专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2018026735A 弾性波デバイスおよびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018026735A
公开(公告)日：2018-02-15
申请号：JP2016158253
申请日：2016-08-10
申请人：太陽誘電株式会社
发明人：関根英行 , 川内治
IPC分类号： H03H9/17 , H03H9/54 , H03H3/02
CPC分类号： H03H9/54 , H03H3/02 , H03H9/171 , H03H9/173 , H03H9/542 , H03H9/568 , H03H2003/021 , H03H2003/023
摘要：【課題】キャパシタを小型化すること。【解決手段】圧電膜14を挟み第1下部電極12aと第1上部電極16aとが対向する共振領域を有する圧電薄膜共振器62と、前記共振領域外において上に前記圧電膜および前記第1上部電極が形成されていない第2下部電極12bと、を基板10上に形成する工程と、前記共振領域内と、前記共振領域外の前記第2下部電極上と、にそれぞれ前記圧電膜と異なる材料の第1誘電体膜18aと第2誘電体膜18bとを同時に形成する工程と、前記第2誘電体膜上に前記第2下部電極と対向するように第2上部電極20bを形成する工程と、を含む弾性波デバイスの製造方法。【選択図】図8

2. 发明专利

JP2018007230A 音響共振器及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018007230A
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：JP2017002172
申请日：2017-01-10
申请人：サムソンエレクトロ−メカニックスカンパニーリミテッド.
发明人：リー、タエフン , ハン、ウォン , リー、ムーンチュル , ハン、スン
IPC分类号： H03H3/02 , H03H9/17
CPC分类号： H03H9/173 , H03H3/0077 , H03H9/02015 , H03H9/02023 , H03H9/54 , H03H2003/021
摘要：【課題】特性と性能を向上させることができる音響共振器及びその製造方法を提供する。【解決手段】音響共振器は基板110と、基板上に順に積層された状態の下部電極121、圧電層123及び上部電極125を備える振動活性領域と、圧電層内に配置され、且つ、圧電層と異なる物性を有する水平共振抑制部140と、を含む。製造方法は、基板上に下部電極と圧電層を順に積層する段階と、圧電層にイオンを部分的に注入して圧電層内に水平共振抑制部を形成する段階と、圧電層上に上部電極を積層して振動活性領域を完成させる段階と、を含む。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2016213891A バルク音響波共振器及び製造方法有权
标题翻译：体声波谐振器和制造方法
公开(公告)号：JP2016213891A
公开(公告)日：2016-12-15
申请号：JP2016157882
申请日：2016-08-10
申请人：サムスンエレクトロニクスカンパニーリミテッド
发明人：シン,ジェシク , キム,ドクファン , キム,チョルス , ソン,サンウク , ソン,インサン , リ,ムンチョル
IPC分类号： H03H3/02 , H03H9/17
CPC分类号： H03H9/173 , H03H3/02 , H03H9/02118 , H03H2003/021 , Y10T29/42
摘要：【課題】水平方向の音響による損失を低減させ、音響電気結合係数を向上させ得るバルク音響波共振器を提供する。【解決手段】バルク音響波共振器はバルク音響波共振部110とエアーエッジ120及びエアーエッジ130を含み、バルク音響波共振部110は、第1電極115、圧電層113、及び第2電極111を含み、圧電層113は、第1電極115と第2電極111との間に位置する。エアーエッジはバルク音響波共振部の中心から一定距離だけ離れた位置に形成される。【選択図】図1
摘要翻译：减小的所造成的损耗水平声学，提供能够提高声电耦合系数的体声波谐振器。体声波谐振器包括一个体声波谐振器110和空气边缘120和边缘空气130，体声波谐振器110中，第一电极115，压电层113，和第二电极111 其中，压电层113位于第一电极115和第二电极111之间。在从体声波谐振器部分的中心以预定距离分开的位置上形成空气的边缘。点域1

4. 发明专利

JP2016096466A 圧電薄膜共振器、フィルタおよびデュプレクサ审中-公开
标题翻译：压电薄膜共振器，滤波器和双工器
公开(公告)号：JP2016096466A
公开(公告)日：2016-05-26
申请号：JP2014231794
申请日：2014-11-14
申请人：太陽誘電株式会社
发明人：谷口眞司 , 西原時弘 , 横山剛 , 坂下武
IPC分类号： H03H9/54 , H03H9/70 , H03H9/17
CPC分类号： H03H9/706 , H03H3/02 , H03H9/02118 , H03H9/173 , H03H9/175 , H03H9/568 , H03H2003/021
摘要：【課題】圧電薄膜共振器の特性を向上させること。【解決手段】基板10と、前記基板上に設けられた圧電膜14と、前記圧電膜の少なくとも一部を挟んで対向した下部電極12および上部電極16と、前記圧電膜中に挿入され、前記圧電膜を挟み前記下部電極と前記上部電極とが対向する共振領域50内の外周領域52の少なくとも一部に設けられ、前記共振領域の中央領域54には設けられていない挿入膜28と、を具備し、前記共振領域内の前記挿入膜が挿入された第1領域における前記圧電膜と前記挿入膜との合計膜厚と、前記挿入膜が挿入されていない第2領域における前記圧電膜の膜厚と、の差は前記挿入膜の膜厚より小さい圧電薄膜共振器。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提高压电薄膜谐振器的特性。解决方案：压电薄膜谐振器包括：基板10; 设置在基板上的压电膜14; 下电极12和上电极16，其彼此相对以夹在其间的至少一部分压电膜; 以及插入到压电膜中的插入膜28，其设置在谐振区域50中至少在外周区域52的一部分处，其中下电极和上电极彼此面对以将压电膜夹在其间，并且不设置在谐振区域的中心区域54。插入膜插入共振区域的第一区域中的插入膜和压电膜的总膜厚与插入膜未插入的第二区域中的压电膜的厚度之间的差小于插入膜的膜厚度。选择图：图1

5. 发明专利

JP5839103B2 圧電バルク弾性波素子の製造方法及び圧電バルク弾性波素子有权
标题翻译：的制造方法及压电体声波装置的压电体振子
公开(公告)号：JP5839103B2
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：JP2014500650
申请日：2013-02-08
申请人：株式会社村田製作所
发明人：荒木聖人 , 梅田圭一
IPC分类号： H03H9/17 , H03H3/02
CPC分类号： H01L41/314 , H01L41/04 , H03H3/02 , H03H9/02015 , H03H9/173 , H03H2003/021

6. 发明专利

JP2015188216A 平坦化層を有する音響共振器とその製造方法审中-公开
标题翻译：具有平面化层的声学谐振器及其制造方法
公开(公告)号：JP2015188216A
公开(公告)日：2015-10-29
申请号：JP2015052898
申请日：2015-03-17
申请人：アバゴ・テクノロジーズ・ジェネラル・アイピー(シンガポール)プライベート・リミテッド
发明人：フィル・ニッケル , ステファン・ベイダー , ロベルト・ザルハマー
IPC分类号： H03H9/17 , H03H3/02
CPC分类号： H03H3/02 , H01L21/76807 , H01L21/76814 , H01L41/18 , H01L41/183 , H03H3/04 , H03H9/172 , H03H9/173 , H03H9/175 , H03H2003/021 , H03H2003/023 , H03H2003/025 , Y10T29/42
摘要：【課題】バルク音響(BAW)共振器に於いて、下部電極ので圧電層に段差が生じないように平坦面を形成する方法を提供する。【解決手段】方法は、下部電極と基板の上にエッチング停止層を形成するステップS313と、エッチング停止層上に誘電層を形成するステップS314と、下部電極の上に開口部を画定するフォトマスクを誘電層の上に形成するステップS315と、誘電層の一部をフォトマスクの開口部を通じてエッチング停止層までエッチングして、対応する開口部を誘電層に形成するステップS316と、フォトマスクを除去して、誘電層の開口部の周囲に誘電層のエッチングされていない突出部を残すステップS317と、誘電層の突出部と、下部電極の上にあるエッチング停止層の部分と、下部電極の最小限の部分とを除去して、下部電極の上面と基板の上に堆積された誘電層の(上面に)近接する上面とを含む平坦面を提供するステップS318、を含む。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种形成平坦化表面的方法，使得在体声波（BAW）谐振器中的底部电极的压电层上不发生台阶。解决方案：一种用于制造体声波 BAW）谐振器装置包括：在底部电极和衬底上形成蚀刻停止层的步骤S313; 在蚀刻停止层上形成电介质层的步骤S314; 在电介质层上形成光掩模的步骤S315，光掩模限定底部电极上的开口; 通过光掩模的开口蚀刻介电层的一部分到蚀刻停止层的步骤S316，以在介电层中形成对应的开口; 去除光掩模的步骤S317，并且在电介质层中的开口周围留下介电层的未蚀刻的突出部分; 以及步骤S318，去除电介质层的突出部分，位于底部电极上方的蚀刻停止层的一部分和底部电极的最小部分，以提供包括底部电极的顶表面的平坦化表面和顶表面与沉积在基底上的电介质层相邻（顶表面）。

7. 发明专利

JP5569537B2 Method for manufacturing a piezoelectric device 有权
公开(公告)号：JP5569537B2
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：JP2011543239
申请日：2010-11-22
申请人：株式会社村田製作所
发明人：是清伊藤
IPC分类号： H03H3/02 , H03H3/08
CPC分类号： H01L41/053 , H01L41/18 , H01L41/313 , H03H3/02 , H03H3/08 , H03H9/02007 , H03H9/02574 , H03H9/05 , H03H2003/021 , Y10T29/42 , Y10T29/49126 , Y10T156/1153

8. 发明专利

JP5519326B2 Filter, duplexer, communication module, communication device 有权
公开(公告)号：JP5519326B2
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：JP2010040653
申请日：2010-02-25
申请人：太陽誘電株式会社
发明人：政則上田 , 隆志松田 , 時弘西原
IPC分类号： H03H9/54 , H01L41/09 , H01L41/18 , H01L41/22 , H03H9/17 , H03H9/70
CPC分类号： H03H9/0095 , H03H3/02 , H03H9/585 , H03H9/587 , H03H9/706 , H03H2003/021
摘要： The filter includes: a primary transducer connected to a primary terminal; a secondary transducer connected to a plurality of secondary terminals; and a coupling transducer for mechanically coupling the primary transducer and the secondary transducer.

9. 发明专利

JP5510465B2 Piezoelectric device, method of manufacturing a piezoelectric device 有权
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP5510465B2
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：JP2011553800
申请日：2011-01-28
申请人：株式会社村田製作所
发明人：聖人荒木
IPC分类号： H03H9/17 , H01L41/09 , H01L41/18 , H01L41/22 , H01L41/312 , H01L41/316 , H01L41/319 , H01L41/332 , H03H3/02
CPC分类号： H01L41/29 , G01C19/5783 , H01L21/31144 , H01L41/0475 , H01L41/1138 , H01L41/312 , H01L41/332 , H03H3/02 , H03H9/02047 , H03H9/173 , H03H2003/021 , Y10T29/42
摘要： A piezoelectric device prevents damage to a piezoelectric thin film caused by etching and the manufacturing cost of the piezoelectric device is reduced. On a surface of a support layer formed on a support substrate, an etching adjustment layer is formed. An etchant flows through etching windows to simultaneously form a through hole through which a portion of a sacrificial layer is exposed to a side of a piezoelectric thin film and an opening through which the etching adjustment layer, which is conductive with a lower electrode, is exposed to the side of the piezoelectric thin film. By making an etchant flow through the through hole, the sacrificial layer is removed. A lead-out wiring is formed between an upper electrode and a bump pad and a lead-out wiring is formed between the conductive etching adjustment layer, which is conductive with the lower electrode, and a bump pad.
摘要翻译：压电装置防止由蚀刻引起的压电薄膜的损坏，并且压电装置的制造成本降低。在形成在支撑基板上的支撑层的表面上形成蚀刻调整层。蚀刻剂流过蚀刻窗口以同时形成通孔，牺牲层的一部分暴露于压电薄膜的侧面，并且通过该开口暴露下部电极导电的蚀刻调节层暴露到压电薄膜的一侧。通过使蚀刻剂流过通孔，去除牺牲层。在上电极和凸块焊盘之间形成引出布线，并且在与下电极导电的导电蚀刻调整层与凸块焊盘之间形成引出布线。

10. 发明专利

JPWO2011086986A1 弾性波デバイス、フィルタ、通信モジュール、通信装置有权
公开(公告)号：JPWO2011086986A1
公开(公告)日：2013-05-20
申请号：JP2011549970
申请日：2011-01-11
申请人：太陽誘電株式会社
发明人：横山　剛 , 剛横山 , 眞司谷口 , 眞司谷口 , 西原　時弘 , 時弘西原 , 上田　政則 , 政則上田
IPC分类号： H03H9/17 , H01L41/09 , H01L41/18 , H01L41/22 , H01L41/39 , H03H9/02 , H03H9/54 , H03H9/70
CPC分类号： H03H9/173 , H03H3/04 , H03H9/132 , H03H9/564 , H03H9/587 , H03H9/605 , H03H2003/021 , H03H2003/0428
摘要：【課題】複数の圧電薄膜共振子の少なくとも1つの共振周波数を特性劣化なく移動させて、優れた特性を得る。【解決手段】主共振子及び副共振子を有する弾性波デバイスであって、主共振子及び副共振子は、下部電極43と、下部電極43上に備わる圧電膜44と、圧電膜44上に備わる上部電極45とを備えている。主共振子と副共振子とでは、上部電極45と下部電極43とが対向する共振領域46における単位面積当たりの重さに差を有し、重さの差よりも軽い周波数制御膜51を主共振子及び副共振子のうち少なくともいずれか一方に備える。【選択図】図1A

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式