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1. 发明专利

JP2016538226A 単結晶成長装置有权
标题翻译：单晶生长装置
公开(公告)号：JP2016538226A
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：JP2016534893
申请日：2014-11-19
申请人：エルジー・シルトロン・インコーポレーテッド
发明人：バン，イン・シク , キム，チェル・ファン
IPC分类号： C30B29/20 , C30B15/20 , C30B17/00
CPC分类号： C30B17/00 , C30B15/20 , C30B29/20
摘要：実施例は、チャンバー、前記チャンバーの内部に設けられ、単結晶成長原料である溶融液を収容するるつぼ、前記るつぼの上端に配置されるるつぼスクリーン、及び前記るつぼスクリーンを上昇または下降させる移送手段を含み、前記るつぼスクリーンと前記第1上側断熱部を上昇することで行程距離を調節することができ、行程距離不足に起因するリフトオフ工程の不可能、及び単結晶のクラック発生を防止することができる。【選択図】図1
摘要翻译：实施例室，所述腔室的内部，用于容纳单晶生长材料的熔化物的坩埚，所述坩埚屏幕被设置在所述坩埚的上端，以及一个传送装置，用于升高或降低坩埚屏幕其中，由坩埚屏幕行程距离上升第一上部隔热部可调节，所以能够防止由行程距离不足可能剥离工艺，和单晶的破裂。点域1

2. 发明专利

JP2013542169A Sapphire ingot growth system 审中-公开
公开(公告)号：JP2013542169A
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：JP2013538638
申请日：2011-11-09
申请人：エルジーシルトロンインコーポレイテッド
发明人：イ、サンフン , イ、ジェフン , キム、スユル , オ、ヒュンジュン
IPC分类号： C30B29/20 , C30B15/16 , C30B17/00
CPC分类号： C30B15/14 , C30B29/20 , Y10T117/1068
摘要： Provided is a sapphire ingot grower. The sapphire ingot grower includes a chamber, a crucible disposed in the chamber to contain alumina melt, a heater disposed outside the crucible to heat the crucible, and a heat supply unit disposed over an ingot growing within the crucible to apply heat to the ingot.

3. 发明专利

JP2013112553A METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL AND APPARATUS FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL 审中-公开
标题翻译：用于生产SiC单晶的方法和用于生产SiC单晶的装置
公开(公告)号：JP2013112553A
公开(公告)日：2013-06-10
申请号：JP2011259170
申请日：2011-11-28
申请人： Nippon Steel & Sumitomo Metal Corp , 新日鐵住金株式会社 , Toyota Motor Corp , トヨタ自動車株式会社
发明人： YASHIRO MASANARI , KAMEI KAZUTO , KUSUNOKI KAZUHIKO , OKADA NOBUHIRO , MORIGUCHI KOJI , OGURO HIRONORI , KAWATARI MIKINAO , SAKAMOTO HIDEMITSU
IPC分类号： C30B29/36 , C30B17/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a SiC single crystal, facilitating inhibition of crystallization of a SiC polycrystal on a crystal growth surface of a SiC seed crystal.SOLUTION: The method comprises: a preparation step of preparing an apparatus 10 for producing a SiC single crystal, the apparatus including a crucible 14 for housing a raw material of a SiC solution 16 and a seed shaft 30 having a lower end face 34 on which a SiC seed crystal 36 is mounted; a mounting step of mounting the SiC seed crystal 36 on the lower end face 34 in such a manner that in an axial view of the seed shaft 30, the seed shaft 30 is positioned inside the peripheral edge of the SiC seed crystal 36; a production step of producing a SiC solution 16 by heating the crucible 14; an immersion step of immersing the lower end of the seed shaft 30 in the SiC solution 16 to immerse the SiC seed crystal 36 in the SiC solution 16; and a growth step of growing a SiC single crystal on the crystal growth surface 38 of the SiC seed crystal 36.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造SiC单晶的方法，有助于抑制SiC多晶体在SiC晶种的晶体生长表面上的结晶。解决方案：该方法包括：制备用于制备SiC单晶的装置10的制备步骤，该装置包括用于容纳SiC溶液16的原料的坩埚14和具有下端面的种子轴30 34，其上安装有SiC晶种36; 将SiC晶种36安装在下端面34上的安装步骤使得在种子轴30的轴向视图中，种子轴30位于SiC晶种36的周边边缘的内侧; 通过加热坩埚14制造SiC溶液16的制造步骤; 将种子轴30的下端浸入SiC溶液16中以将SiC晶种36浸入SiC溶液16中的浸渍步骤; 以及在SiC晶种36的晶体生长表面38上生长SiC单晶的生长步骤。（C）2013，JPO和INPIT

4. 发明专利

JP2012041200A Crystal growth method 审中-公开
标题翻译：水晶生长方法
公开(公告)号：JP2012041200A
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：JP2010181029
申请日：2010-08-12
申请人： Nippon Telegr & Teleph Corp , 日本電信電話株式会社
发明人： SASAURA MASAHIRO , KAWAMURA MUNENORI , IMAI TADAYUKI , YAGI IKUTAKE
IPC分类号： C30B15/02 , C30B11/06 , C30B17/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a crystal growth method producible of a highly uniform single crystal by preventing a compositional change otherwise occurring during the progress of crystal growth.SOLUTION: A raw material rod 21 of the composition identical with that of a crystal 19 to be grown is brought into contact with the surface of a raw material melt 18 in a crucible 11 placed in a furnace to keep the state of thermal contact between the raw material rod 21 and the raw material melt 18. A supplementary raw material is fed from the raw material rod 21 to the raw material melt 18 at an hourly feed rate equal to the hourly growth amount of the crystal 19 to be grown. The raw material rod 21 is an aggregate of crystal grains of adjusted grain sizes, provided that the grain sizes of the crystal grains are determined so that the crystal grains are molten before they reach the crystal 19 to be grown through the convection of the raw material melt from the raw material rod 21 to the crystal 19 to be grown.
摘要翻译：待解决的问题：通过防止在晶体生长过程中另外发生的组成变化来提供可生产高度均匀单晶的晶体生长方法。解决方案：将与待生长的晶体19相同的组成物的原料棒21与放置在炉中的坩埚11中的原料熔体18的表面接触以保持热状态原料棒21与原料熔料18之间的接触。辅助原材料以原料棒21的原料料料18以等于待生长的晶体19的小时生长量的小时进料速率进料。原料棒21是调整晶粒尺寸的晶粒的聚集体，条件是确定晶粒的晶粒尺寸，使得晶粒在它们到达晶体19之前熔化，以通过原料的对流生长从原料棒21熔融成晶体19以生长。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

5. 发明专利

JP4761706B2 A method for manufacturing a photoelectric conversion device 有权
公开(公告)号：JP4761706B2
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：JP2003431594
申请日：2003-12-25
申请人：京セラ株式会社
发明人：繁後藤 , 浩一郎新楽
IPC分类号： H01L31/04 , C30B9/00 , C30B11/00 , C30B17/00 , C30B21/02 , C30B28/06 , H01L31/036 , H01L31/042 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/186 , Y02E10/50 , Y02P70/521

6. 发明专利

JP4736401B2 Method of producing a silicon carbide single crystal 有权
公开(公告)号：JP4736401B2
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：JP2004319136
申请日：2004-11-02
申请人：住友金属工業株式会社
发明人：一人亀井 , 一彦楠 , 将斉矢代
IPC分类号： C30B29/36 , C30B17/00
CPC分类号： C30B29/36 , C30B17/00

7. 发明专利

JP4353893B2 Method for producing a radiation detector and a radiation detector 有权
公开(公告)号：JP4353893B2
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：JP2004512175
申请日：2003-06-10
申请人：イーヴィ・プロダクツ・インコーポレイテッドEv Products, Inc.
发明人：クサバセレス , ケルヴィンジーリン
IPC分类号： G01T1/24 , C01B19/00 , C22C18/00 , C22C20/00 , C22C28/00 , C30B9/00 , C30B11/00 , C30B17/00 , C30B28/06 , C30B29/48 , H01L31/0296 , H01L31/09 , H01L31/103 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02966 , C30B11/00 , C30B29/48 , H01L21/02562 , H01L21/0257 , H01L21/02576 , H01L21/02625 , H01L31/0296 , H01L31/085 , H01L31/1032 , H01L31/1832
摘要： A method of forming a radiation detector compound comprising: (a) providing a mixture of Cd, Zn and Te; (b) heating the mixture to a liquid state; (c) adding to the liquid mixture a first dopant that adds shallow level donors (electrons) to the top of an energy band gap of said mixture when it is solidified; (d) adding to the liquid mixture a second dopant that adds deep level donors and/or acceptors to the middle of said band gap of said mixture when it is solidified; and (e) solidifying said mixture including said first and second dopants to form the compound.

8. 发明专利

JP2008050240A Method for producing cesium boric acid compound crystal and cesium boric acid compound obtained by the same 审中-公开
标题翻译：生产由其获得的酸式硼酸酯化合物和酸式硼酸酯化合物的方法
公开(公告)号：JP2008050240A
公开(公告)日：2008-03-06
申请号：JP2006231389
申请日：2006-08-28
申请人： Osaka Univ , 国立大学法人大阪大学
发明人： YOSHIMURA MASASHI , MORI YUSUKE , SASAKI TAKATOMO , HISAMINATO NAOTO , NAGATSUYU IORI
IPC分类号： C30B29/22 , C30B17/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a cesium boric acid compound crystal which can remove a light-scattering source and which is useful as a laser element without generating new fluorescence by the irradiation of ultraviolet light. SOLUTION: The cesium boric acid compound crystal is produced by preparing a raw material crystal having light-scattering source in the raw material crystal and Cs resource for supplying a Cs component in an atmosphere and heating the raw material crystal under the atmosphere including Cs component. The Cs resource includes the Cs component, the ratio (mol%) of the Cs component is set greater than the ratio (mol%) of the Cs component in the raw material composition for growing the raw material crystal, and the heating temperature in a heat treatment process is a temperature in which Cs vaporizes from the Cs resource and a temperature lower than that at which a weight decrease in the cesium boric acid compound crystal is generated. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：解决的问题：提供一种可以除去光散射源并可用作激光元件的铯硼酸化合物晶体的方法，而不会通过紫外线的照射产生新的荧光。解决方案：硼酸铯化合物晶体是通过在原料晶体中制备具有光散射源的原料晶体和用于在大气中供给Cs成分的Cs资源，并在气氛下加热原料晶体而制备的，包括 Cs组分。 Cs原料包含Cs成分，Cs成分的比率（mol％）设定为大于原料晶体生长用原料组合物中的Cs成分的比（mol％），加热温度热处理工序是Cs从Cs原料气化而产生的温度低于生成铯硼酸化合物晶体的重量减少的温度。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2007532763A Method and compound for nonlinear optics 审中-公开
公开(公告)号：JP2007532763A
公开(公告)日：2007-11-15
申请号：JP2007508547
申请日：2005-04-14
申请人：ステートオブオレゴンアクティングバイアンドスルーザステートボードオブハイヤーエデュケーションオンビハーフオブオレゴンステートユニバーシティ , ディープフォトニクスコーポレーション
发明人：アレケル、テオドレ , イェ、ニン , ケスラー、ダグラス、エー
IPC分类号： C09K11/80 , C09K11/06 , C09K11/08 , C30B17/00 , C30B29/10 , C30B29/22 , G02F1/355
CPC分类号： G02F1/3551 , C09K11/7712 , C30B9/00 , C30B17/00 , C30B29/10 , C30B29/22
摘要：非線形光学のための３５０ｎｍ以下での使用のための化合物。化合物は非線形光学のためのＡ
ｘＭ
（１−ｘ）Ａｌ
３Ｂ
４Ｏ
１２から構成される物質を含む。 xは０以上０．１以下である。 Aはスカンジウム、イットリウム、ランタン、イッテルビウム、ルテチウムから成るグループから選択される。 Mはスカンジウム、イットリウム、ランタン、イッテルビウム、ルテチウムから成るグループから選択される。化合物中のモリブデンから生じる不純物は１０００ｐｐｍ以下である。

10. 发明专利

JP2007126335A Manufacturing facility for manufacturing silicon carbide single crystal by means of solution method 审中-公开
标题翻译：通过解决方法制造单晶碳化硅的制造设备
公开(公告)号：JP2007126335A
公开(公告)日：2007-05-24
申请号：JP2005321260
申请日：2005-11-04
申请人： Toyota Motor Corp , トヨタ自動車株式会社
发明人： TERAJIMA YUKIO , SAKAMOTO HIDEMITSU
IPC分类号： C30B29/36 , C30B9/00 , C30B17/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing facility for manufacturing a silicon carbide single crystal which inhibits the production of a silicon carbide polycrystal in a method for manufacturing silicon carbide single crystal by means of a solution method.
SOLUTION: The manufacturing facility 10 for manufacturing silicon carbide single crystal by means of the solution method comprises a crucible 2 for holding a solution containing silicon and carbon, a heating device 3 for heating the crucible, and a seed crystal holding part 6 for holding a seed crystal 5, wherein, during at least manufacturing the silicon carbide single crystal, a part 2a which is brought into contact with the liquid level of the solution of an internal surface of the crucible has a degree of surface roughness Ra of ≤2.0 μm.
COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

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