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1. 发明专利

JP2018512495A コア／シェルナノプレートレット膜及びそれを用いた表示装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018512495A
公开(公告)日：2018-05-17
申请号：JP2018500862
申请日：2016-03-25
申请人：ネクスドット
发明人：ヒュークリン,ハドリアン , ナダル,ブライス , グラゾン,クロエ , マーラー,ブノワ , ルイリエ,エマニュエル
IPC分类号： C09K11/08 , B82Y20/00 , C09K11/02 , G02F1/13357 , H01L33/50
CPC分类号： G02F1/133603 , C09K11/02 , C09K11/565 , C09K11/883 , G02F1/133606 , G02F2001/133614 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02562 , H01L21/02565 , H01L21/02601 , H01L21/02628
摘要：本発明は、その構成要素のそれぞれが、第1半導体材料を含むナノプレートレットコアと、ナノプレートレットコアの表面に第2半導体材材料を含むシェルとを備える、蛍光コロイド状ナノプレートレットの集合体であって、100℃における蛍光量子効率が、20℃における集合体の蛍光量子効率の少なくとも80%である、集合体に関する。本発明は、当該ナノプレートレットの集合体を含むナノプレートレット膜、当該ナノプレートレット膜を含むバックライト付きユニット、及び当該バックライト付きユニットを備える液晶ディスプレイにも関する。【選択図】図なし

5. 发明专利

JP2008282874A Semiconductor laser 有权
标题翻译：半导体激光器
公开(公告)号：JP2008282874A
公开(公告)日：2008-11-20
申请号：JP2007123762
申请日：2007-05-08
申请人： Hitachi Ltd , Sony Corp , Sophia School Corp , ソニー株式会社 , 学校法人上智学院 , 株式会社日立製作所
发明人： KISHINO KATSUMI , NOMURA ICHIRO , ASAZUMA YASUNORI , FUJISAKI SUMIKO , NAKAMURA HITOSHI , KIKAWA TAKESHI , TANAKA SHIGEHISA
IPC分类号： H01S5/347
CPC分类号： H01S5/347 , B82Y20/00 , H01L21/02392 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02477 , H01L21/02505 , H01L21/02562 , H01L21/02568 , H01L21/02631 , H01S5/0218 , H01S2301/173 , H01S2304/02
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve a laminated structure for room-temperature continuous oscillation of a Be-containing group II-VI semiconductor laser without deterioration of crystal, using an InP substrate.
SOLUTION: The basic structure of a semiconductor laser is composed by using a lattice-matched group II-VI semiconductor containing Be on the InP substrate. In order to enhance carrier injection efficiency into an active layer, the laminated structure is composed as follows: the active layer and a clad layer are composed by a double-hetero structure having an I-type band lineup. The active layer and the clad layer that strengthen light trapping into the active layer are composed. The composition ratio of a p-type clad layer is set to Mg
摘要翻译：要解决的问题：使用InP衬底，实现不含有晶体劣化的含Be的II-VI族半导体激光器的室温连续振荡的层叠结构。解决方案：通过在InP衬底上使用含有Be的晶格匹配组II-VI半导体来构成半导体激光器的基本结构。为了将载流子注入效率提高到有源层，层叠结构如下：有源层和包层由具有I型带阵列的双异质结构构成。组成有源层和加强光陷入有源层的包层。 p型覆盖层的组成比设定为Mg <0.2。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

6. 发明专利

JP2008514809A Chemical vapor deposition at atmospheric pressure 审中-公开
公开(公告)号：JP2008514809A
公开(公告)日：2008-05-08
申请号：JP2007527846
申请日：2005-08-02
申请人：ソーラーフィールズリミテッドライアビリティカンパニー
发明人：ケニスアールコーマニオス , ノーマンダブリュージョンストン , ニコラスエイライター
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/452 , H01L31/04
CPC分类号： C23C14/0629 , C23C14/228 , C23C14/562 , C23C14/5806 , C23C14/5846 , H01L21/02422 , H01L21/02521 , H01L21/02557 , H01L21/02562 , H01L21/02631 , H01L31/073 , H01L31/0749 , H01L31/1836 , H01L31/1872 , Y02E10/541 , Y02E10/543 , Y02P70/521
摘要：大気圧で基板を被覆する方法が、加熱された不活性ガス流の中で、ほぼ大気圧で、制御された半導体材料の質量を気化させ、半導体材料の凝縮温度より高い温度を有する流体混合物を生成するステップと、ほぼ大気圧で、半導体材料の凝縮温度より低い温度を有する基板の上に流体混合物を向けるステップと、半導体材料の層を基板の表面の上に堆積させるステップとを含む。

7. 发明专利

JP2008514808A Chemical vapor deposition at atmospheric pressure 有权
公开(公告)号：JP2008514808A
公开(公告)日：2008-05-08
申请号：JP2007527845
申请日：2005-08-02
申请人：ソーラーフィールズリミテッドライアビリティカンパニー
发明人：ノーマンダブリュージョンストン
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/30 , C23C16/52 , H01L21/285 , H01L21/365
CPC分类号： C23C14/0629 , C23C14/228 , C23C14/562 , C23C14/5806 , C23C14/5846 , H01L21/02422 , H01L21/02521 , H01L21/02557 , H01L21/02562 , H01L21/02631 , H01L31/073 , H01L31/0749 , H01L31/1836 , H01L31/1872 , Y02E10/541 , Y02E10/543 , Y02P70/521
摘要：大気圧で基板を被覆する方法が、加熱された不活性ガス流の中で、ほぼ大気圧で、制御された質量の半導体材料を気化させ、半導体材料の凝縮温度より高い温度を有する流体混合物を生成するステップと、ほぼ大気圧で、半導体材料の凝縮温度より低い温度を有する基板の上に流体混合物を向けるステップと、半導体材料の層を基板の表面の上に堆積させるステップとを含む。

8. 发明专利

JP2005529343A Radiation detector 有权
公开(公告)号：JP2005529343A
公开(公告)日：2005-09-29
申请号：JP2004512175
申请日：2003-06-10
申请人：トゥー‐シックス・インコーポレイテッド
发明人：クサバセレス , ケルヴィンジーリン
IPC分类号： G01T1/24 , C01B19/00 , C22C18/00 , C22C20/00 , C22C28/00 , C30B9/00 , C30B11/00 , C30B17/00 , C30B28/06 , C30B29/48 , H01L31/0296 , H01L31/09 , H01L31/103 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02966 , C30B11/00 , C30B29/48 , H01L21/02562 , H01L21/0257 , H01L21/02576 , H01L21/02625 , H01L31/0296 , H01L31/085 , H01L31/1032 , H01L31/1832
摘要：本発明の放射線検出器は、Ｃｄ
x Ｚｎ
1-x Ｔｅ（０≦ｘ≦１）と、１０〜１００００ｐｐｂのＰｂ濃度と、１０〜１００００ｐｐｂの濃度の（ｉ）Ｃｌ及び（ｉｉ）周期表のＩＩＩ族元素の群から選ばれる少なくとも一つの元素とを含む化合物又は合金から作製される。これにより、十分な電気補償、高抵抗率、適用される電気バイアスの下での十分な空乏、及び優れた電荷輸送示す。

9. 发明专利

JPS60211851A Group ii-iv compound semiconductor device 失效
标题翻译：组II-IV化合物半导体器件
公开(公告)号：JPS60211851A
公开(公告)日：1985-10-24
申请号：JP6801784
申请日：1984-04-05
申请人： Nec Corp
发明人： MATSUMOTO TAKU
IPC分类号： H01L21/365 , H01L31/04 , H01L33/16 , H01L33/28
CPC分类号： H01L21/02409 , H01L21/02477 , H01L21/0251 , H01L21/02562 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , Y02E10/543
摘要： PURPOSE:To obtain excellent hetero-interface and P-N junction by forming an N type grated epitaxial layer, a lattice constant thereof changes continuously or by stages, on a CdSe substrate having wurtz structure and growing P type ZnTe having Wurtz structure on the grated epitaxial layer in an epitaxial manner. CONSTITUTION:The decomposition of a CdSe substrate 6 is prevented while H2Se is fed during a temperature rise, a temperature reaches to a set temperature, and Cd(CH3)2 and H2Se are fed to grow a CdSe layer 7 in approximately 0.2mum. The molar fractions of Cd(CH3)2 and Zn(C2H5)2 are changed, and continuous grated epitaxial growth in approximately 3mum thickness is executed. The final mixed crystal composition of a grated epitaxial layer 8 at that time is represented by ZnxCd1-xSe(X=0.098). A ZnxCd1-xSe(X=0.098) layer 9 having a constant composition is grown in approximately 1mum, a gas composition is changed over to Zn(C2H5)2 and Te(CH3)2, and a ZnTe epitaxial layer 10 is grown in approximately 2mum. The ZeTe epitaxial layer 10 acquired through the method has excellent mirror surface properties, and displays wurtzite type crystallographic structure, and a conduction mechanism takes a P type conduction. The ZnxCd1-xSe(0
摘要翻译：目的：为了通过形成N型烧结外延层获得优异的异质界面和PN结，其晶格常数连续或逐步地在具有wurtz结构的CdSe衬底上变化，并且在烧结外延层上生长具有Wurtz结构的P型ZnTe 以外延方式。构成：在温度升高，温度达到设定温度的同时，在供给H2Se的同时，防止CdSe基板6的分解，并且供给Cd（CH 3）2和H 2 Se，生长约0.2μm的CdSe层7。改变Cd（CH 3）2和Zn（C 2 H 5）2的摩尔分数，并且执行约3μm厚度的连续研磨外延生长。此时的格栅外延层8的最终混合晶体组成由Zn xCd 1-x Se（X = 0.098）表示。将具有恒定组成的Zn xCd 1-x Se（X = 0.098）层9生长在约1μm，将气体组成转变为Zn（C 2 H 5）2和Te（CH 3）2，并且ZnTe外延层10生长在大约 2mum 通过该方法获得的ZeTe外延层10具有优异的镜面性质，并且显示纤锌矿型晶体结构，并且导电机制采用P型导电。 Zn xCd1-xSe（0 <= x <= 0.098）格栅外延层8显示N型导通，并且形成优异的P-N结。

10. 发明专利

JPS5921029A Liquid phase epitaxial growth device 失效
标题翻译：液相外延生长装置
公开(公告)号：JPS5921029A
公开(公告)日：1984-02-02
申请号：JP13140182
申请日：1982-07-27
申请人： Fujitsu Ltd
发明人： MARUYAMA KENJI , ITOU MICHIHARU , UEDA TOMOSHI , YOSHIKAWA MITSUO
IPC分类号： H01L21/208 , H01L21/368
CPC分类号： H01L21/02625 , H01L21/02411 , H01L21/02562
摘要： PURPOSE:To bring a substrate into contact with a melted liquid, and to form an epitaxial layer onto the substrate by each forming indentations at positions displaced from diametral lines on mutually opposite surfaces in a heat-resisting sealed tube and turning the sealed tube under the state in which the substrate, crystals thereof must be grown, is held between the indentations. CONSTITUTION:The device is constituted by a pair of opposite support members 11 made of columnar carbon, and the recessed grooves 13 which can hold and support the substrate 12 in CdTe at the positions displaced from the diametral lines are formed onto the opposite surfaces of the support members. An alloy 15 of Hg, Cd and Te as a material for a crystal layer, which must be formed onto the substrate 12, is filled under the substrate 12 in CdTe while being inserted into a small tube 14 in quartz. The inside is exhausted, and an end section D is welded to seal the tube. The reaction tube is heated to melt the material of Hg1-xCdxTe. The sealed tube is rotated in a 180 deg. arc, the specular- polished surface E of the substrate 12 is brought into contact with a liquid phase of Hg1-xCdxTe, the temperature of a heating furnace is dropped, and the epitaxial layer in Hg1-xCdxTe is formed onto the substrate 12.
摘要翻译：目的：使基材与熔融液体接触，并通过在耐热密封管中的彼此相对的表面上从径向线偏离的位置上形成凹陷而在基板上形成外延层，并将密封管转动在其中必须生长底物的晶体的状态保持在凹陷之间。构成：该装置由一对由柱状碳构成的相对的支撑构件11构成，并且能够在从直径线偏离的位置处将基板12保持并支撑在CdTe中的凹槽13形成在支持会员必须形成在基板12上的作为用于晶体层的材料的Hg，Cd和Te的合金15被填充在CdTe的基板12的下方，同时插入到石英的小管14中。内部被耗尽，并且端部D被焊接以密封管。将反应管加热以熔化Hg1-xCdxTe的材料。密封管在180度旋转。使基板12的镜面抛光面E与Hg1-xCdxTe的液相接触，加热炉的温度下降，在基板12上形成Hg1-xCdxTe的外延层。

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