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91. 发明公开

KR20120088613A Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods thereof 审中-公开
标题翻译：半导体基板，半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR20120088613A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：KR20120051939
申请日：2012-05-16
申请人： SEOUL OPTO DEVICE CO LTD
发明人： SAKAI SHIRO
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/02 , H01L33/12 , H01L33/20
CPC分类号： H01L33/02 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/0265 , H01L21/02664 , H01L33/0075 , H01L33/20 , H01L2933/0008
摘要： PURPOSE: A semiconductor substrate, a semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to increase lifetime of a laser diode by forming the laser diode on a GaN layer with enhanced heat conductivity. CONSTITUTION: A first GaN layer(102) is formed on a sapphire substrate(101). A Ta layer(103) is formed on the first GaN layer. A second GaN layer(104) is formed on the first GaN layer. A plurality of cavities(102a) is formed by etching the first GaN layer. A plurality of holes(103a) is formed by etching the Ta layer.
摘要翻译：目的：提供半导体衬底，半导体器件及其制造方法，以通过在具有增强的导热性的GaN层上形成激光二极管来增加激光二极管的寿命。构成：在蓝宝石衬底（101）上形成第一GaN层（102）。在第一GaN层上形成Ta层（103）。在第一GaN层上形成第二GaN层（104）。通过蚀刻第一GaN层形成多个空腔（102a）。通过蚀刻Ta层形成多个孔（103a）。

92. 发明公开

KR1020110093635A 반도체기판, 그 제조방법, 반도체 디바이스 및 그 제조방법 无效
标题翻译：半导体基板，半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110093635A
公开(公告)日：2011-08-18
申请号：KR1020110009261
申请日：2011-01-31
申请人： 서울바이오시스 주식회사
发明人： 사카이시로
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/00 , H01L33/32 , H01L21/02
CPC分类号： H01L33/007 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01L21/02664 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/02 , H01L2933/0008
摘要： PURPOSE: A semiconductor substrate and a manufacturing method thereof and a semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to improve the radiation characteristic of a laser diode by forming the laser diode in a semiconductor having higher thermal conductivity than that of a sapphire substrate. CONSTITUTION: In a semiconductor substrate and a manufacturing method thereof and a semiconductor device and a manufacturing method thereof, a first semiconductor layer(102) is formed on a first substrate(101). A metallic material layer(103) is formed on the first semiconductor layer by a predetermined pattern. A second semiconductor layer(104) is formed on the semiconductor layer and the metallic material layer. A cavity(102a) is formed on the first semiconductor layer instead of the metallic material layer. A hole is formed in the metallic material layer in forming the second semiconductor layer.
摘要翻译：目的：提供一种半导体衬底及其制造方法以及半导体器件及其制造方法，以通过在具有比蓝宝石衬底更高的热导率的半导体中形成激光二极管来改善激光二极管的辐射特性。构成：在半导体衬底及其制造方法和半导体器件及其制造方法中，在第一衬底（101）上形成第一半导体层（102）。金属材料层（103）通过预定图案形成在第一半导体层上。在半导体层和金属材料层上形成第二半导体层（104）。在第一半导体层上形成空腔（102a），而不是金属材料层。在形成第二半导体层时，在金属材料层中形成有孔。

93. 发明公开

KR1020110093556A 반도체 기판, 그 제조 방법, 반도체 디바이스 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：半导体基板，半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110093556A
公开(公告)日：2011-08-18
申请号：KR1020100066886
申请日：2010-07-12
申请人： 서울바이오시스 주식회사
发明人： 사카이시로
IPC分类号： H01L33/20
CPC分类号： H01L21/0262 , C30B25/02 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0265 , H01L21/02656 , H01L25/0753 , H01L2924/0002 , H01L33/20 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: A semiconductor substrate, a semiconductor device, and manufacturing methods thereof are provided to improve the lifetime of a laser diode by using a GaN substrate stripping a sapphire substrate. CONSTITUTION: A first semiconductor layer is formed on a substrate. A mask is formed on a part of the first semiconductor layer. A metal material layer is formed on the first semiconductor layer and the mask layer cross the mask. A second semiconductor layer is formed on the first semiconductor layer and the metal material layer. A cavity(202a) is formed on the first semiconductor layer lower than the metal material layer.
摘要翻译：目的：提供半导体衬底，半导体器件及其制造方法，以通过使用剥离蓝宝石衬底的GaN衬底来改善激光二极管的寿命。构成：在基板上形成第一半导体层。在第一半导体层的一部分上形成掩模。在第一半导体层上形成金属材料层，并且掩模层穿过掩模。在第一半导体层和金属材料层上形成第二半导体层。在比金属材料层低的第一半导体层上形成空腔（202a）。

94. 发明公开

KR1020110003568A 화합물 반도체 발광 소자 및 이를 이용하는 조명 장치 및 화합물 반도체 발광 소자의 제조 방법 有权
标题翻译：化合物半导体发光元件，使用化合物半导体发光元件的照明装置及其制造化合物半导体发光元件的方法
公开(公告)号：KR1020110003568A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：KR1020107027011
申请日：2009-05-25
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 아르미티지,로버트데이비드
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/08
CPC分类号： H01L33/20 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01L33/08 , H01L33/18
摘要： 한쪽의 전극측이 되는 기판과, 상기 기판 상에 수직 방향으로 연장되는 나노스케일의 복수의 기둥형상 결정 구조체와, 상기 복수의 기둥형상 결정 구조체의 꼭대기부를 서로 접속하는 다른쪽의 전극을 구비하고, 상기 기판 상에는, 제1 영역과, 당해 제1 영역의 사이에 단차를 가지고 당해 제1 영역보다 기판의 두께가 큰 제2 영역이 설치되고, 상기 기판 상의 제1 영역의 표면에 다공의 제1 마스크층이 형성되고, 상기 복수의 기둥형상 결정 구조체는, 상기 기판 상의 제1 및 제2 영역에, n형 반도체층과 발광층과 p형 반도체층이 순서대로 적층된 것으로 하여, 화합물 반도체 발광 소자를 구성했다.

95. 发明公开

KR1020100125533A 반도체 발광소자 및 그 제조방법 有权
标题翻译：半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020100125533A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：KR1020090044292
申请日：2009-05-21
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 강대성 , 정명훈
IPC分类号： H01L33/12
CPC分类号： H01L33/007 , F21K9/23 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02642 , H01L21/0265 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/22 , H01L33/40 , H01L33/405 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： PURPOSE: A semiconductor light emitting element and a method for manufacturing the same are provided to improve the internal quantum efficiency and the external quantum efficiency by preventing the crystal defects of a nitride semiconductor layer. CONSTITUTION: A plurality of clusters(115) is formed on a substrate(110). A first nitride semiconductor layer(125) is formed between the clusters. An air gap part(120) is formed on the clusters. A second nitride semiconductor layer(130) is formed on the first nitride semiconductor layer and the air gap part. A first conductive semiconductor layer(140) is formed on the second nitride semiconductor layer.
摘要翻译：目的：提供半导体发光元件及其制造方法，以通过防止氮化物半导体层的晶体缺陷来提高内部量子效率和外部量子效率。构成：在衬底（110）上形成多个簇（115）。在簇之间形成第一氮化物半导体层（125）。在集群上形成气隙部分（120）。在第一氮化物半导体层和气隙部分上形成第二氮化物半导体层（130）。第一导电半导体层（140）形成在第二氮化物半导体层上。

96. 发明授权

KR100972977B1 반극성 질화물 단결정 박막의 성장 방법 및 이를 이용한질화물 반도체 발광소자의 제조 방법 有权
标题翻译：半极性氮化物单晶薄膜的生长方法和氮化物半导体发光偏光片的制造方法
公开(公告)号：KR100972977B1
公开(公告)日：2010-07-29
申请号：KR1020070131272
申请日：2007-12-14
申请人： 삼성엘이디 주식회사
发明人： 백호선 , 이정욱 , 성연준
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/0254 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L21/0265 , H01L33/007 , H01L33/16
摘要： 질화물 단결정 박막의 성장 방법이 개시된다. 본 질화물 단결정 박막의 성장 방법은, m면 육방정계 단결정 기판 상에 반극성 질화물 단결정 기저층을 형성하는 단계, 절연성 물질 패턴층을 형성하는 단계, 반극성 질화물 단결정 기저층 상에 반극성 질화물 단결정 박막을 측방향 성장시키는 단계를 포함하며, 반극성 질화물 단결정 박막의 측방향 성장 단계는 성장면의 일부가 a면을 갖도록 반극성 질화물 단결정 박막을 1차 측방향 성장시키는 단계, 및, 1차 측방향 성장된 질화물 단결정 박막이 합체되어 (11-22)면을 갖는 반극성 질화물 단결정 박막이 형성되도록 2차 측방향 성장시키는 단계를 포함한다.
반극성 질화물 단결정 박막, 발광소자, m면 육방정계 단결정 기판, 측방향 성장

97. 发明公开

KR1020090038348A 반도체 기판 상에 3족 질화물 반도체층을 형성하는 방법 有权
标题翻译：在半导体衬底上形成III族氮化物半导体衬底的方法
公开(公告)号：KR1020090038348A
公开(公告)日：2009-04-20
申请号：KR1020080037041
申请日：2008-04-22
申请人： 네이셔널 치아오 텅 유니버시티
发明人： 창춘-엔 , 양트숭-흐시 , 센시흐-구오
IPC分类号： H01L33/12 , H01L33/20 , B82Y20/00
CPC分类号： H01L21/0265 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/02639
摘要： A method for forming iii-nitrides semiconductor on the semiconductor substrate is provided to reduce the junction density by improving a crack on the surface of GaN. A crystal direction silicon semiconductor substrate is used as a growth substrate, and the surface nitridation water is removed by using HF. The surface of the silicon semiconductor substrate is covered with a fluorine ion, so formation of nitride is prevented in a short time. The surface of the semiconductor silicon base is re-organized by removing the fluorine ion, and nitride, and a contaminant(201). The GaN nano-rod buffer layer of the trumpet form is formed under 700°C and N-rich by using a molecular beam epitaxy method or a metal-organic chemical vapor deposition(202). The GaN nanorod buffer layer of the trumpet form is formed under 850°C and Ga-rich by using a molecular beam epitaxy method or a metal-organic chemical vapor deposition(203).
摘要翻译：提供了在半导体衬底上形成三价氮化物半导体的方法，以通过改善GaN表面的裂纹来降低结密度。晶体方向硅半导体衬底用作生长衬底，并且通过使用HF去除表面氮化水。硅半导体衬底的表面被氟离子覆盖，从而在短时间内防止形成氮化物。通过去除氟离子和氮化物和污染物（201）来重新组织半导体硅基底的表面。通过使用分子束外延法或金属有机化学气相沉积（202）在700℃下形成小号形状的GaN纳米棒缓冲层和富含N的纳米棒。通过使用分子束外延法或金属有机化学气相沉积（203），在850℃下形成喇叭形状的GaN纳米棒缓冲层，并且富镓。

98. 发明公开

KR1020070082382A 펜데오 에피탁시 성장용 기판 및 그 형성 방법 有权
标题翻译：用于PENDEO外延的基材及其制造方法
公开(公告)号：KR1020070082382A
公开(公告)日：2007-08-21
申请号：KR1020060015154
申请日：2006-02-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 백호선 , 장태훈 , 성연준 , 사공탄 , 양민호
IPC分类号： H01L21/20 , H01S3/0941
CPC分类号： C30B7/005 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/0265
摘要： A PENDEO epitaxial growth substrate and a forming method thereof are provided to improve the reliability and to enhance the throughput by preventing the generation of contamination due to an air gap using a barrier layer capable of blocking a predetermined path for solution. A PENDEO epitaxial growth substrate includes a substrate(30), a plurality of pattern regions and one or more barrier layers. The plurality of pattern regions(31a,31b) are formed on the substrate in a first direction. The barrier layers(33) are used for contacting the pattern region. The barrier layers are formed on the substrate in a second direction. The first and second directions are orthogonal to each other. The substrate is made of one selected from a group consisting of sapphire, silicon carbide, silicon or ZnO.
摘要翻译：提供了一种PENDEO外延生长衬底及其形成方法，以通过防止使用能够阻挡预定路径的阻挡层产生由气隙导致的污染而产生污染的可靠性和提高吞吐量。 PENDEO外延生长衬底包括衬底（30），多个图案区域和一个或多个势垒层。多个图案区域（31a，31b）沿第一方向形成在基板上。阻挡层（33）用于与图案区域接触。阻挡层在第二方向上形成在基板上。第一和第二方向彼此正交。衬底由选自由蓝宝石，碳化硅，硅或ZnO组成的组中的一种制成。

99. 发明授权

KR100687463B1 반도체 디바이스 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR100687463B1
公开(公告)日：2007-02-27
申请号：KR1020010002031
申请日：2001-01-13
申请人： 소니 주식회사
发明人： 타케야모토노부 , 야나시마카추노리 , 이케다마사오 , 아사노타케하루 , 이케다신로 , 히노토모노리 , 시부야카추요시
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02378 , H01L21/0242 , H01L21/02422 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/0265 , H01L33/007 , H01S5/32341 , H01S2304/12
摘要： 본 발명은 기판의 휘어짐(bowing)을 방지하고 우수한 결정성을 갖는 질화물계의 Ⅲ-Ⅴ족 화합물의 반도체층을 가질 수 있는 반도체 디바이스를 제공하는 것이다.
두께가 8㎛ 이하인 질화물계의 Ⅲ-Ⅴ족 화합물의 반도체 층은, 사파이어로 구성된 기판상에 구비된다. 이것은 열팽창 계수 및 기판과 질화물계의 Ⅲ-Ⅴ족 화합물의 반도체층간의 격자 상수의 차에 기인하여 기판의 휘어짐을 감소시킨다. 질화물계의 Ⅲ-Ⅴ족의 반도체층을 형성하는 n-측 접촉층은 시드(seed) 결정층의 결정부로부터 횡 방향으로 성장시켜 만들어진 부분적으로 횡방향 성장 영역을 갖는다. 횡방향 성장 영역에서, 전위 밀도는 낮게 제한하므로, n-측 접촉층상에 형성된 각각의 층의 횡방향 성장 영역에 대응하는 영역들은 우수한 결정을 가진다.
전위 밀도, 접촉층, 성장 영역, 격자 상수
摘要翻译：本发明提供一种能够防止基板弯曲并且具有结晶性优异的氮化物系III-V族化合物的半导体层的半导体装置。

100. 发明公开

KR1020060135568A 휘도가 향상된 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：具有改进的发光的半导体发光器件及其方法
公开(公告)号：KR1020060135568A
公开(公告)日：2006-12-29
申请号：KR1020060057530
申请日：2006-06-26
申请人： 갤럭시아포토닉스 주식회사
发明人： 박형수
IPC分类号： H01L33/10 , H01L33/20
CPC分类号： H01L33/20 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01L33/007 , H01L33/10
摘要： A semiconductor light emitting device having improved brightness is provided to increase external quantum efficiency of a semiconductor light emitting device by forming a deep trench in the surface of a substrate and by making the trench becomes a void so that the void functions as a reflector with respect to light generated in a device. The surface of a substrate(300) for fabricating a semiconductor light emitting device is etched to form a plurality of deep trenches(320,321,322). A plurality of semiconductor layers constituting a semiconductor light emitting device are sequentially formed on the surface of the substrate having the deep trenches. The deep trenches has a depth so that a plurality of voids are formed in a region of the substrate where the deep trenches are formed even if a semiconductor layer is grown on the surface of the substrate. The plurality of voids formed on the substrate function as a reflector of the light generated from the semiconductor light emitting device. After the semiconductor light emitting device is finished, the substrate is separated from the semiconductor light emitting device.
摘要翻译：提供了具有改善的亮度的半导体发光器件，以通过在衬底的表面中形成深沟槽并且通过使沟槽变成空隙来增加半导体发光器件的外部量子效率，使得该空隙用作反射器在设备中产生的光。用于制造半导体发光器件的衬底（300）的表面被蚀刻以形成多个深沟槽（320,321,322）。构成半导体发光元件的多个半导体层依次形成在具有深沟槽的基板的表面上。深沟槽具有深度，使得即使在衬底的表面上生长半导体层，在衬底的形成深沟槽的区域中形成多个空隙。形成在基板上的多个空隙用作从半导体发光器件产生的光的反射器。在半导体发光器件完成之后，衬底与半导体发光器件分离。

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