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    • 6. 发明专利
    • 半導体装置及び半導体装置の作製方法
    • 半导体器件及制造半导体器件的方法
    • JP2016149771A
    • 2016-08-18
    • JP2016027700
    • 2016-02-17
    • 株式会社半導体エネルギー研究所
    • 渡邉 一徳
    • H01L29/786H02M3/155H01L21/822H01L27/04H01L21/336H03K19/00H03F3/217
    • H01L29/7869H03F2203/45138
    • 【課題】2つの電位の誤差を増幅して出力する半導体装置におけるスタンバイ状態からの 復帰に際して生じる動作遅延を抑制する。 【解決手段】チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタによって、トランスコ ンダクタンスアンプの出力端子とキャパシタの一方の電極の電気的な接続を制御する。よ って、トランスコンダクタンスアンプがスタンバイ状態となる場合であっても、当該トラ ンジスタをオフ状態とすることでキャパシタの一方の電極において長期に渡って電荷の保 持を行うことが可能となる。また、トランスコンダクタンスアンプをスタンバイ状態から 復帰する際には、当該トランジスタをオン状態とすることで、キャパシタの充放電を早期 に収束させることができる。これにより、早期に当該半導体装置の動作を定常状態とする ことが可能となる。 【選択図】図1
    • 要解决的问题:为了抑制当放大两个电位的误差并输出误差的半导体器件从待机状态返回时发生的操作延迟。解决方案:通过在氧化物半导体层中形成沟道的晶体管, 跨导放大器的输出端子和电容器的一个电极被控制。 因此,在跨导放大器处于待机状态的情况下,通过使晶体管处于断开状态,可以在电容器的一个电极上长时间保持电荷。 另一方面,当跨导放大器从待机状态返回时,通过使晶体管处于导通状态,电容器的充电和放电可以迅速地收敛。 结果,半导体器件的工作可以及时处于稳定状态。图1: