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91. 发明公开

KR1020150027223A 형광체의 제조 방법 无效
标题翻译：生产磷光体的方法
公开(公告)号：KR1020150027223A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：KR1020157001297
申请日：2004-11-25
申请人： 코쿠리츠켄큐카이하츠호징 붓시쯔 자이료 켄큐키코 , 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 히로사키나오토 , 우에다교타 , 야마모토하지메
IPC分类号： C09K11/64 , C09K11/59 , C09K11/55 , H01L33/50
CPC分类号： C09K11/7792 , C01B21/0602 , C01B21/0821 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2002/84 , C04B35/447 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/584 , C04B35/597 , C04B2235/3224 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3262 , C04B2235/3852 , C04B2235/3865 , C04B2235/3878 , C04B2235/3886 , C04B2235/445 , C04B2235/6567 , C04B2235/761 , C04B2235/77 , C09K11/0883 , C09K11/643 , C09K11/646 , C09K11/7703 , C09K11/7706 , C09K11/7718 , C09K11/7721 , C09K11/7728 , C09K11/7734 , C09K11/7746 , C09K11/7749 , C09K11/7761 , C09K11/7764 , C09K11/7774 , C09K11/7783 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , Y02B20/181 , C09K11/64 , C09K11/55 , C09K11/59
摘要： 본 발명의 목적은 희토류로 활성된 종래의 사이알론 형광체의 경우에 비해 보다 긴 파장을 갖는 주황색 또는 적색광을 방출하는 형광 특성을 갖는 무기 형광체를 제공하는 것이다.
본 발명은 CaSiAlN
3 결정상과 동일한 결정 구조를 갖는 무기 화합물을 모체 결정으로 사용하고, M [여기서, M 은 Mn, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, 및 Yb 로부터 선택된 하나 이상의 것임] 이 발광 중심으로서 첨가되는 고용체 결정상 형광체를 이용함으로써, 적색 성분이 풍부하고 양호한 연색성을 갖는 백색 발광 다이오드의 설계에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种具有发射橙色或红色光的荧光特性的无机荧光体，其与通过稀土活化的常规赛隆荧光体的情况相比具有较长的波长。本发明涉及一种富含红色成分并具有良好显色性能的白色发光二极管的设计，该固体溶液晶相荧光体用作与主体结晶相同的晶体结构的无机化合物 CaSiAlN 3晶相，并且M元素（其中M元素是选自Mn，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm中的一种或两种以上的元素， Yb和Lu）作为发射中心。

92. 发明公开

KR1020140143731A 반도체 장치 및 그 제작 방법 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140143731A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：KR1020140148678
申请日：2014-10-29
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자키순페이 , 사카타준이치로 , 마루야마테츠노리 , 이모토유키 , 아사노유지 , 코에주카준이치
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66742 , C04B35/58 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , H01L27/1225 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L29/78606
摘要： The present invention relates to a semiconductor device and a manufacturing method thereof. In a thin film transistor using an oxide semiconductor, a buffer layer including In, Ga, Zn, O, and N is formed between an oxide semiconductor layer and a source electrode layer and between a drain electrode layer and the oxide semiconductor layer. According to one embodiment of the present invention, provided is the semiconductor device with high electrical properties and high reliability.
摘要翻译：半导体器件及其制造方法技术领域本发明涉及半导体器件及其制造方法。在使用氧化物半导体的薄膜晶体管中，在氧化物半导体层和源电极层之间以及漏电极层和氧化物半导体层之间形成包括In，Ga，Zn，O和N的缓冲层。根据本发明的一个实施例，提供具有高电性能和高可靠性的半导体器件。

93. 发明公开

KR1020140077910A 세라믹스 부재, 반도체 제조 장치용 부재 및 세라믹스 부재의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：陶瓷会员，用于半导体生产装置的会员，以及用于生产陶瓷会员的方法
公开(公告)号：KR1020140077910A
公开(公告)日：2014-06-24
申请号：KR1020147009532
申请日：2012-10-10
申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디
发明人： 와타나베,모리미치 , 진도아스미 , 가츠다유지 , 사토요스케 , 이소다요시노리 , 와타나베아츠시
IPC分类号： C04B35/04 , C04B35/58 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6831 , C04B35/053 , C04B35/58 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3865 , C04B2235/6586 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/9607 , H01L21/6833
摘要： 본 발명의 세라믹스 부재(30)는, 산화마그네슘에 Al, N 성분이 고용된 Mg(Al)O(N)를 주상으로 하는 세라믹스 기체(32)와, 세라믹스 기체(32)의 일부에 배치되어 질화물, 탄화물, 탄질화물 및 금속 중 어느 하나 이상을 전극 성분으로서 포함하는 전극(34)을 구비한다. 이 세라믹스 기체(32)는, CuKα선을 이용했을 때의 상기 Mg(Al)O(N)의 (111)면 또는 (200)면, 또는(220)면의 XRD 피크가 각각 산화마그네슘의 입방정의 피크와 질화알루미늄의 입방정의 피크 사이인 2θ=36.9 ~ 39°, 42.9 ~ 44.8°, 62.3 ~ 65.2°에 나타나는 것으로 하더라도 좋다.

94. 发明授权

KR101380836B1 상온진공과립분사 공정을 위한 취성재료 과립 및 이를 이용한 코팅층의 형성방법 有权
标题翻译：用于真空中的室温颗粒喷雾的脆性材料颗粒和使用其形成涂层的方法
公开(公告)号：KR101380836B1
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：KR1020110130294
申请日：2011-12-07
申请人： 한국기계연구원
发明人： 박동수 , 김종우 , 류정호 , 윤운하 , 최종진 , 한병동
IPC分类号： C01G25/00 , C04B35/49 , C01B25/32 , C23C24/00
CPC分类号： B05D1/12 , C04B35/01 , C04B35/016 , C04B35/053 , C04B35/111 , C04B35/1115 , C04B35/26 , C04B35/447 , C04B35/46 , C04B35/462 , C04B35/4682 , C04B35/486 , C04B35/491 , C04B35/495 , C04B35/50 , C04B35/515 , C04B35/547 , C04B35/5626 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/62222 , C04B35/62655 , C04B35/62695 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C23C24/04 , Y10T428/268
摘要： 본 발명은 상온진공과립분사 공정을 위한 취성재료 과립 및 이를 이용한 코팅층의 형성방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 0.1 내지 6 ㎛ 크기의 미립자 분말이 과립화되어 상온진공과립분사 공정을 통해 코팅층을 형성할 수 있는 것을 특징으로 하는 취성재료 과립 및 이를 이용한 코팅층의 형성방법을 제공한다. 본 발명에 따른 취성재료 과립은 상온진공과립분사 공정을 통해 과립을 공급하며 연속적으로 코팅공정을 수행할 수 있고, 노즐을 통해 분사되는 과립의 질량이 상대적으로 큼에 따라 높은 운동에너지를 나타내어 낮은 가스 유량에서도 코팅층을 제조할 수 있으며, 성막 속도를 증가시킬 수 있어 세라믹 코팅층 제조에 유용하게 사용할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 코팅층 형성방법을 통해 10% 이하의 기공율을 나타내며, 균열이나 거대 기공 또는 층상구조와 같은 불균일성이 없는 균일한 미세구조를 가진 코팅층을 제조할 수 있다.

95. 发明公开

KR1020140035834A 적층 구조체, 반도체 제조 장치용 부재 및 적층 구조체의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：层叠结构，半导体制造装置用构件，以及层叠结构体的制造方法
公开(公告)号：KR1020140035834A
公开(公告)日：2014-03-24
申请号：KR1020130108390
申请日：2013-09-10
申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디
发明人： 진도아스미 , 이노우에가츠히로 , 가츠다유지
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6833 , B32B18/00 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/645 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3865 , C04B2235/3869 , C04B2235/72 , C04B2235/80 , C04B2235/9607 , C04B2237/366 , C04B2237/60 , H01J37/3222 , H01J37/32238 , H01J37/32477 , H01J37/3255 , H01J37/32715 , Y10T428/265
摘要： A laminated structure (10) of the present invention includes a first structure (12) having magnesium-aluminum oxynitride as a cast house, a second structure (14) having aluminium nitride as a case house and including an intergranular image of a rare-earth aluminium complex oxide having a garnet crystal structure, and a reaction layer (15) is which an aluminium nitride layer on which an intergranular image (18) of the rare-earth aluminium complex oxide and existing between the first structure (12) and the second structure (14). The reaction layer (15) of the laminated structure (10) is 150μm in thickness. In addition, A difference between linear thermal expansion coefficients of the first structure (12) and the second structure (14) is less than 0.3 ppm/K. In the laminated structure (10), when the second structure (14) is becoming plastic, the reaction layer (15) is formed by a spread interface (17) having the intergranular image (18) fading out as the intergranular image (18) spreads to the first structure (12).
摘要翻译：本发明的叠层结构体（10）具备：第一结构体（12），其具有作为铸造室的镁 - 铝氮氧化物;第二结构体（14），其具有氮化铝作为壳体，并且包括稀土元素的晶间图像具有石榴石晶体结构的铝复合氧化物和反应层（15）是其上存在稀土铝复合氧化物的晶间图像（18）并存在于第一结构（12）和第二结构结构（14）。叠层结构（10）的反应层（15）的厚度为150μm。此外，第一结构（12）和第二结构（14）的线性热膨胀系数之差小于0.3ppm / K。在叠层结构（10）中，当第二结构（14）变为塑性时，反应层（15）由具有作为晶间图像（18）渐变的晶间图像（18）的扩散界面（17）形成，传播到第一结构（12）。

96. 发明授权

KR101345044B1 내마모성 저마찰성 코팅 조성물, 코팅된 구성요소 및 그의 코팅 방법 有权
标题翻译：耐磨低摩擦涂料组合物，涂布组分及其涂料方法
公开(公告)号：KR101345044B1
公开(公告)日：2013-12-26
申请号：KR1020060132982
申请日：2006-12-22
申请人： 모멘티브 퍼포먼스 머티리얼즈 인크.
发明人： 마르샨도로버트 , 레이스트존
IPC分类号： C09D1/00 , C09D5/00 , C09D7/12
CPC分类号： C04B38/067 , B22F3/115 , B22F5/008 , B22F5/009 , B22F7/08 , B22F8/00 , B22F2009/001 , B22F2998/10 , C04B35/5607 , C04B35/5611 , C04B35/565 , C04B35/58 , C04B35/58042 , C04B35/5805 , C04B35/58064 , C04B35/58071 , C04B35/58078 , C04B35/581 , C04B35/583 , C04B35/632 , C22C1/05 , C22C1/051 , C22C29/14 , C22C29/16 , C22C32/0047 , C23C4/04 , C23C4/06 , C23C4/10 , C23C24/08 , Y02P10/24 , Y02W30/541 , C04B38/0054 , C04B38/065 , B22F9/04 , B22F1/0059 , B22F1/0096 , B22F1/0003 , B22F9/22 , B22F3/02 , B22F3/04 , B22F3/10 , B22F3/15 , B22F3/14 , B22F3/24
摘要： 슬라이딩또는롤링또는프레팅또는충격부재코팅조성물이, BN 및 TiB의비율이 1:7 내지 20:1인 TiB및 BN의복합분말, 및니켈, 크롬, 철, 코발트, 알루미늄, 텅스텐, 탄소및 이들의합금으로이루어진군중에서선택된금속성매트릭스를조제함으로써형성된다.

97. 发明公开

KR1020130126622A 정전척 有权
标题翻译：静电卡
公开(公告)号：KR1020130126622A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：KR1020137012717
申请日：2011-10-11
申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디
发明人： 아이카와겐이치로 , 와타나베모리미치 , 진도아스미 , 가츠다유지 , 사토요스케 , 이소다요시노리
IPC分类号： C04B35/581 , C04B35/04 , H01L21/3065 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/6833 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3865 , C04B2235/3869 , C04B2235/5445 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9669 , C23C14/3414
摘要： 정전척(1A∼1F)은, 반도체를 흡착하는 흡착면(11a)을 갖는 서셉터(11A∼11F)와, 이 서셉터내에 매설되어 있는 정전척 전극(4)을 구비한다. 서셉터가 판형 본체부(3)와, 흡착면에 면하는 표면 내식층(2)을 구비한다. 표면 내식층(2)이 마그네슘, 알루미늄, 산소 및 질소를 주성분으로 하는 세라믹스 재료로서, 산화마그네슘에 질화알루미늄이 고용된 MgO-AlN 고용체의 결정상을 주상으로 하는 세라믹스 재료로 이루어진다.
摘要翻译：根据本发明的陶瓷材料主要含有镁，铝，氧和氮，陶瓷材料具有其中氮化铝溶解在氧化镁中的MgO-AlN固溶体的结晶相，晶相作为主要相。优选地，对应于用CuKalpha辐射测量的MgO-AlN固溶体的（200）和（220）面的XRD峰分别出现在2θ= 42.9至44.8°和62.3至65.2°，XRD峰位于立方氧化镁和立方氮化铝的峰。更优选地，对应于（111）面的XRD峰出现在2θ= 36.9〜39°，XRD峰位于立方氧化镁的峰和立方氮化铝的峰之间。

98. 发明公开

KR1020130121664A 세라믹스 재료, 반도체 제조 장치용 부재, 스퍼터링 타겟 부재 및 세라믹스 재료의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：陶瓷材料，半导体制造装置会员，喷射目标成员及生产陶瓷材料的方法
公开(公告)号：KR1020130121664A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：KR1020127013650
申请日：2011-10-11
申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디
发明人： 와타나베모리미치 , 진도아스미 , 가츠다유지 , 사토요스케 , 이소다요시노리
IPC分类号： C04B35/581 , C04B35/04 , H01L21/31 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/6833 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3865 , C04B2235/3869 , C04B2235/5445 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9669 , C23C14/3414 , C04B35/04 , H01L21/3065 , H01L21/31
摘要： 본 발명의 세라믹스 재료는, 마그네슘, 알루미늄, 산소 및 질소를 주성분으로 하는 세라믹스 재료로서, 산화마그네슘에 질화알루미늄이 고용된 MgO-AlN 고용체의 결정상을 주상으로 하는 것이다. MgO-AlN 고용체는, CuKα선을 이용했을 때의 (200)면 및 (220)면의 XRD 피크가 산화마그네슘의 입방정의 피크와 질화알루미늄의 입방정의 피크 사이인 2θ=42.9˚∼44.8˚, 62.3˚∼65.2˚에 나타나는 것으로 하는 것이 바람직하고, (111)면의 XRD 피크가 산화마그네슘의 입방정의 피크와 질화알루미늄의 입방정의 피크 사이인 2θ=36.9˚∼39˚에 나타나는 것으로 하는 것이 바람직하다.

99. 发明公开

KR1020130074404A 붕소 제거를 위한 마그네슘-알루미늄 이금속산화물의 제조방법 无效
标题翻译：制备用于去除硼的MG-AL二元氧化物的方法
公开(公告)号：KR1020130074404A
公开(公告)日：2013-07-04
申请号：KR1020110142461
申请日：2011-12-26
申请人： 재단법인 포항산업과학연구원
发明人： 문정기 , 곽명화 , 윤영기
IPC分类号： C04B35/581 , C02F1/28 , C04B35/64
CPC分类号： C04B35/58 , C02F1/281 , C04B35/64 , C04B2235/3852
摘要： PURPOSE: A manufacturing method of magnesium-aluminum bimetallic oxide for removing boron is provided to use an optimal ratio of magnesium nitrate and aluminium nitrate, thereby synthesizing Mg-Al bimetallic oxide with high de-boronation efficiency. CONSTITUTION: A manufacturing method of magnesium-aluminum bimetallic oxide for removing boron comprises following steps. (i) The caustic soda is added in the mixture of aluminium nitrate and magnesium nitrate. The mixture is heated and dried. Precipitation is obtained. And (ii) the precipitate is baked. The molar ratio of the aluminium nitrate and magnesium nitrate is 2:1. The temperature of the baking step is 60 to 400°C. [Reference numerals] (AA) 0.1M Mg(NO3)2 + 0.05M AI(NO3)3 fluid; (BB) Heating at 45°C; (CC) Curing for two hours at 85°C; (DD) Centrifugation/ cleaning; (EE) Drying; (FF) Calcinating
摘要翻译：目的：提供用于除去硼的镁 - 铝双金属氧化物的制造方法，以使用硝酸镁和硝酸铝的最佳比例，从而合成具有高脱硼效率的Mg-Al双金属氧化物。构成：用于除去硼的镁 - 铝双金属氧化物的制造方法包括以下步骤。（i）将苛性钠加入到硝酸铝和硝酸镁的混合物中。将混合物加热并干燥。获得沉淀。和（ii）沉淀物被烘烤。硝酸铝和硝酸镁的摩尔比为2:1。烘烤步骤的温度为60〜400℃。（标号）（AA）0.1M Mg（NO 3）2 + 0.05M AI（NO 3）3流体; （BB）在45℃加热; （CC）在85℃下固化2小时; （DD）离心/清洗; （EE）干燥; （FF）煅烧

100. 发明公开

KR1020130071020A 열전도도가 우수한 지르코늄디보라이드-실리콘카바이드 복합소재의 제조방법 有权
标题翻译：具有高导热性的二氧化碳 - 碳化硅复合材料的制造方法和由该方法制造的二氧化硅 - 碳化硅复合材料
公开(公告)号：KR1020130071020A
公开(公告)日：2013-06-28
申请号：KR1020110138312
申请日：2011-12-20
申请人： 한국세라믹기술원
发明人： 김성원 , 이성민 , 김형태 , 김경자
IPC分类号： C04B35/58 , C04B35/565 , C04B35/645
CPC分类号： C04B35/58 , C04B35/565 , C04B35/645 , C04B2235/5454 , C04B2235/9607
摘要： PURPOSE: A manufacturing method of zirconium diboride-silicon carbide composite is provided to improve the contiguity and thermal conductivity of silicon carbide by suppressing the grain growth of zirconium diboride. CONSTITUTION: A manufacturing method of zirconium diboride-silicon carbide composite includes the following steps of: mixing zirconium diboride, nano-silicon carbide of the average diameter of 10-200nm, and a dispersing agent, and wet-pulverizing the mixture; drying the wet pulverized product; arranging the dried product in a high temperature and pressure sintering furnace, and heating to a sintering temperature of 1800 to 2200°C; and pressurizing and sintering the dried product at the sintering temperature. The average diameter of the nano-silicon carbide is 1/10 or less of the average diameter of the zirconium diboride in the mixing step. The zirconium diboride and the nano-silicon carbide are mixed at the ratio of 50-95 volume% : 5-50 volume%. 0.1-10 parts by weight of the dispersing agent per 100 parts by weight of the total content of the zirconium diboride and the nano-silicon carbide is mixed in the mixture. [Reference numerals] (AA) Thermal conductivity(W/mK); (BB) Measurement temperature(°C); (CC) Comparative example; (DD) Example 2; (EE) Example 1
摘要翻译：目的：提供二硼化锆 - 碳化硅复合材料的制造方法，以通过抑制二硼化锆的晶粒生长来改善碳化硅的邻接性和导热性。构成：二硼化锆 - 碳化硅复合锆的制造方法包括：将二硼化锆，平均直径为10-200nm的纳米碳化硅和分散剂混合，并将混合物湿式粉碎; 干燥湿粉碎产品; 将干燥产物置于高温高压烧结炉中，加热至1800〜2200℃的烧结温度; 并在烧结温度下加压和烧结干燥的产品。在混合步骤中，纳米碳化硅的平均直径为二硼化锆的平均直径的1/10以下。二硼化锆和纳米碳化硅以50-95体积％：5-50体积％的比例混合。相对于100重量份的二硼化锆和纳米碳化硅的总量，分散剂0.1-10重量份混合在混合物中。（标号）（AA）导热系数（W / mK）; （BB）测量温度（℃）; （CC）比较例; （DD）实施例2; （EE）实施例1

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