基本信息:
- 专利标题： 반도체 집적회로장치
- 专利标题（英）：Semiconductor integrated circuit device
- 专利标题（中）：半导体集成电路设备
- 申请号：KR1019860009247 申请日：1986-11-03
- 公开(公告)号：KR1019900003028B1 公开(公告)日：1990-05-04
- 发明人： 사또오싱이찌 , 도꾸이아끼라 , 가와이아끼라 , 나까지마마사유끼 , 나가모도마사오 , 오자끼히로지
- 申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
- 申请人地址： *-*, Marunouchi *-Chome, Chiyoda-ku, Tokyo ***-**** Japan
- 专利权人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
- 当前专利权人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： *-*, Marunouchi *-Chome, Chiyoda-ku, Tokyo ***-**** Japan
- 代理人： 김영길
- 优先权： JP60-285163 1985-12-18
- 主分类号： H01L27/00
- IPC分类号： H01L27/00
摘要：
a substrate (6) of first type; a surface charge storage region (5a) and a bit line region (5b) both of second type; a first gate electrode (2) for the charge storage region; a second gate electrode (3) for the bit line region; insulation layers separating the regions and the gate electrodes; and two high concn. impurity regions (10a,10b) adjacent the charge storage and bit line regions forming pn junctions with each.
摘要（中）：
第一类型的衬底（6）; 第二类型的表面电荷存储区域（5a）和位线区域（5b）; 用于电荷存储区域的第一栅电极（2） 用于位线区域的第二栅电极（3）; 分离区域和栅电极的绝缘层; 和两个高层 与电荷存储相邻的杂质区域（10a，10b）和与其形成pn结的位线区域。
公开/授权文献:
- KR100035129B1 반도체 집적회로장치 公开/授权日：1990-08-14
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |