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1. 发明专利

JP2018098264A 量子カスケード半導体レーザ审中-公开
公开(公告)号：JP2018098264A
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：JP2016238726
申请日：2016-12-08
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：橋本順一
IPC分类号： H01S5/34 , H01S5/227
CPC分类号： H01S5/3402 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0281 , H01S5/12 , H01S5/164 , H01S5/2224 , H01S5/2226 , H01S5/227 , H01S5/2275
摘要：【課題】素子端面の付近において乱反射を低減できる量子カスケード半導体レーザを提供する。【解決手段】量子カスケード半導体レーザは、第1端面、第2端面、第1領域及び第2領域を備えるレーザ構造体を備える。レーザ構造体は、基板、半導体積層領域、及び第1埋込半導体領域を含む。半導体積層領域及び第1埋込半導体領域は、基板の主面上に設けられる。第1領域及び第2領域は、半導体積層領域を含む。第1領域の半導体積層領域は、第1軸の方向に延在する第1凹部を含む。第2領域の半導体積層領域は、第1軸の方向に延在する半導体メサを有する。半導体メサはコア層を含み、半導体メサは端面を有する。第1凹部及び半導体メサは一列に整列される。第1埋込半導体領域は、半導体メサの端面を埋め込むように第1領域の第1凹部内に設けられる。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2010272641A Nitride semiconductor light-emitting device 有权
标题翻译：氮化物半导体发光器件
公开(公告)号：JP2010272641A
公开(公告)日：2010-12-02
申请号：JP2009122287
申请日：2009-05-20
申请人： Panasonic Corp , パナソニック株式会社
发明人： YOSHIDA SHINJI , ORITA KENJI , HASEGAWA YOSHITERU , MOCHIDA ATSUNORI
IPC分类号： H01S5/343 , H01S5/028
CPC分类号： H01S5/32341 , H01S5/0281 , H01S5/0283
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an end-face protective film having a small light absorption even in high-power operation and causing no optical breakdown.
SOLUTION: A nitride semiconductor device comprising a group III nitride semiconductor includes: a semiconductor laminated body 50 having a light-emitting end-face; and a first coat film 23 formed so as to cover the light-emitting end-face of the semiconductor laminated body 50. The first coat film 23 is a crystalline film comprising a nitride including an aluminum, the crystalline film includes an aggregation of a plurality of domains with an inclined angle and a rotation angle of a crystalline oriented face mutually identical, and a length of boundary of each domain per unit area is not more than 7 μm
-1 .
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：即使在大功率操作中也能获得具有小的光吸收的端面保护膜，并且不产生光学击穿。解决方案：包括III族氮化物半导体的氮化物半导体器件包括：具有发光端面的半导体层叠体50; 以及形成为覆盖半导体层叠体50的发光端面的第一涂膜23.第一涂膜23是包含包含铝的氮化物的结晶膜，该结晶膜包括多个具有倾斜角度和结晶取向面的旋转角度的区域相互相同的区域，并且每单位面积的每个区域的边界长度不大于7μm -1 。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

3. 发明专利

JP4451371B2 Nitride semiconductor laser element 有权
公开(公告)号：JP4451371B2
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：JP2005298361
申请日：2005-10-13
申请人：シャープ株式会社
发明人：佳伸川口 , 剛神川 , 雅文近藤
IPC分类号： H01S5/028 , C23C14/06 , H01S5/323
CPC分类号： H01S5/028 , B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/0281 , H01S5/0282 , H01S5/2231 , H01S5/34333

4. 发明专利

JP4358646B2 Bulk single crystals of gallium-containing nitride 有权
公开(公告)号：JP4358646B2
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：JP2004033462
申请日：2004-02-10
申请人：アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオンAMMONO Sp.zo.o. , 日亜化学工業株式会社
发明人：イエジ・ガルチニスキ , レシェック・ピョートル・シェシュプトフスキ , ロベルト・トマシュ・ドヴィリニスキ , ロマン・マレク・ドラジニスキ , 康雄神原
IPC分类号： C01G15/00 , C30B29/38 , C30B7/00 , C30B7/10 , C30B9/00 , C30B9/10 , H01S5/028 , H01S5/323
CPC分类号： C30B29/406 , C30B7/00 , C30B7/10 , C30B29/403 , H01S5/0281 , H01S5/32341 , Y10T117/10 , Y10T117/102 , Y10T117/1024
摘要： The present invention refers to an ammonobasic method for preparing a gallium-containing nitride crystal, in which gallium-containing feedstock is crystallized on at least one crystallization seed in the presence of an alkali metal-containing component in a supercritical nitrogen-containing solvent. The method can provide monocrystalline gallium-containing nitride crystals having a very high quality.

5. 发明专利

JP3856300B2 Semiconductor laser element 有权
公开(公告)号：JP3856300B2
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：JP2002065174
申请日：2002-03-11
申请人：ソニー株式会社
发明人：久工藤 , 孝博荒木田
IPC分类号： H01S5/028 , H01S5/024
CPC分类号： H01S5/028 , H01S5/02461 , H01S5/0281

6. 发明专利

JPWO2003098708A1 蛍光体単結晶基板、及びその製法並びにそれを用いる窒化物半導体素子审中-公开
公开(公告)号：JPWO2003098708A1
公开(公告)日：2005-09-22
申请号：JP2004506101
申请日：2002-12-13
申请人：アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオンAMMONO Sp.zo.o. , アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオンAMMONO Sp.zo.o. , 日亜化学工業株式会社
发明人：ロベルト・ドヴィリニスキ , ロマン・ドラジニスキ , イエジ・ガルチニスキ , レシェック・シェシュプトフスキ , 神原　康雄 , 康雄神原
IPC分类号： C01G15/00 , C30B29/38 , C30B7/00 , C30B7/10 , C30B9/00 , C30B9/10 , H01L33/00 , H01S5/028 , H01S5/323
CPC分类号： C30B29/406 , C30B7/00 , C30B7/10 , C30B29/403 , H01S5/0281 , H01S5/32341 , Y10T117/10 , Y10T117/102 , Y10T117/1024
摘要：少なくとも族番号13(IUPAC1989)元素を一つ含有し、窒化物の一般式はXN,XN:Y,又はXN:Y,Zで、XとはB,Al,GaとInから選べられる少なくとも一つの元素である、または一般式のHN:Yで、XとはB、Al、GaとInから選べられる少なくとも一つの元素であり、YとはBe、Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,CdとHgから選べられる少なくとも一つの元素であり、または一般式のHN:Y,Zで、XとはB、Al、GaとInから選べられる少なくとも一つの元素であり、YとはBe、Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,CdとHgから選べられる少なくとも一つの元素であり、ZとはC,Si,Ge,Sn,Pb,OとSから選べられる少なくとも一つの元素である蛍光体基板を有する発光素子である。上記蛍光体基板を超臨界アンモニアを用いて製造し、この上に発光素子を気相成長で形成し、白色光等を放出する波長分布や歩留まりのよい発光素子を得ることができる。

7. 发明专利

JPWO2003036771A1 窒化物半導体レーザ素子、及びその製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2003036771A1
公开(公告)日：2005-02-17
申请号：JP2003539145
申请日：2002-10-28
申请人：アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオンAMMONO Sp.zo.o. , アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオンAMMONO Sp.zo.o. , 日亜化学工業株式会社
发明人：ロベルト・ドヴィリニスキ , ロマン・ドラジニスキ , イエジ・ガルチニスキ , レシェック・シェシュプトフスキ , 神原　康雄 , 康雄神原
IPC分类号： H01S5/028 , C30B7/00 , C30B7/10 , C30B9/00 , C30B29/40 , H01L21/318 , H01S5/00 , H01S5/02 , H01S5/16 , H01S5/22 , H01S5/32 , H01S5/323 , H01S5/343
CPC分类号： C30B29/403 , B82Y20/00 , C30B7/005 , C30B7/10 , C30B9/00 , C30B29/406 , H01S5/021 , H01S5/0213 , H01S5/0218 , H01S5/0281 , H01S5/164 , H01S5/22 , H01S5/3202 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S2304/12
摘要：高出力タイプの共振器端面を備えた窒化物半導体レーザ素子を提供するもので、n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層との間に、Inを含む窒化物半導体からなる活性層を含む共振器を有する窒化物半導体レーザ素子において、前記レーザ素子の対向する共振器端面の少なくとも出射端面に、前記Inを含む窒化物半導体からなる活性層に損傷を与えない低温で形成される単結晶AlxGa1−xN(0≦x≦1)からなる端面膜を形成する。

8. 发明专利

JP2004193257A Semiconductor laser element, manufacturing method thereof, and tool used for the manufacturing method 有权
公开(公告)号：JP2004193257A
公开(公告)日：2004-07-08
申请号：JP2002358080
申请日：2002-12-10
申请人： Sharp Corp , シャープ株式会社
发明人： OSHIMA NOBORU
IPC分类号： H01L27/15 , H01S5/00 , H01S5/028 , H01S5/042 , H01S5/16
CPC分类号： H01S5/028 , H01S5/0281 , H01S5/0425 , H01S5/16
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor laser element that comprises a protective film with which dispersion of an electrode material is suppressed while the light output surface is sufficiently protected.
SOLUTION: The semiconductor laser element comprises a semiconductor substrate where a semiconductor thin film containing an active layer is laminated. A pair of electrodes are provided on both surfaces of the substrate. A light output surface where the active layer and the end of electrode are exposed is formed on the side surface of the substrate. The light output surface is covered with a protective film. The part of the protective film which covers the end of the electrode is formed thinner than the part that covers the active layer.
COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

9. 发明专利

KR102228664B1 KR102228664B1 - Quantum well passivation structure for laser facets 有权
公开(公告)号：KR102228664B1
公开(公告)日：2021-03-18
申请号：KR1020190079988A
申请日：2019-07-03
申请人： 투-식스 델라웨어, 인코포레이티드
发明人： 아쿠보비치 아브람
IPC分类号： H01S5/028 , H01S5/22
CPC分类号： H01S5/06825 , H01S5/0021 , H01S5/0281 , H01S5/0282 , H01S5/22 , H01S5/2228 , H01S5/34 , H01S5/3407 , H01S5/4043 , H01S5/0283 , H01S5/4031
摘要： 단면 발광 레이저 다이오드는 박막의 반도체 물질(예를 들어, 실리콘, 게르마늄, 또는 안티몬) 및 유전체 배리어를 교대로 포함하는 양자 우물 패시베이션 구조를 포함하도록 형성된다. 반도체 층은 양자 우물을 형성할만큼 충분히 얇고, 인접한 양자 우물 사이에서 배리어 역할을 하는 유전체 배리어를 갖는다. 패싯에 인접한 반도체 층은 결정질 물질로 형성되고, 비정질 물질로 형성된 나머지 양자 우물을 갖는다. 상기 구조 및 구조를 형성하는 방법은 벌크(두꺼운) 실리콘 패시베이션 층을 사용하는 소자보다 높은 수준의 COD를 나타내는 구성을 제공한다.

10. 发明专利

JP2015088517A 量子カスケードレーザ有权
标题翻译：量子CASCADE激光
公开(公告)号：JP2015088517A
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：JP2013223262
申请日：2013-10-28
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：杉山厚志 , 枝村忠孝 , 秋草直大
IPC分类号： H01S5/34 , H01S5/22 , H01S5/028
CPC分类号： H01S5/3401 , H01S5/028 , H01S5/0281 , H01S5/0285 , H01S5/0286 , H01S5/0287 , H01S5/34 , H01S5/0207 , H01S5/22
摘要：【課題】レーザ素子の製造工程における反射制御膜の変質、劣化を抑制することが可能な量子カスケードレーザを提供する。【解決手段】半導体基板10と、基板10上に設けられて量子井戸発光層と注入層とが交互に積層されたカスケード構造を有する活性層15とを備え、基板10を含む基体部20と、活性層15を含むストライプ状のリッジ部25とを有して量子カスケードレーザ1Aを構成する。また、レーザ1Aの共振方向の端面11上に、リッジ端面上から基体端面上にわたって反射制御膜30を形成するとともに、基体端面上において、基体端面のリッジ部25側の第1辺に隣接する第2辺、第3辺、及び第1辺に対向する第4辺について、それらの3辺のそれぞれから所定幅の近傍領域を除く領域に反射制御膜30が形成されている構成とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够抑制反射控制膜在激光元件的制造过程中变化和劣化的量子级联激光器。解决方案：量子级联激光器1A包括半导体衬底10和设置在其上的有源层15 衬底10并且具有量子阱发光层和注入层交替层叠的级联结构，并且包括包括衬底10的基体物质部分20和包括有源层15的条形脊部分25。在量子级联激光器，在激光器1A的谐振方向的端面11上形成反射控制膜30，反射控制膜30从脊端面向基体端面形成，反射控制膜30也形成在除从基体物质端部的脊部25侧的与第一侧相邻的第二侧面和第三侧面的三侧中的每一侧的预定宽度的附近区域面和第四面朝向第一面。

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