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1. 发明专利

JPWO2020194810A1 共振装置及び共振装置製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2020194810A1
公开(公告)日：2021-12-23
申请号：JP2019040421
申请日：2019-10-15
申请人：株式会社村田製作所
发明人：福光政和 , 樋口敬之
IPC分类号： H03H3/007 , H03H9/24
摘要：共振子の振動空間における真空度の低下を抑制することのできる共振装置及び共振装置製造方法を提供する。共振装置1は、共振子10を含むMEMS基板50と、MEMS基板50に対向する面に酸化ケイ素膜L31を含む上蓋30と、共振子10の振動空間を封止するように、MEMS基板50と上蓋30とを接合する接合部60と、を備え、酸化ケイ素膜L31は、上蓋30を平面視したときに振動空間の周囲の少なくとも一部に形成され、上蓋30の裏面まで貫通する貫通孔TH1を含み、貫通孔TH1は、第1金属層80を含む。

2. 发明专利

JP2019097105A 圧電振動デバイス及び圧電振動デバイスの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019097105A
公开(公告)日：2019-06-20
申请号：JP2017226807
申请日：2017-11-27
申请人：京セラ株式会社
发明人：鬼村英志
IPC分类号： H03H3/007 , H03H9/02
摘要：【課題】外部からのノイズが圧電振動素子の動作に及ぼす影響を低減できる圧電振動デバイスを提供する。【解決手段】振動子1は、凹部5aが設けられている素子搭載部材5と、凹部5aに収容されている振動素子3と、凹部5aを塞いでいる蓋体7と、を有している。素子搭載部材5は、凹部5aの内底面9a及び内底面9aを囲む内周面9bを有している絶縁性の基体9と、基体9の外面に位置しており、振動素子3と電気的に接続されている1対の信号端子(13A及び13B)と、基体9の外面に位置しているGND端子(13C及び/又は13D)と、凹部5aの内周面9bに重なっており、GND端子(13C及び/又は13D)に電気的に接続されているシールド膜51と、を有している。【選択図】図6

4. 发明专利

JP6205937B2 圧電膜製造方法、振動子製造方法、振動片、振動子、発振器、電子機器及び移動体有权
公开(公告)号：JP6205937B2
公开(公告)日：2017-10-04
申请号：JP2013151378
申请日：2013-07-22
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：山崎隆 , 岩本修
IPC分类号： H03H9/24 , H03B5/32 , H03H3/007
CPC分类号： H03H9/171 , C22C21/12 , C23C14/06 , C23C14/0688 , C23C14/3414 , H01L41/18 , H01L41/37 , H03B5/32 , H01L41/094 , H01L41/187

5. 发明专利

JPWO2015098372A1 圧電振動子及び圧電振動子の周波数調整方法有权
公开(公告)号：JPWO2015098372A1
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：JP2015554682
申请日：2014-11-19
申请人：株式会社村田製作所
发明人：俊彦宇波 , 俊彦宇波 , 英太郎亀田 , 英太郎亀田
IPC分类号： H03H9/24 , H03H3/007 , H03H3/04 , H03H9/02
CPC分类号： H03H9/15 , H03H3/0077 , H03H3/04 , H03H9/215 , H03H9/2457 , H03H2003/0421 , H03H2003/0492
摘要：残留物が生じ難く、高精度に周波数を調整でき、かつ強度の低下が小さい周波数調整方法を提供する。本発明に係る圧電振動子1の周波数調整方法は、基部2と、前記基部2に連なっている連結部3aと、前記連結部3aから延びている複数の振動腕本体3bとを有し、かつ単結晶からなる振動腕部3と、前記振動腕部3上に形成されている下部電極5と、前記下部電極5上に形成されている圧電薄膜6と、前記圧電薄膜6上に形成されている上部電極7とを備える圧電振動子1を用意する工程と、前記連結部3aに、レーザー光Bを照射して、変質部8を形成する工程とを備える。

7. 发明专利

JP2016016461A 微小振動素子用ばねの製造方法有权
标题翻译：用于制造微型振动元件弹簧的方法
公开(公告)号：JP2016016461A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：JP2014138469
申请日：2014-07-04
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：小野一善 , 高河原和彦 , 佐藤昇男 , 塚田信吾 , 川野龍介 , 石原隆子 , 河西奈保子 , 住友弘二
IPC分类号： H03H3/007 , H02N11/00 , B81C3/00
摘要：【課題】製造工程が容易で、歩留まりが高い導電性を有する微小振動素子用ばねの製造方法を提供する。【解決手段】振動子3に一端が接続され、支持部である枠部材1に他端が接続された微小振動素子用ばねの製造において、型に非導電性の樹脂を堆積することにより前記一端と前記他端を結ぶ溝を有する非導電性の樹脂からなるばね本体22を形成する工程と、フィルム上に塗布された導電性の樹脂を前記非導電性の樹脂が堆積された型に熱圧着して、このばね本体22の溝内に導電性の樹脂を埋め込むことにより導電性の樹脂からなる導電層21を前記ばね本体22内に形成する工程とからなる、微小振動素子用ばねの製造方法。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于制造在制造过程中简单且具有高屈服率和高导电性的微小振动元件弹簧的方法。解决方案：用于制造用于微小振动的弹簧的方法元件，其一端连接到振动器3，另一端连接到作为支撑部件的框架构件1包括：一个过程，其中弹簧体22由非导电树脂制成，该弹性体22具有连接一个通过将非导电树脂积聚在模具中而彼此相对; 并且将施加到膜上的导电树脂热压缩到非导电树脂积聚的模具中，并且将导电树脂嵌入到弹簧体22的槽中，由此导电层21包括导电树脂形成在弹簧体22中。选择的图示：图3

8. 发明专利

JP2015205361A MEMS構造体の製造方法、MEMS構造体审中-公开
标题翻译： MEMS结构和MEMS结构的制造方法
公开(公告)号：JP2015205361A
公开(公告)日：2015-11-19
申请号：JP2014086213
申请日：2014-04-18
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：樋口俊彦
IPC分类号： B81B7/02 , H03H3/007 , H03H9/24 , B81C3/00
摘要：【課題】MEMS構造体を構成する基板どうしを高い精度で確実に接合し、MEMS構造体の信頼性を高めることのできるMEMS構造体の製造方法、およびそれを用いて形成されたMEMS構造体を提供する。【解決手段】単結晶シリコンからなる第一の基板と、単結晶シリコンからなる第二の基板とが接合された構造を備えたMEMS構造体を製造する。第一の基板11における第二の基板12との接合面である第一の接合面11v、および、第二の基板における第一の基板との接合面である第二の接合面12v、に表面処理を行い、第一の接合面および第二の接合面に、単結晶シリコンの結晶方位に対応した凹凸部15を形成する第一の工程と、第一の基板と第二の基板とを突き合わせ、第一の基板と第二の基板とを接合する第二の工程と、を含む。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种MEMS结构的制造方法，其高精度地且可靠地将构成MEMS结构的基板彼此接合并且能够提高MEMS结构的可靠性，并且还提供使用该制造方法形成的MEMS结构其制造具有结构的MEMS结构，其中由单晶硅组成的第一衬底和由单晶硅组成的第二衬底结合在一起。 MEMS结构的制造方法包括：对第一基板11中的第二接合面12v和第二接合面12v作为第一接合面11v进行表面处理的第一工序，第一接合面11v为第二基板12的接合面。第二基板相对于第一基板形成与第一接合面11v和第二接合面12v上的单晶硅的晶体取向对应的突出凹部15; 以及使第一基板和第二基板彼此抵接并将第一基板和第二基板接合在一起的第二步骤。

9. 发明专利

JP2015145036A MEMS素子及びその製造方法审中-公开
标题翻译： MEMS元件及其制造方法
公开(公告)号：JP2015145036A
公开(公告)日：2015-08-13
申请号：JP2014018255
申请日：2014-02-03
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：蝦名昭彦
IPC分类号： B81C1/00 , H03H9/24 , H03H3/007 , B81B3/00
摘要：【課題】MEMS部が配置される空間の内壁からガスが発生することを抑制するMEMS素子を提供する。【解決手段】窒化シリコン膜14,36とシリコン膜18によって覆われた空間61にMEMS部15が配置されているMEMS素子である。前記MEMS部は前記窒化シリコン膜上に配置され、前記シリコン膜は、前記MEMS部上方に配置され、且つ前記MEMS部の周囲に位置する前記窒化シリコン膜に密着している。前記シリコン膜は第1及び第2のリング状の孔18a,18bを有し、前記第1及び第2のリング状の孔の内側に位置する前記シリコン膜が前記MEMS部に電気的に接続され、前記第1及び第2のリング状の孔それぞれが窒化シリコン膜によって埋められている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种MEMS元件，其抑制从MEMS部件所在的空间内的内壁产生气体。解决方案：MEMS元件包括位于被氮化硅覆盖的空间61中的MEMS部件15 膜14,36和硅膜18.MOS部件布置在氮化硅膜上。硅膜布置在MEMS部件上方并粘附在位于MEMS部件周围的氮化硅膜上。硅膜具有第一和第二环形孔18a，18b。定位在第一和第二环形孔内的硅膜电连接到MEMS部件。第一和第二环形孔各自填充有氮化硅膜。

10. 发明专利

JP5745834B2 容量検出が改善された補償型マイクロ/ナノ共振器及びその製造方法有权
标题翻译：补偿的微/纳米谐振器以及它们的电容检测的制造方法进行了改进
公开(公告)号：JP5745834B2
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：JP2010274265
申请日：2010-12-09
申请人：コミサリアアレネルジーアトミックエオゼネルジーアルテルナティブ , COMMISSARIAT A L’ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人：ジュリアン、アルカモヌ , エリック、コリネ
IPC分类号： H03H3/007 , H03B5/30 , B81B3/00 , H03H9/24
CPC分类号： H03H9/2405 , H03H9/2436 , H03H2009/02503 , H03H2009/2442

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