专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

KR20120088613A Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods thereof 审中-公开
标题翻译：半导体基板，半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR20120088613A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：KR20120051939
申请日：2012-05-16
申请人： SEOUL OPTO DEVICE CO LTD
发明人： SAKAI SHIRO
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/02 , H01L33/12 , H01L33/20
CPC分类号： H01L33/02 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/0265 , H01L21/02664 , H01L33/0075 , H01L33/20 , H01L2933/0008
摘要： PURPOSE: A semiconductor substrate, a semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to increase lifetime of a laser diode by forming the laser diode on a GaN layer with enhanced heat conductivity. CONSTITUTION: A first GaN layer(102) is formed on a sapphire substrate(101). A Ta layer(103) is formed on the first GaN layer. A second GaN layer(104) is formed on the first GaN layer. A plurality of cavities(102a) is formed by etching the first GaN layer. A plurality of holes(103a) is formed by etching the Ta layer.
摘要翻译：目的：提供半导体衬底，半导体器件及其制造方法，以通过在具有增强的导热性的GaN层上形成激光二极管来增加激光二极管的寿命。构成：在蓝宝石衬底（101）上形成第一GaN层（102）。在第一GaN层上形成Ta层（103）。在第一GaN层上形成第二GaN层（104）。通过蚀刻第一GaN层形成多个空腔（102a）。通过蚀刻Ta层形成多个孔（103a）。

2. 发明公开

KR20100132910A Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods thereof 审中-公开
标题翻译：半导体基板，半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR20100132910A
公开(公告)日：2010-12-20
申请号：KR20100051176
申请日：2010-05-31
申请人： SEOUL OPTO DEVICE CO LTD
发明人： SAKAI SHIRO
IPC分类号： H01L21/20 , H01L33/02
CPC分类号： H01L21/02389 , H01L21/02392 , H01L21/0254 , H01L21/02543
摘要： PURPOSE: A semiconductor substrate, a semiconductor device, and a manufacturing methods thereof are provided to reduce manufacturing costs for an LED and a laser diode by using a GaN substrate. CONSTITUTION: A first semiconductor layer is formed on a substrate. A metallic material layer is formed on a semiconductor layer by a predetermined pattern. A second semiconductor layer is formed on the semiconductor layer and metallic material layer. A hollow(102a) is formed on a first semiconductor layer under the metallic material layer.
摘要翻译：目的：提供半导体衬底，半导体器件及其制造方法，以通过使用GaN衬底来降低LED和激光二极管的制造成本。构成：在基板上形成第一半导体层。通过预定图案在半导体层上形成金属材料层。在半导体层和金属材料层上形成第二半导体层。在金属材料层下的第一半导体层上形成中空（102a）。

3. 发明公开

KR20120057600A Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods thereof 审中-公开
标题翻译：半导体基板，半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR20120057600A
公开(公告)日：2012-06-05
申请号：KR20120051938
申请日：2012-05-16
申请人： SEOUL OPTO DEVICE CO LTD
发明人： SAKAI SHIRO
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/12 , H01L33/20
摘要： PURPOSE: A semiconductor substrate, a semiconductor device, and a method for manufacturing thereof are provided to improve heat radiation characteristics by forming a laser diode by using a GaN substrate. CONSTITUTION: A first GaN layer(102) is formed on a sapphire substrate(101). A Ta layer(103) is formed on the first GaN layer by using EB(Electron Beam) evaporation and lift off. A second GaN layer(104) is formed on the first GaN layer and Ta layer through an MOCVD(Metalorganic Chemical Vapor Deposition) method. A plurality of cavities(102a) is formed within the first GaN layer. A hole(103a) is formed on the Ta layer while forming the second GaN layer. A semiconductor substrate is complete after the second GaN layer is formed.
摘要翻译：目的：提供半导体衬底，半导体器件及其制造方法，以通过使用GaN衬底形成激光二极管来改善散热特性。构成：在蓝宝石衬底（101）上形成第一GaN层（102）。通过使用EB（电子束）蒸发和剥离在第一GaN层上形成Ta层（103）。通过MOCVD（金属有机化学气相沉积）方法在第一GaN层和Ta层上形成第二GaN层（104）。在第一GaN层内形成多个空腔（102a）。在形成第二GaN层的同时，在Ta层上形成孔（103a）。在形成第二GaN层之后，半导体衬底完成。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式