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    • 8. 发明授权
    • 반도체 소자 및 그 제조 방법
    • 半导体装置及其制造方法
    • KR100959454B1
    • 2010-05-25
    • KR1020070127512
    • 2007-12-10
    • 주식회사 디비하이텍
    • 정은수
    • H01L21/60H01L23/48
    • H01H61/04H01H2061/006H01L2924/0002Y10S977/708Y10S977/724Y10S977/732H01L2924/00
    • 실시예는 스위치 기능의 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 실시예에 따른 반도체 소자는, 반도체 기판과 일정 간격 이격되며 다수의 식각홀이 형성된 금속막, 상기 반도체 기판과 상기 금속막 사이의 이격 공간에 배치된 하부 금속 패턴 및 상기 하부 패턴 상에 형성된 상부 금속 패턴, 상기 반도체 기판 상에 형성되며 상기 하부 금속 패턴 저면의 일측을 지지하는 기둥 및 상기 하부 금속 패턴과 대응하여 상기 반도체 기판 상에 형성된 패드를 포함한다. 실시예는 새로운 구조의 트랜지스터를 개발하여 공정을 단축시킴으로써 원가를 절감할 수 있다.
      초전기 스위치 트랜지스터
    • 实施例涉及具有开关功能的半导体器件及其制造方法。 根据本实施例半导体器件间隔开的半导体基片和一个预定的距离和多个金属膜蚀刻孔的形成,形成在所述下金属图案的上金属并设置在间隔开的空间中的半导体基板和金属膜之间的下部图案 图案,形成在半导体基板上并且支撑底部金属图案的底面的一侧的柱,以及形成在半导体基板上的与底部金属图案对应的垫。 该实施例可以通过开发新结构的晶体管来缩短工艺来降低成本。