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1. 发明专利

JP2016027648A 面発光レーザ、及び前記面発光レーザを用いた光干渉断層計审中-公开
标题翻译：表面发射激光和光学干涉测光仪使用它
公开(公告)号：JP2016027648A
公开(公告)日：2016-02-18
申请号：JP2015132190
申请日：2015-06-30
申请人：キヤノン株式会社
发明人：長友靖浩
IPC分类号： H01S5/065 , H01S5/183 , H01S5/14
CPC分类号： G01B9/02091 , G01B9/02001 , H01S5/142 , H01S5/18366 , H01S5/18308 , H01S5/18341 , H01S5/2063 , H01S5/3432
摘要：【課題】縦モードのモードホップを抑制することで、シングルモードでの波長可変幅を拡大することが可能となる波長可変型面発光レーザを提供すること。【解決手段】下部反射鏡と、活性層と、上部反射鏡と、をこの順に有し、前記活性層と前記上部反射鏡との間に空隙部を備え、出射する光の波長を変化可能な面発光レーザであって、前記空隙部の光路上に、前記面発光レーザの出射光の波長範囲において、光吸収または光利得のある光強度調整部が設けられており、前記光強度調整部、前記上部反射鏡及び前記下部反射鏡の少なくともいずれか2つを変位させることで、出射する光の波長を変化させる面発光レーザ。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种波长可变型表面发射激光器，其能够通过抑制纵向模式的模式跳跃来增加单个模式中的波长可变宽度。解决方案：表面发射激光器被布置成改变发光的波长，并且依次包括下反射器，有源层和上反射器，以及有源层和上反射器之间的间隙部分。表面发射激光器还包括设置在间隙部分中的光路上并且在表面发射激光器的发射光波长范围内具有光吸收或光增益的光强度调节部分。表面发射激光器在位置上改变光强度调节部分，上反射器和下反射器中的至少两个，从而改变发射的光的波长。图1：

2. 发明专利

JP2016027647A 面発光レーザ、及び前記面発光レーザを用いた光干渉断層計审中-公开
标题翻译：表面发射激光和光学干涉测光仪使用它
公开(公告)号：JP2016027647A
公开(公告)日：2016-02-18
申请号：JP2015132184
申请日：2015-06-30
申请人：キヤノン株式会社
发明人：長友靖浩
IPC分类号： G01B11/24 , G01N21/17 , H01S5/183
CPC分类号： G01B9/02091 , G01B9/02001 , H01S5/142 , H01S5/18366 , H01S5/18308 , H01S5/18341 , H01S5/2063 , H01S5/3432
摘要：【課題】縦モードのモードホップを抑制することで、シングルモードでの波長可変幅を拡大することが可能となる波長可変型面発光レーザを提供すること。【解決手段】下部反射鏡と、活性層と、上部反射鏡と、をこの順に有し、前記活性層と前記上部反射鏡との間に空隙部を備える面発光レーザであって、前記空隙部の光路上に前記空隙部の屈折率と異なる屈折率を有する可動部が設けられており、前記可動部、前記上部反射鏡及び前記下部反射鏡の少なくともいずれか2つの光軸方向の位置を変化させることで、出射する光の波長を変化させる面発光レーザ。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种波长可变型表面发射激光器，其能够通过抑制纵向模式的模式跳跃来增加单个模式中的波长可变宽度。解决方案：表面发射激光器包括下反射器，有源层和上反射器，以及有源层和上反射器之间的间隙部分。在表面发射激光器中，在间隙部分的光路上设置具有与间隙部分不同的折射率的可移动部分。表面发射激光器在位置上改变可动部分，上反射器和下反射器中的至少两个在光轴方向上，从而改变发射的光的波长。图1

3. 发明专利

JP2015518280A 端面放射型の半導体ボディを備えている半導体レーザ光源有权
标题翻译：半导体激光光源和一个边缘发射半导体本体
公开(公告)号：JP2015518280A
公开(公告)日：2015-06-25
申请号：JP2015507481
申请日：2013-04-19
申请人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH , オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
发明人：アイヒラークリストフ , アイヒラークリストフ , ブライデナッセルアンドレアス , ブライデナッセルアンドレアス , レルアルフレート , レルアルフレート
IPC分类号： H01S5/10 , H01S5/026
CPC分类号： H01S5/1003 , H01S5/0202 , H01S5/0203 , H01S5/0264 , H01S5/0286 , H01S5/1017 , H01S5/1237 , H01S5/2063 , H01S5/22 , H01S2301/166
摘要：本発明は、端面放射型の半導体ボディ(10)を備えている半導体レーザ光源に関する。半導体ボディ(10)は、n導電型層(111)と、活性層(112)と、p導電型層(113)とを備えている半導体積層体(110)を含んでおり、この半導体積層体(110)は、コヒーレントな部分(21)を含む電磁ビームを形成するように構成されている。半導体レーザ光源は、活性層(112)に対して傾けられて設けられている、半導体ボディ(10)の出力面(101)から、電磁ビームのコヒーレントな部分(21)を出力するように構成されている。半導体ボディ(10)は、出力面(101)に対して傾けられて設けられている別の外面(102A,102B,102C)を有しており、また、少なくとも一つの光散乱部分領域(12,12A,12B,12C,120A,120B)を有している。光散乱部分領域(12,12A,12B,12C,120A,120B)は、半導体積層体(110)によって形成された電磁ビームの一部を別の外面(102A,102B,102C)の方向へと偏向させるために設けられている。
摘要翻译：本发明涉及一种半导体激光光源和一个边缘发射半导体主体（10）。半导体主体（10）中，n导电型层（111），有源层（112）包括：半导体堆叠（110）和p导电型层（113），该半导体叠层体（110）被配置为形成含有相干部分（21）的电磁射束。半导体激光光源设置倾斜相对于所述活性层（112），从所述半导体主体（10）（101），被配置为输出的电磁辐射的相干部分的输出表面（21）有。半导体主体（10），另一个外表面设置倾斜相对于所述输出表面（101）（102A，102B，102C）具有，还包含至少一种光散射部区域（12，图12A，具有12B，12C，120A，和120B）。光散射部区域（12，12A，12B，12C，120A，120B）是由一个半导体堆（110）中的方向上的另一外表面（102A，102B，102C）所形成的电磁辐射的偏转部分这是为了提供。

4. 发明专利

JP2015106607A 波長可変面発光レーザおよびその製造方法およびそれを用いた光干渉断層像取得装置审中-公开
标题翻译：波长可变的服务发射激光及其制造方法，以及光学干涉图像摄影装置
公开(公告)号：JP2015106607A
公开(公告)日：2015-06-08
申请号：JP2013247128
申请日：2013-11-29
申请人：キヤノン株式会社
发明人：中西宏一郎
IPC分类号： G01N21/17 , G01N21/39 , G01B9/02 , H01S5/183
CPC分类号： H01S5/0421 , G01B9/02004 , G01B9/02091 , H01S5/18366 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/18341 , H01S5/2063
摘要：【課題】モノリシック型の波長可変面発光レーザの静電アクチュエータ部の支持部の耐圧を向上させ、高い駆動電圧での駆動を可能とする。【解決手段】第1反射鏡と、活性層と、空隙部と、第2反射鏡と、をこの順に有し、前記第1反射鏡と前記第2反射鏡との間の距離を変化させることによって出射する光の波長を可変とする波長可変面発光レーザであって、前記活性層上に設けられた導電層と、前記導電層上に支持部を介して設けられた前記第2反射鏡を備える導電性の梁部と、前記導電層の前記第2反射鏡と対向する領域と前記支持部との間に設けられた高抵抗領域と、を有し、前記梁部と前記導電層の前記第2反射鏡と対向する領域との間に電圧を印加して前記梁部を変位させることを特徴とする波長可変面発光レーザ。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了增加单片型波长可变表面发射激光器的静电致动器单元的支撑部分的耐受电压，能够驱动高驱动电压。解决方案：提供一种波长可变表面发射激光器，其具有第一反射器，有源层，气隙部分和第二反射器，并且能够通过改变第一反射器和第二反射器之间的距离来改变发射光的波长，波长可变表面发射激光器具有配备有设置在有源层中的导电层的导电束部分和经由支撑部分设置在导电层中的第二反射器，以及设置在面向第二反射器的导电层的区域与支撑部之间的高电阻区域，通过在光束部分和面向第二r的导电层的区域之间施加电压来移位光束部分 eflector。

5. 发明专利

JP5273516B2 Tunnel junction light-emitting element 有权
公开(公告)号：JP5273516B2
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：JP2007509215
申请日：2006-03-15
申请人：日本電気株式会社
发明人：尚文鈴木
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/18308 , H01S5/0202 , H01S5/18311 , H01S5/1833 , H01S5/18369 , H01S5/2063 , H01S5/2275 , H01S5/3095 , H01S5/423

6. 发明专利

JP2013070027A Optical integrated device and method for manufacturing the same 审中-公开
标题翻译：光学集成装置及其制造方法
公开(公告)号：JP2013070027A
公开(公告)日：2013-04-18
申请号：JP2012149952
申请日：2012-07-03
申请人： Furukawa Electric Co Ltd:The , 古河電気工業株式会社
发明人： IWAI NORIHIRO , ISHII HIROTATSU
IPC分类号： H01S5/026
CPC分类号： G02B6/12004 , B82Y20/00 , G02B6/1228 , H01S5/02453 , H01S5/026 , H01S5/0612 , H01S5/106 , H01S5/2063 , H01S5/227 , H01S5/34306
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent characteristics of elements of an optical integrated device from being deteriorated due to a current flowing in the interface of the elements.SOLUTION: There is provided an optical integrated device including: a first optical waveguide formed on a substrate and having a first optical path; electrodes formed on the first optical waveguide; a second optical waveguide formed on the substrate and having the second optical path; and a transparent optical waveguide having a transparent core formed of a material having a band-gap energy greater than that of the first optical path and to be an optical path, and formed between the first optical waveguide and the second optical waveguide on the substrate, in which the electrodes are formed above the first optical waveguide and not formed above the transparent optical waveguide, and an element having the first optical waveguide is an optical active element operated by current injection.
摘要翻译：要解决的问题：为了防止光集成装置的元件的特性由于在元件的界面中流动的电流而劣化。解决方案：提供了一种光学集成器件，包括：形成在衬底上并具有第一光路的第一光波导; 形成在第一光波导上的电极; 形成在所述基板上并具有所述第二光路的第二光波导; 以及透明光波导，其具有由具有比第一光路的带隙能量大的带隙能量的材料形成的透光芯，并且作为光路，并且形成在基板上的第一光波导与第二光波导之间，其中电极形成在第一光波导上方并且不形成在透明光波导上方，并且具有第一光波导的元件是通过电流注入操作的光学有源元件。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP5003416B2 The surface-emitting semiconductor laser 有权
公开(公告)号：JP5003416B2
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：JP2007289009
申请日：2007-11-06
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：裕大西
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18308 , B82Y20/00 , H01S5/0208 , H01S5/0425 , H01S5/06226 , H01S5/18322 , H01S5/18341 , H01S5/18358 , H01S5/18369 , H01S5/2063 , H01S5/3095 , H01S5/34306

9. 发明专利

JP2012054570A Light-emitting device with current inhibition structure and method for manufacturing the same 审中-公开
标题翻译：具有电流抑制结构的发光装置及其制造方法
公开(公告)号：JP2012054570A
公开(公告)日：2012-03-15
申请号：JP2011218965
申请日：2011-10-03
申请人： Cree Inc , クリーインコーポレイテッドCree Inc.
发明人： HABERERN KEVIN , MICHAEL JOHN BERGMANN , MIECZKOWSKI VAN , EMERSON DAVID TODD , JOHN EDMOND
IPC分类号： H01L33/14
CPC分类号： H01L33/145 , H01S5/0421 , H01S5/2063 , H01S5/2068 , H01S5/32341
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting device with a current inhibition mechanism on the underside of a wire bonding pad, and a method for manufacturing the same.SOLUTION: The current inhibition mechanism can make a conductive decreasing region 30 in an active region 14 of a device. The current inhibition mechanism is a damage region of a layer on which a contact 18 is formed, or a Schottky contact between an ohmic contact and the active region of the device. Otherwise, a semiconductor junction, such as a PN junction, is provided between the ohmic contact and the active region.

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