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1. 发明专利

JP2019168558A マスクブランクスおよびフォトマスク、その製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019168558A
公开(公告)日：2019-10-03
申请号：JP2018055312
申请日：2018-03-22
申请人：アルバック成膜株式会社
发明人：諸沢成浩 , 江成雄一 , 浅見智史
IPC分类号： G03F1/40
摘要：【課題】静電破壊と裾引き発生を防止する。【解決手段】透明基板2と、透明基板の表面に形成されたクロムを主成分とする遮光層3Bと、遮光層に比べて酸素を多く含有する反射防止層5Bと、反射防止層および遮光層に比べて炭素を多く含有する中間層4Bと、を有するマスクブランクス1において、シート抵抗が10Ω/sqより小さく設定される。【選択図】図1

2. 发明专利

JPWO2018135467A1 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2018135467A1
公开(公告)日：2019-01-31
申请号：JP2018000959
申请日：2018-01-16
申请人： HOYA株式会社
发明人：池邊洋平 , 笑喜勉
IPC分类号： G03F1/32 , G03F1/40 , G03F1/50 , G03F1/52 , G03F7/20 , G03F1/24
摘要： EUVリソグラフィーのシャドーイング効果を低減し、微細なパターンを形成することが可能な反射型マスクブランク及び反射型マスクを提供する。このことにより安定して高い転写精度で半導体装置を製造する。基板上に、多層反射膜及びEUV光の位相をシフトさせる位相シフト膜をこの順で有する反射型マスクブランクであって、前記位相シフト膜は、単層膜又は2層以上の多層膜からなり、タンタル(Ta)及びチタン(Ti)を含む材料からなる反射型マスクブランクとする。

3. 发明专利

JP2018136504A マスクブランクス及びフォトマスク审中-公开
公开(公告)号：JP2018136504A
公开(公告)日：2018-08-30
申请号：JP2017032442
申请日：2017-02-23
申请人：アルバック成膜株式会社
发明人：小島智明 , 磯博幸 , 中尾祥一郎 , 長谷川哲也
IPC分类号： G03F1/40
摘要：【課題】フォトマスクに求められる露光波長域(365nm〜436nm)において高い透過率を備え、かつ、優れた耐薬品性も有する、マスクブランクスを提供する。【解決手段】本発明は、透明基板1(S)と、前記透明基板の一方の主面上に、導電層4、遮光層5、フォトレジスト層6Rが順に、重ねて配されてなるマスクブランクス10であって、前記導電層は、チタンと酸素に加えて、第三元素として、Nb、Ta、Mo、As、Sb、Al、Hf、Si、Ge、Zr、W、Co、Fe、Cr、Sn、Ni、V、Mn、Tc、Re、P及びBiからなる群から選択される1又は2以上の元素を含む透明導電膜である。【選択図】図2

4. 发明专利

JP2018106183A EUVリソグラフィ用反射型マスクブランク、および、EUVリソグラフィ用反射型マスク审中-公开
公开(公告)号：JP2018106183A
公开(公告)日：2018-07-05
申请号：JP2018019920
申请日：2018-02-07
申请人：旭硝子株式会社
发明人：林和幸
IPC分类号： G03F1/40 , G03F1/24
摘要：【課題】波長400〜800nmの光線透過率が高く、かつ、シート抵抗値が低い、裏面導電膜が形成されたEUVマスクブランクおよびEUVマスクを提供する。【解決手段】基板1の一方の面側にEUV光を反射する反射層2と、EUV光を吸収する吸収層3と、がこの順に形成され、該基板の他方の面側に導電膜4が形成されたEUVリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、導電膜が、クロム(Cr)と、窒素(N)と、を含有し、導電膜におけるCrの含有率が58at%以上99at%以下であり、Nの含有率が1at%以上42at%以下であり、導電膜のシート抵抗値が250Ω/□以下であり、導電膜におけるNの含有率をC(at%)、導電膜の膜厚をt(nm)とするとき、下記式(1)を満たし、導電膜は、波長400〜800nmの光線透過率が10%以上である。0.15C+1.68≦t≦0.31C+11.13(1) 【選択図】図1

5. 发明专利

JP6297321B2 機能膜付き基板の製造方法、多層膜付き基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び転写用マスクの製造方法有权
公开(公告)号：JP6297321B2
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：JP2013253881
申请日：2013-12-09
申请人： HOYA株式会社
发明人：折原敏彦 , 笑喜勉
IPC分类号： C23G1/00 , G03F1/40 , G03F1/68

6. 发明专利

JP2018017968A フォトマスクブランク审中-公开
公开(公告)号：JP2018017968A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：JP2016149512
申请日：2016-07-29
申请人：凸版印刷株式会社
发明人：根岸佳之
IPC分类号： G03F1/24 , G03F1/50 , G03F1/40
摘要：【課題】低感度のレジストを使用しても、描画時のスループットを低下させることなくLERを改善し、導電膜とレジストのミキシングを防止することによって導電膜によるレジストチャージ対策を可能とするフォトマスクブランクを提供する。【解決手段】基板上に遮光膜を備える透過型フォトマスクブランク、若しくは多層反射膜と光を吸収する吸収膜とをこの順に備える反射型フォトマスクブランクであって、前記遮光膜、若しくは吸収膜上にレジスト層が形成され、前記レジスト層上にレジストトップコート層を備え、前記レジストトップコート層は、原子量45以上の元素を1〜50重量%含む樹脂組成物であり、前記レジストトップコート層の膜厚は10〜5000Åであるフォトマスクブランクとする。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2015114356A 機能膜付き基板の製造方法、多層膜付き基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び転写用マスクの製造方法有权
标题翻译：具有功能膜的基板的制造方法，具有多层膜的基板的制造方法，掩模的制造方法以及用于传送的掩模的制造方法
公开(公告)号：JP2015114356A
公开(公告)日：2015-06-22
申请号：JP2013253881
申请日：2013-12-09
申请人： HOYA株式会社
发明人：折原敏彦 , 笑喜勉
IPC分类号： H01L21/027 , C23G1/00 , G03F1/40 , G03F1/68
摘要：【課題】低欠陥で高平滑な機能膜付き基板を製造することができる機能膜付き基板の製造方法、多層膜付き基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び転写用マスクの製造方法を提供する。【解決手段】表層が酸素を含む酸化物材料からなる機能膜が基板上に形成された機能膜付き基板に対して、触媒物質の加工基準面を前記主表面に接触又は接近させ、前記主表面と前記加工基準面とを相対運動させることにより前記主表面を触媒基準エッチングする工程と、前記機能膜の表面に付着した触媒物質の材料からなる異物を、洗浄媒質を利用して前記機能膜の表面から除去する洗浄工程とを有し、前記洗浄媒質による前記触媒を溶解又は除去する速度は、前記洗浄媒質による前記機能膜の表層を溶解又は除去する速度よりも速くする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有功能膜的基板的制造方法，其能够制造具有减少缺陷的具有高度平滑的功能膜的基板; 具有多层膜的基板的制造方法; 掩模板的制造方法; 以及转印用掩模的制造方法。该方法包括：使催化剂物质的处理基准面与具有包含氧化物材料的表面层的功能膜的基板的主面接触或接近的步骤所述催化剂通过主表面和处理参考平面的相对运动来蚀刻主表面; 以及使用洗涤介质从表面除去沉积在功能膜表面上的异物的洗涤步骤。通过洗涤介质溶解或除去催化剂的速度比通过洗涤介质溶解或去除功能膜表面层的速度快。

8. 发明专利

JP2015025944A バイナリーマスク及びその製造方法审中-公开
标题翻译：二进制掩模及其制造方法
公开(公告)号：JP2015025944A
公开(公告)日：2015-02-05
申请号：JP2013155363
申请日：2013-07-26
申请人：凸版印刷株式会社 , Toppan Printing Co Ltd
发明人： TANAKA TAKESHI , FUJIKAKE RYOSUKE
IPC分类号： G03F1/40 , G06F3/041 , H01L21/027
摘要：【課題】バイナリーマスクの静電気によるパターン破壊を簡易に且つ確実に防止する遮光パターン構成とその製造方法を提供すること。【解決手段】フォトリソ法を用いて、透明基板上に遮光性金属からなるタッチセンサー用電極を形成する際に使用するバイナリーマスク1であって、開口部3を透過する露光光の照射でネガ型感光性レジストが解像する解像限界以上の線幅を有する開口部3と、前記開口部3の中に、遮光部2同士を連結する解像限界以下の線幅を有する第二の遮光部4と、を備えたことを特徴とするバイナリーマスク1である。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够容易且可靠地防止二进制掩模的静电图案破坏的遮光图案构造及其制造方法。解决方案：当形成触摸传感器电极时使用二进制掩模1 使用光刻法在透明基板上由遮光金属制成。二进制掩模1包括具有比通过曝光通过开口3的曝光光的照射通过负型光敏抗蚀剂分辨的分辨率极限宽的线宽的开口3; 以及在开口3中具有比连接各遮光部2的分辨率极限窄的线宽的第二遮光部4。

9. 发明专利

JP2014134667A Substrate for photomask and photomask 有权
标题翻译：照片和照片
公开(公告)号：JP2014134667A
公开(公告)日：2014-07-24
申请号：JP2013002570
申请日：2013-01-10
申请人： Nikon Corp , 株式会社ニコン
发明人： TAKARADA YOHEI , AZUMI MINAKO
IPC分类号： G03F1/40
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photomask which suppresses occurrence of inconvenience due to electrostatic breakdown and enables exposure of a high-definition pattern.SOLUTION: A substrate 2 for photomasks has a glass substrate 3, and a transparent conductive film 5 is formed on the light-shielding film formed surface 3a of the glass substrate 3 through an anti-reflection film 4. The substrate 2 has a transmissivity of i-rays of 90% or higher. The configuration prevents electrostatic breakdown of a substrate 2 for photomasks owing to the conductivity of the substrate 2 for photomasks even when a light-shielding pattern is isolated physically. Since the transmissivity of i-rays is 90% or higher due to intervention of the anti-reflection film 4 between the glass substrate 3 and the transparent conductive film 5, the substrate 2 for photomasks is usable in exposure to i-rays in using a photomask in a photolithographic process.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种光掩模，其抑制由静电破坏引起的不便的发生，并且能够暴露高清晰度图案。解决方案：光掩模用基板2具有玻璃基板3，透明导电膜5形成在通过防反射膜4形成玻璃基板3的遮光膜形成面3a。基板2具有90％以上的i射线透过率。即使在物理隔离遮光图案的情况下，由于用于光掩模的基板2的导电性，该构造防止了用于光掩模的基板2的静电击穿。由于由于玻璃基板3和透明导电膜5之间的防反射膜4的干预，i射线的透射率为90％以上，所以光掩模用基板2可以在使用光掩模在光刻工艺中。

10. 发明专利

JP5393972B2 Method of manufacturing a mask blank and a transfer mask 有权
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP5393972B2
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：JP2007287272
申请日：2007-11-05
申请人： Hoya株式会社
发明人：淳志小湊 , 寿幸鈴木 , 靖大久保
IPC分类号： G03F1/40 , G03F1/50 , G03F1/54
CPC分类号： H01J37/3174 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/32 , G03F1/78 , Y10S430/143

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