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1. 发明专利

JP2018152436A 半導体レーザ审中-公开
公开(公告)号：JP2018152436A
公开(公告)日：2018-09-27
申请号：JP2017046616
申请日：2017-03-10
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：勝山造 , 加藤隆志
IPC分类号： H01S5/343
CPC分类号： H01S5/3402 , H01S5/0421 , H01S5/0424 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2228 , H01S5/227 , H01S5/3213 , H01S5/3407 , H01S5/3408 , H01S5/343 , H01S5/34346
摘要：【課題】発光機構に縦続的な光学遷移を利用せずにサブバンド遷移による発光を用いる半導体レーザを提供する。【解決手段】半導体レーザは、複数の量子井戸構造を含み、上面、下面、第1側面、第2側面及び第3側面を有する発光領域と、発光領域の第1側面、第2側面、上面、及び下面の少なくともいずれか一方上に設けられた第1導電型半導体を含むエミッタ領域と、発光領域の第1側面、第2側面及び第3側面の少なくともいずれか一方上に設けられた量子フィルタ構造を含むコレクタ領域と、を備え、量子井戸構造は、高エネルギー準位及び低エネルギー準位を提供するサブバンド構造を有し、量子井戸構造は、導波路軸に交差する第1軸の方向に配列され、コレクタ領域は、半導体メサ上においてエミッタ領域から隔置されており、第1側面及び前記第2側面は、導波路軸の方向に延在し、第3側面は、導波路軸に交差する方向に延在する。【選択図】図1

2. 发明专利

KR102228664B1 KR102228664B1 - Quantum well passivation structure for laser facets 有权
公开(公告)号：KR102228664B1
公开(公告)日：2021-03-18
申请号：KR1020190079988A
申请日：2019-07-03
申请人： 투-식스 델라웨어, 인코포레이티드
发明人： 아쿠보비치 아브람
IPC分类号： H01S5/028 , H01S5/22
CPC分类号： H01S5/06825 , H01S5/0021 , H01S5/0281 , H01S5/0282 , H01S5/22 , H01S5/2228 , H01S5/34 , H01S5/3407 , H01S5/4043 , H01S5/0283 , H01S5/4031
摘要： 단면 발광 레이저 다이오드는 박막의 반도체 물질(예를 들어, 실리콘, 게르마늄, 또는 안티몬) 및 유전체 배리어를 교대로 포함하는 양자 우물 패시베이션 구조를 포함하도록 형성된다. 반도체 층은 양자 우물을 형성할만큼 충분히 얇고, 인접한 양자 우물 사이에서 배리어 역할을 하는 유전체 배리어를 갖는다. 패싯에 인접한 반도체 층은 결정질 물질로 형성되고, 비정질 물질로 형성된 나머지 양자 우물을 갖는다. 상기 구조 및 구조를 형성하는 방법은 벌크(두꺼운) 실리콘 패시베이션 층을 사용하는 소자보다 높은 수준의 COD를 나타내는 구성을 제공한다.

3. 发明专利

JPS59124185A Embedded type semiconductor laser and manufacture thereof 失效
标题翻译：嵌入式半导体激光器及其制造
公开(公告)号：JPS59124185A
公开(公告)日：1984-07-18
申请号：JP23452682
申请日：1982-12-28
申请人： Hitachi Ltd
发明人： TODOROKI SATORU
IPC分类号： H01S5/00 , H01S5/22 , H01S5/227
CPC分类号： H01S5/227 , H01S5/2227 , H01S5/2228 , H01S5/2275
摘要： PURPOSE:To decrease a current flowing a part other than an active layer to the large extent, by embedding and growing a plurality of P-N junction layers, which have larger forbidden band width than the forbidden band widths of P type InP and N type InP or the active layer. CONSTITUTION:On an N type InP substrate 1, the following layers are laminated; an N type InP lightguide layer 2, an N or P type InGaAsP active layer 3 which has a smaller forbidden band widht than that of the layer 2, a P type InP lightguide layer 4 and a P type InGaAsP cap layer 5 which has a forbidden band width larger than that of the layer 3 and smaller than that of the layer 4. Then, a stripe shaped mask 6 is formed on the layer 5. The area, which is not covered by the mask 6, is etched to a part of the layer 2 by mesa etching. Then, a plurality of P-N junctions layers 7 are embedded and laminated in the etched region. Thereafter, the mask 6 is removed, and a P diffused layer 8 reaching a part of the layer 4 is formed in this part. Electrodes 9 and 10 are formed on the surface including the layer 8 and the back surface of the substrate 1, respectively. In this way, a current flowing a part other than the layer 3 is largely decreased, and the elongation of a life is implemented.
摘要翻译：目的：通过嵌入和生长具有比P型InP和N型InP的禁带宽更大的禁带宽度的多个PN结层，来减少流过活性层以外的部分的电流，活动层。构成：在N型InP基板1上层叠以下层; N型InP光导层2，具有比层2更小的禁带宽度的N或P型InGaAsP有源层3，具有禁止的P型InP光导层4和P型InGaAsP覆盖层5 带宽大于层3的宽度，并且小于层4的宽度。然后，在层5上形成条形掩模6.未被掩模6覆盖的区域被蚀刻到层2通过台面蚀刻。然后，将多个P-N结层7嵌入并层压在蚀刻区域中。此后，去除掩模6，并且在该部分中形成到达层4的一部分的P +扩散层8。电极9和10分别形成在包括基板1的层8和背面的表面上。以这种方式，流过除了层3之外的部分的电流大大降低，并且实现寿命的延长。

4. 发明专利

JP2017168594A 面発光量子カスケードレーザ有权
公开(公告)号：JP2017168594A
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：JP2016051670
申请日：2016-03-15
申请人：株式会社東芝
发明人：斎藤真司 , 角野努 , 山根統 , 津村明
IPC分类号： H01S5/18
CPC分类号： H01S5/3402 , H01S5/0425 , H01S5/105 , H01S5/18 , H01S5/183 , H01S2301/145 , H01S5/2027 , H01S5/2228
摘要：【課題】赤外線からテラヘルツ波の波長帯において、高出力化が容易な面発光量子カスケードレーザを提供する。【解決手段】面発光量子カスケードレーザは、活性層と、第1の半導体層と、第1の電極と、を有する。前記活性層は、複数の量子井戸層が積層され、サブバンド間遷移によりレーザ光を放出する。前記第1の半導体層は、前記活性層の上に設けられ、複数のピットが二次元の格子を構成するように設けられた第1の面を有する。前記第1の電極は、前記第1の半導体層の上に設けられ、周期的な開口部を有する。それぞれのピットは、前記格子の辺に平行な線に関して非対称である。前記レーザ光は、前記開口部に露出したピットから前記活性層に対して概ね垂直方向に出射される。【選択図】図1

5. 发明专利

JP6182230B1 面発光量子カスケードレーザ有权
公开(公告)号：JP6182230B1
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：JP2016051670
申请日：2016-03-15
申请人：株式会社東芝
发明人：斎藤真司 , 角野努 , 山根統 , 津村明
IPC分类号： H01S5/34 , H01S5/12 , H01S5/18
CPC分类号： H01S5/3402 , H01S5/0425 , H01S5/105 , H01S5/18 , H01S5/183 , H01S2301/145 , H01S5/2027 , H01S5/2228
摘要：【課題】赤外線からテラヘルツ波の波長帯において、高出力化が容易な面発光量子カスケードレーザを提供する。【解決手段】面発光量子カスケードレーザは、活性層と、第1の半導体層と、第1の電極と、を有する。前記活性層は、複数の量子井戸層が積層され、サブバンド間遷移によりレーザ光を放出する。前記第1の半導体層は、前記活性層の上に設けられ、複数のピットが二次元の格子を構成するように設けられた第1の面を有する。前記第1の電極は、前記第1の半導体層の上に設けられ、周期的な開口部を有する。それぞれのピットは、前記格子の辺に平行な線に関して非対称である。前記レーザ光は、前記開口部に露出したピットから前記活性層に対して概ね垂直方向に出射される。【選択図】図1

6. 发明专利

JPWO2017115552A1 光源装置及び撮像システム审中-公开
公开(公告)号：JPWO2017115552A1
公开(公告)日：2018-10-18
申请号：JP2016082167
申请日：2016-10-28
申请人：ソニー株式会社
发明人：大木智之 , 古川昭夫
IPC分类号： A61B1/06 , G02B23/26 , A61B1/00
CPC分类号： G09G3/22 , A61B1/00006 , A61B1/00055 , A61B1/00057 , A61B1/04 , A61B1/0638 , A61B1/0661 , A61B1/0684 , G02B23/24 , G09G2310/0264 , H01S5/2228 , H05B37/03 , H05B39/042
摘要：【課題】実際の光源の劣化状態に応じて、ユーザに対して警告を行うことが可能な光源装置を提案する。【解決手段】光源装置は、少なくとも1つの光源と、光源から出射される出射光を検出する光モニタ部と、光モニタ部により検出される検出値が所定の目標値を示すように光源の駆動電流又は印加電圧を制御する光源駆動部と、光源の駆動電流又は印加電圧が所定の基準値に到達したときに1次警告を行い、1次警告が行われた後、光源の劣化レベルに基づいて所定の処理を行う警告部と、を備える。【選択図】図4

8. 发明专利

JP2015515132A セルフモード同期半導体ディスクレーザ（ＳＤＬ）有权
标题翻译：自锁模半导体激光器磁盘（SDL）
公开(公告)号：JP2015515132A
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：JP2015502450
申请日：2013-03-27
申请人：ソーラステクノロジーズリミテッドSolus Technologies Limited , ソーラステクノロジーズリミテッドSolus Technologies Limited
发明人：ジェームズハミルトン，クレイグ , ジェームズハミルトン，クレイグ , ピーターアレクサンダーマルコム，グレイム , ピーターアレクサンダーマルコム，グレイム , コーナスゼウスキ，ルーカス
IPC分类号： H01S5/065 , G02F1/35 , H01S5/022 , H01S5/14
CPC分类号： H01S5/2228 , H01S3/0805 , H01S3/0813 , H01S3/0816 , H01S3/094053 , H01S3/1112 , H01S5/02484 , H01S5/041 , H01S5/065 , H01S5/0657 , H01S5/141 , H01S5/183
摘要：本発明は、セルフモード同期レーザと、セルフモード同期レーザの製造方法に関する。このレーザ(1)は、第1のミラー(3)と第2のミラー(4)によって終端し、第3のミラー(5)によって折り返した共振器を具える。第3のミラーは、単一の分布ブラッグ反射器(17)を具え、その上には、多層半導体利得媒体(18)が装着されている。また、少なくとも1の量子ウエル層と、光学的カーレンズ効果を示す層(22)を具える。セルフモード同期レーザは、レーザ共振器を、カーレンズ効果を示す層のレンズ効果が、キャビティモードに意図的に導入された非点収差を低減させるように作用するように構成することによって、達成される。レーザのセルフモード同期は、共振器の長さを、キャビティモードの往復時間が、利得媒体内に配置した一またはそれ以上の半導体キャリアのアッパー状態寿命に合致するように選択することによって、更に強化される。【選択図】図1
摘要翻译：本发明包括一个自锁模激光器，用于产生自锁模激光器的方法。的激光器（1），第一反射镜（3）和终止由第二反射镜（4）包括由所述第三反射镜（5）折叠的谐振器。第三反射镜包括单个分布式布拉格反射器（17），是被安装在多层半导体增益介质（18）上。此外，包含至少一个量子阱层，的光学克尔透镜效果的层（22）。自锁模激光器，激光谐振器，示出了克尔透镜效果的层，与被故意引入空腔模式的结构描述的动作，以减少散光的透镜效果，实现这一点。由腔模的往返时间的谐振器的长度的激光自锁模被选择为设置在所述增益介质中的半导体载流子的一个或多个上态寿命匹配，进一步加强是的。点域1

9. 发明专利

KR102227495B1 KR102227495B1 - Laser diode device and method for producing the same 有权
公开(公告)号：KR102227495B1
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：KR1020140157879A
申请日：2014-11-13
申请人： 한국전기연구원
发明人： 허두창 , 최성수
IPC分类号： H01S5/343
CPC分类号： H01S5/3409 , H01L21/20 , H01S5/2228
摘要： n 형 클래딩층(cladding layer); n 형 클래딩층 상에 형성되는 제 1 SCH(Separate-Confinement Heterostructure)층; 제 1 SCH층 상에 형성되는 양자 우물층; 양자 우물층 상에 형성되는 제 2 SCH층; 제 2 SCH층 상에 형성되는 p 형 클래딩층; 및 n 형 클래딩층의 소정 지점에 삽입되며, n 형 클래딩층과 이종(異種)의 물질로 구성되는 적어도 하나의 모드 제어층을 포함하는 것을 특징으로 하는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 다이오드 소자가 개시된다.

10. 发明专利

JP4443674B2 InP-based semiconductor laser device and a manufacturing method thereof 有权
公开(公告)号：JP4443674B2
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：JP17782399
申请日：1999-06-24
申请人：古河電気工業株式会社
发明人：智一向原 , 則広岩井 , 均清水 , 秋彦粕川
IPC分类号： H01S5/00 , H01S5/22 , H01S5/223 , H01S5/227 , H01S5/343
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/2215 , H01S5/2228 , H01S5/2231 , H01S5/2275 , H01S5/34306 , H01S5/3434

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