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1. 发明专利

JP6028927B2 振動子の製造方法、振動子、および発振器有权
标题翻译：一种制造振子，振子的方法，以及振荡器
公开(公告)号：JP6028927B2
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：JP2013066958
申请日：2013-03-27
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：吉澤隆彦
IPC分类号： H03H3/007 , B81C1/00 , B81B3/00 , H03H9/24
CPC分类号： H03H9/17 , H03B5/30 , H03H9/02338 , H03H9/2447 , H03B5/02 , H03B5/32 , H03H2003/021 , H03H2003/022 , H03H2009/02291 , H03H3/02

2. 发明专利

JPWO2013011864A1 薄膜デバイスおよび薄膜デバイスの製造方法有权
标题翻译：用于制造薄膜器件和薄膜器件制造方法
公开(公告)号：JPWO2013011864A1
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：JP2013524661
申请日：2012-07-10
申请人：株式会社村田製作所
发明人：圭一梅田 , 圭一梅田
IPC分类号： H01G5/011 , H01G5/00 , H01G5/04
CPC分类号： H01B1/02 , B81B2201/0221 , B81B2203/04 , B81C1/00666 , B81C1/00698 , B81C2201/017 , B81C2201/0181 , C23C14/025 , C23C14/165 , C23C14/34 , H01G4/33 , H01G5/16 , H03H9/131 , H03H9/173 , H03H9/2457 , H03H2003/021 , H03H2003/0428 , H03H2009/02291
摘要：タングステンからなる主電極層を含む薄膜電極を備える薄膜デバイスにおいて、薄膜電極が低い抵抗率を有することを実現する。下地層(7A)と、下地層(7A)の上に形成された主電極層(7B)とを有する薄膜電極(7)を備え、下地層(7A)は、表面モフォロジーが波状である結晶構造を有するチタン・タングステン合金からなり、主電極層(7B)は、表面モフォロジーが波状である結晶構造を有するタングステンからなる、薄膜デバイス(1)。
摘要翻译：在薄膜器件，其包括一个薄膜电极，包括由钨制成的主电极层时，要认识到，薄膜电极具有低电阻率。底层和（7A），设置有薄膜电极（7）具有形成在基底层（7A）（图7B）时，基极层（7A）上的主电极层时，晶体结构的表面形态是波纹状由具有主电极层（7B），钨的具有晶体结构，该结构是波纹形的表面形态钛 - 钨合金制成，薄膜器件（1）。

3. 发明专利

JP2015156611A 振動子及びその製造方法、並びに電子装置审中-公开
标题翻译：振动器，其制造方法和电子设备
公开(公告)号：JP2015156611A
公开(公告)日：2015-08-27
申请号：JP2014031621
申请日：2014-02-21
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：吉澤隆彦
IPC分类号： B81B3/00 , B81C1/00 , H03H3/007 , H03B5/30 , H01L21/306 , H03H9/24
CPC分类号： H03H9/2457 , H03H2003/027 , H03H2009/02291 , H03H2009/02472 , H03H2009/02511 , H03H2009/155
摘要：【課題】振動子の信頼性を高く維持し、かつ、該振動子を収容する空洞を小型で精度よく形成することのできる、電子装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る電子装置の製造方法は、基板と、前記基板上に形成され、貫通孔が形成された下部電極と、前記下部電極の上方に前記下部電極と離間して配置され、前記貫通孔に向って突出する突起部を有する上部電極と、前記基板上に形成され、前記突起部に対向する対向部と、を含み、前記対向部及び前記突起部との間の距離は、前記下部電極及び前記上部電極との間の距離よりも小さい。【選択図】図1

4. 发明专利

JP2012129605A Mems vibrator, oscillator, and manufacturing method of mems vibrator 审中-公开
标题翻译： MEMS振动器，振荡器和MEMS振动器的制造方法
公开(公告)号：JP2012129605A
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：JP2010276923
申请日：2010-12-13
申请人： Seiko Epson Corp , セイコーエプソン株式会社
发明人： KIHARA TATSUJI
IPC分类号： H03H9/24 , B81B3/00 , B81C1/00 , H03B5/30 , H03H3/007
CPC分类号： H03H9/2457 , B81B2201/0271 , B81B2203/019 , B81C1/0015 , H03H3/0076 , H03H2009/02291 , H03H2009/02511
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a MEMS vibrator having a stable vibration characteristic.SOLUTION: A MEMS vibrator 100 according to the present invention comprises: a substrate 10; a first electrode 20 formed above the substrate 10; a supporting part 32 formed above the substrate 10; and a second electrode 30 supported by the supporting part 32 and having a beam part 34 disposed above the first electrode 20. The beam part 34, in a planar view, has a shape in which width W monotonically decreases in a direction heading from the supporting part 32 to a tip 34a of the beam part 34 in an area overlapping with the first electrode 20.
摘要翻译：要解决的问题：提供具有稳定振动特性的MEMS振动器。解决方案：根据本发明的MEMS振动器100包括：基板10; 形成在基板10上方的第一电极20; 形成在基板10上方的支撑部32; 以及由支撑部件32支撑并且具有设置在第一电极20上方的梁部分34的第二电极30.平面图中的梁部分34具有宽度W在从支撑部分的方向上单调减小的形状部分32到与第一电极20重叠的区域中的光束部分34的尖端34a。（C）2012，JPO和INPIT

6. 发明专利

JP2018084441A 振動式トランスデューサ审中-公开
公开(公告)号：JP2018084441A
公开(公告)日：2018-05-31
申请号：JP2016226251
申请日：2016-11-21
申请人：横河電機株式会社
发明人：吉田隆司 , 吉田勇作 , 野呂誠 , 湯本淳志 , 吉田周平
IPC分类号： H01L29/84 , G01L9/00
CPC分类号： H03H9/2447 , H03H9/02338 , H03H2009/02291
摘要：【課題】振動梁に圧縮歪によって振動梁が座屈することを防止して、振動梁の安定した振動により高精度に応力を検出することが可能な振動式トランスデューサを提供する。【解決手段】半導体基板に形成された振動梁と、一端が該振動梁の一部に所定の角度で接続される支持梁と、前記支持梁を介して前記振動梁に接続される第一電極と、前記振動梁の一側面の中央部分に隣接して配される第二電極と、前記支持梁と前記第二電極との間に配され、前記第一電極に接続される導体と、を備えたこと特徴とする。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2013055647A Mems resonator and electrical device using the same 审中-公开
标题翻译：使用它的MEMS谐振器和电子装置
公开(公告)号：JP2013055647A
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：JP2012162874
申请日：2012-07-23
申请人： Panasonic Corp , パナソニック株式会社
发明人： NAITO YASUYUKI
IPC分类号： H03H9/24 , B81B3/00 , H03B5/30 , H03H9/02
CPC分类号： H03H9/02259 , H03H2009/02291 , H03H2009/02496 , H03H2009/02519
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a MEMS resonator in which variation in resonance frequency is reduced without increasing the size and cost of the device.SOLUTION: A MEMS resonator 200 includes: a beam-like vibrator 101 which mechanically vibrates when electrostatic force is applied to it; a support for vibratably supporting the vibrator 101; and at least one electrode 102 having a surface opposite to the vibrator 101 via an air gap 103. The MEMS resonator 200 outputs a current, generated by vibration of the vibrator 101, through an output terminal connected to the vibrator 101 or the at least one electrode 102. The vibrator vibrates in a torsional resonance mode centered on a longitudinal axis of the beam. The surfaces of the vibrator 101 and the electrode 102, which are facing each other, are composed of different conductivity types of semiconductors. In the vibrator 101, a surface portion 111, which includes the surface facing the electrode 102, is doped with an impurity whose concentration is higher than that in other portions.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种其中谐振频率的变化减小而不增加器件的尺寸和成本的MEMS谐振器。解决方案：MEMS谐振器200包括：当施加静电力时机械地振动的梁状振动器101; 用于可振动地支撑振动器101的支撑件; 以及至少一个具有经由空气间隙103与振动器101相对的表面的电极102.MAS谐振器200通过连接到振动器101或至少一个的振动器101的输出端输出由振动器101的振动产生的电流振动器以以梁的纵轴为中心的扭转共振模式振动。彼此相对的振动器101和电极102的表面由不同导电类型的半导体构成。在振动器101中，包括面向电极102的表面的表面部分111掺杂有浓度高于其它部分的杂质。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2016517236A ナノ機械的共振器アレイ及びその製造方法有权
标题翻译：纳米机械谐振器阵列及其制造方法
公开(公告)号：JP2016517236A
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：JP2016508020
申请日：2013-04-19
申请人：コチ・ウニヴェルシテシKoc Universitesi , コチ・ウニヴェルシテシKoc Universitesi
发明人：ブルハネッティン・エルデム・アラジャ , ユスフ・レブレビキ , イスマイル・ヨルマツ , ヤシン・キリンク , ベキル・アクソイ
IPC分类号： H03H9/24 , B81B3/00 , B81C1/00 , H03H3/02
CPC分类号： H03H9/2463 , B82B1/005 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , H03B5/30 , H03H9/2405 , H03H2009/02291 , Y10S977/762 , Y10S977/888 , Y10S977/956
摘要：本発明では、発振器に用いるのに適したナノ機械的共振器アレイ(1)及び前記ナノ機械的共振器アレイの製造方法を発展させている。前記共振器アレイ(1)は、ナノメータの大きさであって、垂直に配列され、ナノワイヤ又はナノチューブの形状が好ましい、少なくとも二つの共振器(2)と、前記共振器をその一端から機械的に結合する、少なくとも一つの結合膜(3)と、前記結合膜(3)をクランプすることによって機械的な結合を支持する、少なくとも一つのクランプ要素(4)と、を備えてもよい。前記共振器アレイ(1)は、作動され、その変位を検出してもよい。本発明によって、静電作動及び容量的読み出し用の前記共振器アレイ(1)を備えた発振器の周波数応答を発展させることができる。異なる周波数応答を有し、周波数操作回路要素に接続された複数の共振器アレイを含む発振器を同様に使用してもよい。シリコンベースシステムについて、前記製造方法は、デバイスのシリコン層上に2つのウインドウをパターニングし、それを露出させてボッシュ工程を用いてプラズマエッチングする工程と、さらに酸化を行って、酸化物エンベロープにナノワイヤを形成する工程と、さらに犠牲材料を堆積させる工程と、を含んでもよい。作動電極及び読み出し電極の統合は、電極材料を堆積させる工程と、自己整合マスク材料を堆積させる工程と、化学機械的研磨を行う工程と、電極材料をエッチングする工程と、犠牲材料及び前記酸化物エンベロープをエッチングして前記ナノワイヤを解放する工程と、を含む。非シリコンベースシステムについて、前記製造方法は、構造材料及び犠牲材料の堆積工程と、両材料のパターニング及びエッチング工程と、犠牲材料の等方的エッチング工程と、を含む。
摘要翻译：在本发明中，它有一个纳米机械谐振器阵列（1）和适合于在使用振荡器来开发纳米机械谐振器阵列的制造方法。该谐振器阵列（1）是纳米的量级，垂直地布置，所述纳米线或纳米管的优选的形状中，至少两个谐振器（2）中，机械谐振器从一端束缚，具有至少一个耦合膜（3），用于支撑通过夹紧耦合膜（3）的机械连接，和（4）中，可以提供至少一个夹紧元件。该谐振器阵列（1）被致动时，它可以检测位移。本发明中，有可能开发出振荡器的与静电致动和所述谐振器阵列用于电容读出（1）的频率响应。有不同的频率响应，其可以用于为包括多个连接到所述频率操纵电路谐振器阵列的井振荡器。对于基于硅的系统，制造方法，通过进行使用所述暴露通过Bosch工艺允许它进一步氧化，纳米线氧化物包络的等离子体蚀刻步骤构图装置的硅层上的两个窗口形成，进一步沉积牺牲材料可包括的步骤。所述工作电极和所述读出电极的一体化，沉积电极材料，沉积自对准掩模材料，并且执行化学机械抛光，蚀刻所述电极材料，牺牲材料和氧化物和释放所述纳米线的包络的步骤被蚀刻时，。对于非硅基的系统中，制造方法包括：在沉积所述结构材料和牺牲材料，以及这两种材料的图案化和蚀刻工艺，和牺牲材料的各向同性蚀刻步骤的步骤。

10. 发明专利

JP2016513406A 屈曲振動と伸張／圧縮振動によって分離された機械共振器の平面構造有权
标题翻译：机器谐振器的平面结构通过扩展/压缩和弯曲振动分离
公开(公告)号：JP2016513406A
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：JP2015557489
申请日：2014-02-13
申请人：オネラ(オフィス・ナショナル・ドゥエチュード・エ・ドゥ・ルシェルチェ・アエロスパシャル)Onera (Office National D’Etudes Et De Recherches Aerospatiales) , オネラ(オフィス・ナショナル・ドゥエチュード・エ・ドゥ・ルシェルチェ・アエロスパシャル)Onera (Office National D’Etudes Et De Recherches Aerospatiales)
发明人：トラオン，オリヴィエル , トラオン，オリヴィエル , ジャニアード，デニス , タイビ，ラシッド , シャルティエ，クロード , ガウディノー，ヴィンセント , パーニス，マーク
IPC分类号： H03H9/19
CPC分类号： H03H9/17 , H03H9/02023 , H03H9/02062 , H03H9/02157 , H03H9/02338 , H03H9/205 , H03H9/2447 , H03H2009/02251 , H03H2009/02291 , H03H2009/0244 , H03H2009/02496 , H03H2009/02527 , H03H2009/155
摘要：時計を構成する機械共振器は効率、嵩、価格面で問題があった。本発明は、嵩と製造コストの削減に適した平面機械共振器構造(100)であり、この機械共振器構造は嵩と価格の削減に適している。この構造は、縦方向の伸張‐圧縮共振で振動するバー(R)と、各々が前記構造の面で縦方向の伸張‐圧縮と屈曲振動で同時に振動し、バーの正中面(π)で接続要素(11)によってバーと接続される二つの梁(12)と、を備え、バーの横方向の変形の影響が、材料のポアソン比により共振器の取付けパッド(PF)に伝達されない。したがって、共振器の品質係数が非常に高い。【選択図】図3C’
摘要翻译：构成钟表机械谐振器有一个问题效率，体积，在价格上。本发明是合适的，以减少的体积和制造成本（100）的平面机械谐振器结构中，机械谐振器结构是适合于减少体积和成本。这种结构是拉伸的垂直方向 - 振动与杆（R）的压缩共振，在结构上的平面上的纵向方向的每个延伸 - 振动同时弯曲振动和压缩，在中间平面连接条（π）通过包括杆的横向变形的影响连接到所述杆的元件（11）两束（12）不被发送到由材料的泊松比谐振器的安装焊盘（PF）。因此，谐振器的品质因数是非常高的。点域3C'

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