
公开(公告)日：2017-06-14
申请号：KR1020157017151
申请日：2005-06-02
申请人： 더 보오드 오브 트러스티스 오브 더 유니버시티 오브 일리노이즈
发明人： 누조랄프지. , 로저스존에이. , 메나드에티엔 , 이건재 , 강달영 , 쑨위강 , 메이틀매튜 , 주정타오
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/786 , H01L23/498 , H01L51/00
CPC分类号： H01L29/76 , B81C2201/0185 , B82Y10/00 , H01L21/02521 , H01L21/02603 , H01L21/02628 , H01L21/308 , H01L21/322 , H01L21/6835 , H01L23/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0753 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/04 , H01L29/06 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L29/12 , H01L29/78603 , H01L29/78681 , H01L29/78696 , H01L31/0392 , H01L31/03926 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , H01L31/1896 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L2221/68368 , H01L2221/68381 , H01L2224/03 , H01L2224/0332 , H01L2224/0345 , H01L2224/03614 , H01L2224/0362 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05555 , H01L2224/05644 , H01L2224/05666 , H01L2224/08225 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/80 , H01L2224/80006 , H01L2224/80121 , H01L2224/80862 , H01L2224/80895 , H01L2224/83 , H01L2224/83005 , H01L2224/83121 , H01L2224/83192 , H01L2224/83193 , H01L2224/8385 , H01L2224/83862 , H01L2224/9202 , H01L2224/94 , H01L2224/95 , H01L2224/97 , H01L2924/00012 , H01L2924/01032 , H01L2924/0665 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/12044 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13063 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15159 , H01L2924/15162 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10S977/707 , Y10S977/724 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 본발명은인쇄가능한반도체소자를제조하고기판표면상으로인쇄가능한반도체소자를조립하기위한방법및 장치를제공한다. 본발명의방법, 장치및 장치부품은넓은범위의유연한전자및 광전자장치그리고중합재료를포함하는기판상의장치의배열생성이가능하다. 본발명은또한잡아늘이거나압축가능한반도체구조물및 잡아늘이거나압축가능한형태에서우수한효율을보이는잡아늘이거나압축가능한전자장치를제공한다.
摘要翻译：本发明提供用于制造可印刷半导体元件并将可印刷半导体元件组装到衬底表面上的方法和装置。本发明的方法，装置和设备部件能够生产范围广泛的柔性电子和光电子器件以及包括聚合物材料的衬底上的器件布置。本发明还提供了一种可拉伸或可压缩的电子器件，其在可拉伸或可压缩半导体结构以及可拉伸或可压缩形式中表现出优异的效率。

107. 发明公开

KR1020160127176A 반도체 장치 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020160127176A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：KR1020167029941
申请日：2011-09-30
申请人： 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤
发明人： 가나자와,다까미쯔 , 아끼야마,사또루
IPC分类号： H01L21/64 , H01L21/822 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L27/04
CPC分类号： H01L25/072 , H01L21/8213 , H01L23/3107 , H01L23/3142 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/34 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L27/0207 , H01L27/0617 , H01L27/088 , H01L29/1066 , H01L29/1608 , H01L29/78 , H01L29/7802 , H01L29/808 , H01L29/8083 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/291 , H01L2224/29139 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/3701 , H01L2224/3702 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/40105 , H01L2224/40145 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/30107 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/48227 , H01L2924/00 , H01L2224/84
摘要： 반도체장치의신뢰성을향상할수 있는기술을제공한다. 본발명에있어서는, 반도체칩 CHP1의표면에형성되어있는게이트패드 GPj가, 그밖의리드(드레인리드 DL이나게이트리드 GL)보다도소스리드 SL에근접하도록배치되어있게된다. 이결과, 본발명에의하면, 게이트패드 GPj와소스리드 SL 사이의거리를짧게할 수있기때문에, 게이트패드 GPj와소스리드 SL을접속하는와이어 Wgj의길이를짧게할 수있다. 이러한점에서, 본발명에의하면, 와이어 Wgj에존재하는기생인덕턴스를충분히저감할수 있다.
摘要翻译：并提供了用于提高半导体器件的可靠性的技术。在本发明中，形成在半导体芯片CHP1的表面上的栅极焊盘GPj被设置为比其他引线（漏极引线DL或栅极引线GL）更靠近源极引线SL。根据yigyeol本发明，可以缩短栅极焊盘和所述源极引线SL GPJ，GPJ栅极焊盘和所述线之间的距离为源极引线SL WGJ连接uigil它能够减少它。在这方面，根据本发明，可以充分降低导线Wgj中存在的寄生电感。

108. 发明公开

KR1020160109084A 고내압 고속 스위칭 다이오드 有权
标题翻译：高速开关二极管，具有高断路电压
公开(公告)号：KR1020160109084A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：KR1020150032796
申请日：2015-03-09
申请人： 송석민 , 퍼스트실리콘 주식회사
发明人： 송석민
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/8611 , H01L29/0619 , H01L2924/12036
摘要： 본발명에따른고내압고속스위칭다이오드는, 고농도의제1 도전형기판; 상기제1 도전형기판상부에형성된제1 도전형에피층; 상기제1 도전형에피층상부에형성된제2 도전형에피층; 상기제2 도전형에피층상부에형성된제2 도전형확산층; 상기제2 도전형에피층을외측에서수직으로관통하여형성된제1 도전형전기배선링; 상기제2 도전형에피층, 제2 도전형확산층및 제1 도전형전기배선링상부에형성된절연막; 상기절연막상부에형성된제1 전극(항복전압증가용전극) 및제2 전극;을포함하여구성되고, 상기제1 전극은상기제1 도전형전기배선링과연결;되고, 상기제2 전극은상기제2 도전형확산층과연결;되고, 상기제1 전극, 상기절연막및 상기제2 도전형에피층은 MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) 구조를형성;하고, 상기 MOS 구조는제1 도전형전기배선링과 제2 전극사이에형성;되고, 다이오드에역전압이공급되면상기 MOS 구조에공핍층이형성되어서상기절연막과다이오드 PN 정션이만나는부위의항복전압이높아지는것;을특징으로한다.
摘要翻译：根据本发明，高耐压电压和高速开关二极管包括：高浓度的第一导电衬底; 形成在所述第一导电基板的上侧的第一导电外延层; 形成在所述第一导电外延层的上侧的第二导电外延层; 形成在所述第二导电外延层的上侧的第二导电漫射层; 通过从外部垂直穿透第二导电外延层而形成的第一导电电线环; 形成在第二导电外延层的上侧的绝缘膜，第二导电漫射层和第一导电电线环; 以及形成在绝缘膜的上侧的第一电极（用于增加击穿电压）和第二电极。第一电极与第一导电电线环连接。第二电极与第二导电漫射层连接。第一电极，绝缘膜和第二导电外延层形成金属氧化物半导体（MOS）结构。 MOS结构形成在第一导电电线环和第二电极之间。当向二极管提供反向电压时，在MOS结构中形成耗尽层，以增加在绝缘膜与二极管PN结相遇的部分中的击穿电压。

109. 发明授权

KR101653834B1 반도체 장치 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR101653834B1
公开(公告)日：2016-09-02
申请号：KR1020090100102
申请日：2009-10-21
申请人： 소니 주식회사
发明人： 코바야시히로타카 , 아키야마켄타로 , 마츠시타나오키 , 에자키타카유키
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14636 , H01L21/76283 , H01L24/05 , H01L24/10 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/78 , H01L27/1464 , H01L2224/02166 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48453 , H01L2224/48463 , H01L2224/48624 , H01L2224/78301 , H01L2224/85181 , H01L2224/859 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/05042 , H01L2924/10253 , H01L2924/12036 , H01L2924/12043 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 개구부의저부에전극패드로서노출시킨외부접속전극에접속툴을이용하여도전체를접속하는경우에, 전극패드의면적을확대하는일 없이, 접속툴의선단이개구부의언저리에접촉하는것을회피가능한구조를제공한다. 반도체소자층(7)과, 반도체소자층(7)의한쪽의면측에, 복수의배선층(13, 15, 17)과복수의층간절연막(12, 14, 16, 18)에의해형성된적층배선부(11)와, 복수의배선층중의하나에형성된외부접속전극(17a)과, 외부접속전극(17a)의표면을노출시키는상태로반도체소자층(7)으로부터적층배선부(11)에걸쳐서오목형상으로형성된개구부(22)를구비하는고체촬상장치의구성으로하여, 외부접속전극(17a)으로부터먼 쪽의개구경(d1)이, 외부접속전극(17a)에가까운쪽의개구경(d2)보다커지도록, 개구부(22)를형성하였다.
摘要翻译：在使用连接工具将外部连接电极被暴露为在开口的底部部分的电极焊盘连接所述整体hayeodo，而不必扩大电极焊盘的区域，并且避免可能的结构的情况下，所述连接工具在与所述开口的边缘相接触的前端等等。在半导体元件层7侧和半导体元件层7侧形成多个层间绝缘膜12,14,16,18， 11，在形成于花枝的半导体层（7）的表面暴露的状态下的层叠配线部11外部连接电极（17a）和凹状的多个布线层的外部连接电极（17a）的其中形成有开口22的固态成像装置的开口直径d1大于比外部连接电极17a更靠近外部连接电极17a的一侧的开口直径d2 形成开口22。

110. 发明授权

KR101650896B1 소형화된 SMD 다이오드 패키지 및 이를 생산하기 위한 공정 有权
标题翻译： SMD微型贴片二极管封装及其制造方法
公开(公告)号：KR101650896B1
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：KR1020140193964
申请日：2014-12-30
申请人： 에스에프아이 일렉트로닉스 테크날러지 인코어퍼레이티드
发明人： 리엔,칭-혼 , 후앙,싱-시앙 , 후앙,싱-짜이 , 수,홍-종 , 첸,이-웨이
IPC分类号： H01L29/861 , H01L25/065 , H01L23/13
CPC分类号： H01L24/97 , H01L21/4853 , H01L21/4867 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/78 , H01L21/7813 , H01L23/02 , H01L23/15 , H01L23/3107 , H01L23/49805 , H01L23/49833 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/83 , H01L24/96 , H01L25/0652 , H01L29/861 , H01L2224/06181 , H01L2224/27312 , H01L2224/2732 , H01L2224/29294 , H01L2224/29311 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29364 , H01L2224/29369 , H01L2224/32168 , H01L2224/32227 , H01L2224/33181 , H01L2224/83101 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83801 , H01L2224/83851 , H01L2224/92 , H01L2224/97 , H01L2924/1203 , H01L2924/12032 , H01L2924/12035 , H01L2924/12036 , H01L2924/15787 , H01L2924/1579 , H01L2924/15798 , H01L2924/181 , H01L2924/186 , H05K1/117 , H05K1/144 , H05K1/145 , H05K3/403 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2224/83
摘要： 소형화된 SMD 다이오드패키지는그의하부면이양 전극과음 전극을가지는다이오드칩을사용하는것, 패키징중에종래의리드프레임대신에회로기판을사용하는것, 및칩 본딩을실행하기위해전하-결합장치(CCD) 영상정합기술을사용하는것을포함하며; 소형화된 SMD 다이오드패키지를생산하기위한공정에서얻어지는이점들은생산공정을단순화하고제조비용을감소시키는것, 종래에사용된리드프레임대신에회로기판을사용함으로인해소형화된 SMD 다이오드패키지의생산의정확성과정밀성을개선하는것, 및생산된소형화된 SMD 다이오드패키지가왜곡또는결함이없이우수한다이오드특성들을가지도록보장하는것을포함한다.
摘要翻译：小型SMD二极管封装包括使用二极管芯片，其底表面具有正极和负极，在封装期间使用电路板代替常规引线框架，并使用电荷耦合器件（CCD）图像配准技术来执行芯片粘接; 由于使用电路板而不是常规使用的引线框架，从其制造方法带来的有益优点包括简化制造工艺并降低制造成本，提高生产小型化SMD二极管封装的精度和精度，并确保生产的小型SMD二极管封装具有优异的二极管特性，无失真或缺陷。

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