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1. 发明专利

JP4825269B2 Germanium laser methods and structures on the silicon 有权
公开(公告)号：JP4825269B2
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：JP2008537961
申请日：2006-10-26
申请人：マサチューセッツインスティテュートオブテクノロジー
发明人：ライオネルシーカイマーリング , サジャンサイニ , ドンパン , ユルゲンミッシェル , ジフェンリュー
IPC分类号： H01S5/32 , H01S5/183 , H01S5/34
CPC分类号： H01S5/3427 , B82Y20/00 , H01S5/3086 , H01S5/3223

2. 发明专利

JP2013093339A Germanium optical element 审中-公开
标题翻译：德国光学元件
公开(公告)号：JP2013093339A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：JP2010034078
申请日：2010-01-29
申请人： Hitachi Ltd , 株式会社日立製作所
发明人： TANI KAZUKI , SAITO SHINICHI , SUWA YUJI , ARIMOTO HIDEO , SUGAWARA TOSHIKI
IPC分类号： H01S5/34
CPC分类号： H01S5/3223 , H01S5/021 , H01S5/0424
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a germanium light-emitting element in which light is emitted by direct transition using a commercially available inexpensive SOI wafer, a germanium light-emitting element having superior light-emitting property without applying a significant elongation strain to a germanium single crystal, or a germanium light-emitting element capable of reducing a threshold current for laser oscillation.SOLUTION: A thin film laser diode is provided, on an insulator, with a germanium layer having the (100) plane, or the (110) plane, or a plane direction equivalent crystallographically thereto on the surface. A germanium laser diode includes a thin film germanium fin formed perpendicularly to the substrate direction as a light-emitting part, in which the light-emitting part has the (100) plane, or the (110) plane, or a plane direction equivalent crystallographically thereto on the surface, and has one or a plurality of luminous layers.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供通过使用市售的便宜的SOI晶片通过直接转变发射光的锗发光元件，具有优异的发光性能而不施加显着的伸长应变的锗发光元件能够降低激光振荡的阈值电流的锗单晶或锗发光元件。解决方案：在绝缘体上提供薄膜激光二极管，其具有具有（100）面或（110）面的锗层或在其表面上与其晶体学等效的平面方向。锗激光二极管包括垂直于基板方向形成的薄膜锗翅片作为发光部件，其中发光部件具有（100）面或（110）面，或者在等轴晶面上具有平面方向表面上具有一个或多个发光层。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

3. 发明专利

JP5128604B2 Semiconductor laser device and a semiconductor laser device manufacturing method 有权
公开(公告)号：JP5128604B2
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：JP2009531045
申请日：2007-09-04
申请人：古河電気工業株式会社
发明人：英広谷口 , 宏辰石井 , 武行谷
IPC分类号： H01S5/16
CPC分类号： H01S5/164 , H01S5/0421 , H01S5/162 , H01S5/168 , H01S5/2072 , H01S5/3054 , H01S5/3223 , H01S5/3427

4. 发明专利

JP3974654B2 Phonon resonance device and a method of manufacturing the same 失效
公开(公告)号：JP3974654B2
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：JP52513796
申请日：1996-02-14
申请人：ペインター,ビー.エイ.,ザサード
发明人：ジー．ブラウン，トマス
IPC分类号： H01L29/78 , G02F1/015 , H01L29/66 , H01L29/80 , H01L29/861 , H01L31/0352 , H01L31/10 , H01L33/06 , H01S5/00 , H01S5/10 , H01S5/12 , H01S5/183 , H01S5/30 , H01S5/32 , H01S5/50
CPC分类号： H01L33/06 , G02F1/015 , H01L31/0352 , H01S5/06203 , H01S5/12 , H01S5/183 , H01S5/3031 , H01S5/3223 , H01S5/3224 , H01S5/50

5. 发明专利

JPS57500358A JPS57500358A - 失效
公开(公告)号：JPS57500358A
公开(公告)日：1982-02-25
申请号：JP50102881
申请日：1981-03-26
IPC分类号： H01L21/363 , H01L31/028 , H01L31/074 , H01L31/08 , H01S5/30 , H01S5/32
CPC分类号： H01L31/074 , H01L31/028 , H01S5/30 , H01S5/3027 , H01S5/3223 , Y02E10/547
摘要： A semiconductor device (1) including a monocrystalline region of semiconductor grey tin material (5) in intimate contact with a monocrystalline substrate (3). The region of semiconductor tin (5) is stabilised by interaction with the monocrystalline substrate (3) which has a crystallographic structure isomorphous with the structure of grey tin and an interatomic spacing matched to the interatomic spacing of the semiconductor region (5). The semiconductor region (5) may be further stabilised by inclusion of germanium dopant. The matching substrate (3) may be of indium antimonide, cadmium telluride, germanium or silicon material. Ohmic contact between a region of semiconductor tin (5) and a region of metal white tin (15) may be formed. Details of infra-red photovoltaic and photoconductive devices are given. The semiconductor region of tin may be grown by molecular beam epitaxy.

6. 发明专利

JPWO2013088490A1 半導体光素子有权
标题翻译：一种半导体光学设备
公开(公告)号：JPWO2013088490A1
公开(公告)日：2015-04-27
申请号：JP2013548968
申请日：2011-12-12
申请人：株式会社日立製作所
发明人：忠嗣奥村 , 忠嗣奥村 , 斎藤　慎一 , 慎一斎藤 , 和樹谷 , 和樹谷 , 悦子野本 , 悦子野本 , 克矢小田 , 克矢小田
IPC分类号： H01S5/32 , G02F1/025 , H01L31/10 , H01S5/227 , H01S5/50
CPC分类号： H01L33/34 , H01L31/035272 , H01L31/103 , H01L33/44 , H01S5/021 , H01S5/2214 , H01S5/3211 , H01S5/3219 , H01S5/3223 , H01L2924/01032 , H01L2924/10252
摘要：発光層あるいは光吸収層とクラッド層との界面における転位や結晶欠陥の発生を低減・防止し、発光効率が高い或いは低消費電力で信頼性の高いシリコン・ゲルマニウム半導体光素子を提供するために、シリコン・ゲルマニウム半導体光素子において、基板の上部に配置されるゲルマニウム発光層あるいは光吸収層10とクラッド層12との間に、ゲルマニウム発光層あるいは光吸収層10とは導電性が異なり、非発光のゲルマニウム保護層11を配置する。
摘要翻译：减少或防止在该发光层或光吸收层和所述覆盖层之间的界面的位错和晶体缺陷的发生，以提供具有高发光效率或功耗低的高度可靠的硅锗半导体光学器件，在硅锗半导体光元件中，锗发光层或光吸收层10和包覆层之间设置在所述基板上，不同的导电锗发光层或光吸收层10，非发射的顶部12 放置锗保护层11。

7. 发明专利

JP2014519698A Laser device for emitting waves in the terahertz region 有权
公开(公告)号：JP2014519698A
公开(公告)日：2014-08-14
申请号：JP2014505607
申请日：2012-04-19
申请人：セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク , ユニベルシテ・モンペリエ・ドゥー・シアンス・エ・テクニク
发明人：クナップ、ヴォイチェフ , クリメンコ、オレグ , ミチャギン、ユリ , ソリニャック、ピエール
IPC分类号： H01S1/02
CPC分类号： H01S5/02469 , B82Y20/00 , H01S3/08068 , H01S5/02288 , H01S5/02423 , H01S5/14 , H01S5/3223 , H01S5/3402 , H01S2302/02
摘要：本発明は、テラヘルツ領域に属する周波数範囲の波を放出するレーザー装置であって、軸Ａ−Ａ'に沿って長手方向に延びる導波管（１）と、導波管（１）と同軸に配置され、かつ、導波管（１）の第１端（１１２）に配置される超伝導コイル（４）と、超伝導コイル（４）の巻線によりｐ−Ｇｅーｐドープ・ゲルマニウム結晶（３）が少なくとも部分的に取り囲まれるようにコイル（４）内に配置されるｐ−Ｇｅｐドープ・ゲルマニウム結晶（３）と、冷却剤を含む冷却手段（７）であって、超伝導コイル（４）およびｐ−Ｇｅ結晶（３）がこの冷却手段（７）中に配置され、かつ、導波管（１）は部分的にこの冷却手段（７）の外に延びる、冷却手段（７）と、導波管（１）から冷却剤を除去するための手段（１３）との組み合わせを含むことを特徴とするレーザー装置に関する。
【選択図】図１

8. 发明专利

JP5468011B2 Light-emitting element and the light-receiving element and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP5468011B2
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：JP2010537741
申请日：2009-10-21
申请人：株式会社日立製作所
发明人：慎一斎藤 , 雅博青木 , 信之杉井 , 克矢小田 , 俊樹菅原
IPC分类号： H01S5/30 , H01L31/10 , H01S5/026 , H01S5/125
CPC分类号： H01S5/3201 , H01L31/103 , H01L31/1808 , H01S5/0208 , H01S5/021 , H01S5/026 , H01S5/0264 , H01S5/0424 , H01S5/1032 , H01S5/1231 , H01S5/125 , H01S5/3223 , Y02E10/50

9. 发明专利

JPWO2010055750A1 発光素子並びに受光素子及びその製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2010055750A1
公开(公告)日：2012-04-12
申请号：JP2010537741
申请日：2009-10-21
申请人：株式会社日立製作所
发明人：斎藤　慎一 , 慎一斎藤 , 青木　雅博 , 雅博青木 , 杉井　信之 , 信之杉井 , 克矢小田 , 克矢小田 , 俊樹菅原 , 俊樹菅原
IPC分类号： H01S5/30 , H01L31/10 , H01S5/026 , H01S5/125
CPC分类号： H01S5/3201 , H01L31/103 , H01L31/1808 , H01S5/0208 , H01S5/021 , H01S5/026 , H01S5/0264 , H01S5/0424 , H01S5/1032 , H01S5/1231 , H01S5/125 , H01S5/3223 , Y02E10/50
摘要：本発明の目的は、シリコンなどの基板上に通常のシリコン・プロセスを用いて容易に形成可能で、かつ、高効率に発光するゲルマニウム・レーザ・ダイオードを提供することである。本発明によるゲルマニウム発光素子は、発光層となる単結晶ゲルマニウムに引張り歪みが印加されることで直接遷移型になっており、該ゲルマニウム発光層の両端に隣接して、シリコンまたはゲルマニウムまたはシリコン・ゲルマニウムからなる薄い半導体層が接続されており、なおかつ、該薄い半導体層は量子閉じ込め効果が起こらない程度の厚さを有し、該薄い半導体層のもう一方の端部は高濃度に不純物がドーピングされた厚い電極に接続されており、該電極はp型とn型にそれぞれドーピングされており、なおかつ、該電極と直接接することなく導波路が形成されており、該導波路の端部にはミラーが形成される事を特徴とするゲルマニウム・レーザ・ダイオードである。

10. 发明专利

JP5923121B2 半導体光素子有权
公开(公告)号：JP5923121B2
公开(公告)日：2016-05-24
申请号：JP2013557352
申请日：2012-08-02
申请人：株式会社日立製作所
发明人：谷和樹 , 斎藤慎一 , 小田克矢
IPC分类号： H01S5/34
CPC分类号： H01S5/3223 , H01L33/34 , H01S5/0206 , H01L33/38 , H01S5/021 , H01S5/0424 , H01S5/1228 , H01S5/125 , H01S5/2272

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