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1. 发明专利

JP2021042455A 金属めっき皮膜の形成方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021042455A
公开(公告)日：2021-03-18
申请号：JP2019167331
申请日：2019-09-13
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：飯坂浩文
IPC分类号： C23C18/52 , C23C18/31 , C23C18/54
摘要：【課題】固相法により厚い膜厚を有する金属めっき皮膜を形成する方法を提供する。【解決手段】本発明は、第1の金属及び第1の金属よりもイオン化傾向が大きい第2の金属の金属めっき皮膜を形成する方法であって、第2の金属を銅基材の表面上に析出させて第2の金属のめっき皮膜を形成する第1の工程、及び第1の金属を固相無電解めっき法により第2の金属の表面上に析出させて第1の金属のめっき皮膜を形成する第2の工程を含み、第2の工程における固相無電解めっき法を、第1の金属のイオンを含む第1の置換型無電解めっき浴と、固体電解質膜と、第2の金属がめっきされた銅基材と、第2の金属よりもイオン化傾向が大きい第3の金属と、第1の金属のイオンを含む第2の置換型無電解めっき浴と、絶縁性高分子とを含む積層複合体を用いて実施する、方法に関する。【選択図】図6

2. 发明专利

JP5313661B2 Surface treatment electrode 有权
公开(公告)号：JP5313661B2
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：JP2008504803
申请日：2006-04-03
申请人：コミッサリアアレネルジーアトミークエオゼネルジザルタナテイヴ
发明人：ロナンボットレル， , エルヴェブールシエ，
IPC分类号： C25D17/10 , C23C18/31 , C23C18/54 , C25D17/00 , C25D17/12 , C25D17/16 , C25D17/18 , C25F7/00
CPC分类号： C23C18/1619 , C23C18/1635 , C23C18/1641 , C25D17/10 , C25D21/02 , C25D21/10
摘要： A reduction electrode (11) is used for the deposition of metal on an object which is metallized on a surface. It incorporates a cavity (23) enclosing the object during the deposition and has a geometry assuring free movement to the object. The cavity is delimited by a wall incorporating an opening (25) communicating the inside of the cavity with a deposition solution in which the electrode is plunged during deposition. Independent claims are also included for : (A) a method for the deposition of metal by an oxy-reduction reaction; (B) a device for putting this method of deposition into operation.

4. 发明专利

JP2007525594A Method and apparatus for material growth 有权
公开(公告)号：JP2007525594A
公开(公告)日：2007-09-06
申请号：JP2006543928
申请日：2004-12-07
申请人：ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人：クック・ジョエル・エム． , ティエ・ウィリアム , ドルディ・イエッディ , ボイド・ジョン , マラスチン・ボブ , レデカー・フレッド・シー．
IPC分类号： C23C18/16 , C23C18/54
CPC分类号： C23C18/1667 , C23C18/14 , C23C18/1612 , C23C18/1676
摘要：【課題】材料成長のための方法および装置を提供する。
【解決手段】無電解メッキ液に曝されるウエハの表面を選択的に加熱するための方法および装置が提供される。放射エネルギ源による選択的加熱は、ウエハ表面と無電解メッキ液との間の境界において温度上昇を引き起こす。この温度上昇は、ウエハ表面においてメッキ反応を生じさせる。したがって、ウエハ表面には、適切に定められた放射エネルギ源によってウエハ表面の温度を変動させることによって開始され且つ制御される無電解メッキ反応を通じて材料が成長される。また、ウエハ表面に近接する上方の位置に平面部材を配することによって、平面部材とウエハ表面との間に無電解メッキ液を閉じ込めることもできる。メッキ反応を通じて成長される材料は、平面部材の平面性に適合する平坦化層を形成する。
【選択図】図２Ａ

5. 发明专利

JP2006005351A Method for forming metal pattern by plating method 审中-公开
标题翻译：通过镀层法形成金属图案的方法
公开(公告)号：JP2006005351A
公开(公告)日：2006-01-05
申请号：JP2005173051
申请日：2005-06-13
申请人： Sharp Corp , シャープ株式会社
发明人： EVANS DAVID R , HARTZELL JOHN W
IPC分类号： H01L21/288 , C23C18/16 , C23C18/54 , C25D1/04 , C25D5/02 , C25D5/54 , G02F1/13 , G02F1/1343 , G02F1/1345 , H01L21/28 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/288 , C23C18/1605 , C23C18/165 , C23C18/1657 , C25D1/003 , C25D5/022 , C25D5/50 , H01L21/2885 , H01L21/76885
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for suitably electrocasting a metal integrated circuit structure.
SOLUTION: The surface (104) of a substrate (102) is exposed by forming an opening (108), such as a via or a line penetrating an intermediate insulator; a base layer (110) on the intermediate insulator (106) and the surface of the substrate is formed; a strike layer (112) on the base layer is formed, an uppermost layer on the strike layer is formed, and the surface of the strike layer (112) is exposed by performing selective etching, to remove the uppermost layer on the surface of the substrate; and thus a metal structure (114) on the surface of the strike layer is electrocast. The electrocast metal structure (114) is deposited, using electric plating or non-electrolytic deposition process. Typically, this metal is Cu, Au, Ir, Ru, Rh, Pd, Os, Pt, or Ag.
COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于适当地电铸金属集成电路结构的方法。解决方案：通过形成诸如通过中间绝缘体的通孔或线的开口（108）来暴露基板（102）的表面（104）形成在中间绝缘体（106）上的基底层（110）和基板的表面; 形成在基底层上的冲击层（112），在冲击层上形成最上层，通过进行选择性蚀刻使冲击层（112）的表面露出，从而去除表面上的最上层基质; 因此在冲击层的表面上的金属结构（114）是电铸的。使用电镀或非电解沉积工艺沉积电铸金属结构（114）。通常，该金属是Cu，Au，Ir，Ru，Rh，Pd，Os，Pt或Ag。版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

6. 发明专利

JP2005256122A Method for electroless plating glass substrate 审中-公开
标题翻译：电镀玻璃基材的方法
公开(公告)号：JP2005256122A
公开(公告)日：2005-09-22
申请号：JP2004071656
申请日：2004-03-12
申请人： Kanto Gakuin Univ Surface Engineering Research Institute , 有限会社関東学院大学表面工学研究所
发明人： HONMA HIDEO , TASHIRO KATSUHIKO
IPC分类号： C23C18/44 , C23C18/30 , C23C18/54 , H05K3/18
CPC分类号： C03C17/00 , C03C2218/115
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for forming an electroless-plated layer on a pretreated glass substrate, without etching it while using a harmful fluoride before plating, which has adequate adhesiveness to the substrate, has no blister formed during plating, and has an adequate electrical properties.
SOLUTION: First, a method for electroless-copper-plating the glass substrate comprises degreasing, sensitizing and catalysis-activating the glass substrate; and then electroless-copper-plating it in an electroless copper plating bath containing 0.1 to 15 g/L polyethylene glycol. Next, a method for electroless-nickel-plating the glass substrate comprises degreasing, sensitizing and catalysis-activating the glass substrate; and then electroless-nickel-plating it in an electroless nickel plating bath containing a carboxylic acid as a complexing agent.
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种在预处理的玻璃基板上形成化学镀层的方法，在对基板进行充分的粘合性的同时使用电镀前的有害氟化物时，不进行蚀刻，在电镀期间没有形成起泡，并具有足够的电气性能。解决方案：首先，对玻璃基板进行无电镀铜的方法包括对玻璃基板进行脱脂，增感和催化活化; 然后在含有0.1〜15g / L聚乙二醇的无电镀铜浴中进行无电镀铜。接下来，对玻璃基板进行无电解镀镍的方法包括对玻璃基板进行脱脂，增感和催化活化; 然后在包含羧酸作为络合剂的无电镀镍浴中进行无电镀镍。版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

7. 发明专利

JP3568359B2 Plating method of the flat plate-like object to be plated material 失效
公开(公告)号：JP3568359B2
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：JP13925997
申请日：1997-05-13
申请人：大阪瓦斯株式会社
发明人：進光田 , 弘明松好
IPC分类号： C23C18/31 , C23C18/54

8. 发明专利

JP2003133541A METHOD FOR METALLIZING NUCLEIC ACID, METALLIZED NUCLEIC ACID, METHOD FOR MANUFACTURING NANOWIRE AND NANOWIRE 审中-公开
公开(公告)号：JP2003133541A
公开(公告)日：2003-05-09
申请号：JP2002200370
申请日：2002-07-09
申请人： SONY INT EUROPE GMBH
发明人： FORD WILLIAM , WESSELS JURINA , HARNACK OLIVER , YASUDA AKIO
IPC分类号： B82B3/00 , C23C18/54 , H01B1/12 , H01L29/06 , H01L51/00 , H01L51/30
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To efficiently metallize nucleic acid by using metal nanoparticles manufactured in vitro (ex-situ). SOLUTION: The method for metallizing the nucleic acid comprises steps of first manufacturing the solution of composite particles (THP-Au particles) of tris(hydroxymethyl)-phosphine (THP) and gold, then dropping the THP-Au particle solution on the solidified substrate of the nucleic acid, and thereby bonding the THP-Au particles to the nucleic acid. The method further comprises steps of electroless-plating the composite of the THP-Au particles and the nucleic acid, and thereby controlling the size of a gold nanoparticle.

9. 发明专利

JP2003055775A Metal film and forming method thereof, and laminated ceramic electronic component and manufacturing method therefor 有权
标题翻译：金属膜及其成型方法及其层压陶瓷电子元件及其制造方法
公开(公告)号：JP2003055775A
公开(公告)日：2003-02-26
申请号：JP2002099749
申请日：2002-04-02
申请人： Murata Mfg Co Ltd , 株式会社村田製作所
发明人： AKIYOSHI TEPPEI
IPC分类号： C23C18/18 , C23C14/14 , C23C18/16 , C23C18/28 , C23C18/36 , C23C18/38 , C23C18/42 , C23C18/54 , H01G4/12 , H01G4/30 , H05K1/03 , H05K3/18 , H05K3/20
CPC分类号： H05K3/20 , C23C18/1605 , C23C18/1651 , C23C18/1657 , C23C18/206 , C23C18/30 , C23C18/32 , C23C18/54 , H05K1/0306 , H05K3/184 , H05K2203/073
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a metal film forming method for forming an internal conductive film of a laminate ceramic electric component in which releasability from a base material forming the metal film is excellent, and defects such as peels and cracks are less generated from the base material. SOLUTION: The metal film forming method comprises a first step of depositing a first metal film 2 formed of a substance forming a catalyst for the electroless plating on a base material 1 by using a vacuum thin film deposition apparatus, and a second step of depositing a second metal film 4 by depositing a metal while applying the electroless plating with the first metal film 2 as the catalyst. The first step is completed before the first metal film 2 is grown into a uniform continuous film.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种用于形成层压陶瓷电气部件的内部导电膜的金属膜形成方法，其中从形成金属膜的基底材料的脱模性优异，并且缺陷如剥离和裂纹从基材。解决方案：金属膜形成方法包括：通过使用真空薄膜沉积装置将由形成用于化学镀的催化剂的物质形成的第一金属膜2沉积在基材1上的第一步骤; 第二金属膜4通过在第一金属膜2作为催化剂施加无电镀的同时沉积金属。在第一金属膜2生长成均匀的连续膜之前完成第一步骤。

10. 发明专利

JP3350026B2 失效
公开(公告)号：JP3350026B2
公开(公告)日：2002-11-25
申请号：JP2000233195
申请日：2000-08-01
IPC分类号： C25D5/10 , B23K35/14 , C23C18/54 , C23C28/02 , C25D7/00 , H01L23/488 , H01L23/498 , H05K3/34

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