专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2016142892A レジストパターン処理方法、及びそれを用いるフォトマスクの製造方法、並びにフォトマスク审中-公开
标题翻译：电阻图案的处理方法，使用其的光电子产品的制造方法和光电子
公开(公告)号：JP2016142892A
公开(公告)日：2016-08-08
申请号：JP2015018268
申请日：2015-02-02
申请人：凸版印刷株式会社
发明人：根岸佳之
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/40 , G03F1/82
摘要：【課題】微細パターンの作製において、レジストパターン側面の荒れ(Line Edge Roughness)によりパターンの寸法均一性が悪化する。このため、レジストパターンにダメージを与えることなく、荒れを改善する必要がある。【解決手段】基板上に形成されたレジストパターン表面に光吸収材料を塗布し、300nm以上の波長を含む光を照射することにより、レジストパターン表面を加熱し平滑化する。好ましくは前記光吸収材料は、波長400〜500nmの光に対する消衰係数が0.01以上、2.0以下であるものとする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了改善粗糙度（线边缘粗糙度）而不损害抗蚀剂图案，从而解决了在生产过程中抗蚀剂图案侧面的粗糙度（线边缘粗糙度）降低的尺寸均匀性的问题精细图案。解决方案：将光吸收材料施加在形成在基板上的抗蚀剂图案的表面上，并用波长为300nm或更大的光照射以使抗蚀剂图案表面加热和平滑化。光吸收材料优选为波长为400〜500nm的光的消光系数为0.01以上且2.0以下的材料。选择图1：

2. 发明专利

JP2018025716A 反射型露光用マスク及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018025716A
公开(公告)日：2018-02-15
申请号：JP2016158778
申请日：2016-08-12
申请人：凸版印刷株式会社
发明人：小寺豊 , 米谷匡司 , 福上典仁 , 根岸佳之
IPC分类号： G03F1/24
摘要：【課題】反射型露光用マスクの、半導体基板で多重露光されるチップの境界領域に対応する領域からの不要な反射光の発生を抑制する。【解決手段】基板11と、基板11の一方の面に、多層反射膜12と、保護膜13と、露光光を吸収する吸収膜14とがこの順に積層された積層構造と、基板11の他方の面に形成された導電膜15と、を備えた反射型露光用マスク100において、吸収膜14に形成された回路パターン部16と、回路パターン部16を囲むように形成された溝状の遮光枠部17と、を備え、遮光枠部17の溝部底面に、露光に伴う入射光に対する反射率が回路パターン部16における反射率よりも小さい回折格子構造18を形成する。【選択図】図3

3. 发明专利

JP2021044187A 非水電解質二次電池用の負極及びその製造方法、並びに非水電解質二次電池审中-公开
公开(公告)号：JP2021044187A
公开(公告)日：2021-03-18
申请号：JP2019166605
申请日：2019-09-12
申请人：凸版印刷株式会社
发明人：根岸佳之
IPC分类号： H01M4/134 , H01M4/133 , H01M4/62 , H01M4/36 , H01M4/139 , H01M4/38 , H01M4/48 , H01M4/587 , H01M4/13
摘要：【課題】サイクル特性に優れ、且つ集電体と負極合剤層との接着性に優れた非水電解質二次電池用の負極及びその製造方法、並びに非水電解質二次電池を提供する。【解決手段】本実施形態に係る非水電解質二次電池用の負極は、集電体4と、集電体4上に形成され、負極活物質3と、ポリアクリル酸を含むバインダ1とを有する負極合剤層9と、を備え、ポリアクリル酸は、少なくともその一部が無水化された酸無水物を含み、その酸無水物の含有量は、負極合剤層9の表面側から集電体4側に向かって減少している。【選択図】図1

4. 发明专利

JP2018088482A フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018088482A
公开(公告)日：2018-06-07
申请号：JP2016231050
申请日：2016-11-29
申请人：凸版印刷株式会社
发明人：根岸佳之 , 合田歩美
IPC分类号： G03F7/20 , G03F1/78 , G03F1/82 , H01L21/027
摘要：【課題】荷電粒子線などのエネルギー線を用いるリソグラフィのスループットを向上する。【解決手段】基板上に形成したレジスト膜の上に、密度が4.9[g/cm 3 ]以上である上層膜を形成し、前記上層膜を介してエネルギー線を照射することで効率的に2次電子を発生させることができ、レジスト膜に高いエネルギーを蓄積させることができるため、電流量やレジスト種類、基板の種類を変更せず、多品種小ロットの製造にも適応可能でスループットを向上することができる。【選択図】図2

5. 发明专利

JP2018081173A 上層膜、マスクブランクスおよび半導体用マスクの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018081173A
公开(公告)日：2018-05-24
申请号：JP2016222458
申请日：2016-11-15
申请人：凸版印刷株式会社
发明人：合田歩美 , 根岸佳之
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027 , G03F1/20
摘要：【課題】電子線などの荷電粒子線を含むエネルギー線を用いるリソグラフィ工程において、ドーズ量、レジストの種類、基板の種類、を変更せずにスループットを向上することができ、且つ多品種小ロットの製造にも適応可能なレジスト上層膜の組成物およびそのレジスト上層膜を用いた半導体用マスクの製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】リソグラフィ工程で使用するレジスト層3の上に形成した上層膜4であって、原子番号が11より大きい元素と、樹脂と、を含有していることを特徴とする上層膜。【選択図】図1

6. 发明专利

JP2016001678A 反射型マスク及びその製造方法並びに反射型マスクブランク审中-公开
标题翻译：反光掩模，其制造方法和反射掩模
公开(公告)号：JP2016001678A
公开(公告)日：2016-01-07
申请号：JP2014121264
申请日：2014-06-12
申请人：凸版印刷株式会社
发明人：根岸佳之
IPC分类号： G03F1/24 , H01L21/027
摘要：【課題】基板と、前記基板表面に形成された多層反射層と、前記多層反射層の上に形成された保護層と、前記保護層の上に形成された回路パターンを有する吸収層を具備し、前記基板の裏面の少なくとも一部に、樹脂若しくは金属膜、またはその両方よりなる裏面膜を具備する反射型マスクにおいて、マスクと静電チャックの間の異物によるマスクの平坦度の悪化を低減する反射型マスクを提供する。【解決手段】前記裏面膜に加工された穴、もしくは凹部を有することを特徴とする。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种反射掩模，其包括具有基板的吸收体层，形成在基板的表面上的多层反射层，形成在多层反射层上的保护层和形成在保护层上的电路图案，并且其中由树脂和金属膜形成的树脂，金属膜或后表面膜包括在基板的背面的至少一部分中，并且减少了掩模的平坦度的劣化涉及掩模和静电卡盘之间的异物。解决方案：反射掩模包括设置在后表面膜上的孔或凹部。

7. 发明专利

JP2021163637A スラリー审中-公开
公开(公告)号：JP2021163637A
公开(公告)日：2021-10-11
申请号：JP2020064280
申请日：2020-03-31
申请人：凸版印刷株式会社
发明人：根岸佳之 , 木島匡彦
IPC分类号： H01M4/38 , H01M4/62 , H01M4/36 , H01M4/1395
摘要：【課題】非水電解質二次電池用の負極を形成するための塗工液に含まれる活物質にSi系粒子を用い、且つ水等の極性溶媒を用いた場合であっても、水素の発生量を低減し、且つその塗工液中におけるSi系粒子の分散安定性を向上させることが可能な非水電解質二次電池用の負極を形成するためのスラリーを提供する。【解決手段】本発明の一態様に係るスラリーは、非水電解質二次電池用の負極を形成するためのスラリーであって、極性溶媒と、活物質であるSi系合金粒子と、バインダ兼分散剤である、ポリアクリル酸またはカルボキシメチルセルロースと、を含み、極性溶媒の含有量は、スラリー全体の質量に対して40質量%以上であり、Si系合金粒子は、その比表面積が20m 2 /g以上であり、スラリーのpHは、4以上7以下の範囲内である。【選択図】なし

8. 发明专利

JP2018017968A フォトマスクブランク审中-公开
公开(公告)号：JP2018017968A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：JP2016149512
申请日：2016-07-29
申请人：凸版印刷株式会社
发明人：根岸佳之
IPC分类号： G03F1/24 , G03F1/50 , G03F1/40
摘要：【課題】低感度のレジストを使用しても、描画時のスループットを低下させることなくLERを改善し、導電膜とレジストのミキシングを防止することによって導電膜によるレジストチャージ対策を可能とするフォトマスクブランクを提供する。【解決手段】基板上に遮光膜を備える透過型フォトマスクブランク、若しくは多層反射膜と光を吸収する吸収膜とをこの順に備える反射型フォトマスクブランクであって、前記遮光膜、若しくは吸収膜上にレジスト層が形成され、前記レジスト層上にレジストトップコート層を備え、前記レジストトップコート層は、原子量45以上の元素を1〜50重量%含む樹脂組成物であり、前記レジストトップコート層の膜厚は10〜5000Åであるフォトマスクブランクとする。【選択図】図1

9. 发明专利

JP2018004942A フォトマスクの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018004942A
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：JP2016131609
申请日：2016-07-01
申请人：凸版印刷株式会社
发明人：根岸佳之
IPC分类号： G03F7/20 , G03F7/40 , G03F7/038 , G03F1/54
摘要：【課題】レジストパターン表面を平滑化しLERを小さくすることで、寸法均一性が改善されるフォトマスクの製造方法を提供すること。【解決手段】1)遮光膜上にネガ型化学増幅レジストを塗布する工程、2)ネガ型化学増幅レジストに対して、線幅100〜2000nmのライン&スペースを含むパターンを電子線により描画する工程、3)ネガ型化学増幅レジストを現像処理してレジストパターンを形成する工程、4)レジストパターンを形成した遮光膜上に、波長400〜500nmの光に対する消衰係数が0.015〜2.0の光吸収材料からなる層を形成する工程、5)光吸収材料からなる層に300nm以下の波長をカットした光を照射する工程、6)光吸収材料からなる層を除去する工程、7)レジストパターンをエッチングマスクとして、遮光膜をエッチングする工程、以上の工程を具備するフォトマスクの製造方法とする。【選択図】図5

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式