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1. 发明专利

JP6316899B2 レーザ発振器有权
公开(公告)号：JP6316899B2
公开(公告)日：2018-04-25
申请号：JP2016203743
申请日：2016-10-17
申请人：ファナック株式会社
发明人： ▲高▼實哲久
IPC分类号： H01S5/40 , H01S5/022 , H01S5/042 , G02B6/42 , G02B13/00 , H01S5/024
CPC分类号： H01S5/02288 , H01S5/005 , H01S5/02216 , H01S5/02252 , H01S5/02284 , H01S5/02415 , H01S5/02438 , H01S5/02446 , H01S5/042 , H01S5/4012

2. 发明专利

JP2018006365A 電流制御装置及びレーザ装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018006365A
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：JP2016126370
申请日：2016-06-27
申请人：株式会社ミツトヨ
发明人：大関衡和 , 松浦敏晋
IPC分类号： H01S5/02 , H01S3/042 , H01S3/0941 , H01S3/109 , G02F1/37 , H01S5/062
CPC分类号： H01S3/137 , H01S3/0078 , H01S3/0092 , H01S3/109 , H01S3/1305 , H01S3/1312 , H01S3/1317 , H01S3/1392 , H01S3/1611 , H01S3/1673 , H01S5/02415 , H01S5/02446 , H01S5/042 , H01S5/0604 , H01S5/0612 , H01S5/06808 , H01S5/0683
摘要：【課題】起動直後の過渡状態においてレーザ装置の出射パワーのオーバーシュートを抑制する。【解決手段】電流制御装置42は、半導体レーザ11にレーザ光を出力させるために、半導体レーザ11に電流を供給する電流制御装置42であって、所定の強さのレーザ光を出力するための電流値に対応する目標指令値に達するまで、電流の値に対応する指令値を時間経過とともに増加させて出力する電流指令部と、電流指令部が出力した指令値に対応する大きさの電流を半導体レーザ11に供給する供給部とを備える。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2015230991A 変調光源有权
标题翻译：调制光源
公开(公告)号：JP2015230991A
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：JP2014117046
申请日：2014-06-05
申请人：富士通株式会社
发明人：秋山知之
IPC分类号： G02F1/025 , H01S5/14 , H01S5/06 , H01S5/0687
CPC分类号： G02F1/025 , H01S3/107 , H01S5/0687 , H01S5/142 , G02F2201/58 , G02F2203/055 , H01S3/0826 , H01S3/106 , H01S3/108 , H01S5/02446 , H01S5/4062 , H01S5/4068 , H01S5/4087
摘要：【課題】変調光源の信頼性の確保と波長調節機構及び変調の電力効率の向上との双方の要請を満足し、DFBレーザ等を用いることによる問題も生じない優れた微細な変調光源を実現する。【解決手段】光増幅器1の一端に形成された反射膜1aと、帯域通過特性を有し、通過中心波長を変調する光波長フィルタ2と、光波長フィルタ2を通過した光を光増幅器1に帰還させ、反射膜1aとの間で光共振器が構成される光反射機構3と、光波長フィルタ2の帯域通過特性により特定の発振波長で選択的に光発振するに際して、通過中心波長を特定の発振波長と一致するように調節する波長調節機構とを備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了实现优异的调制光源，其中既满足了调制光源的可靠性的确保和波长调整机构的改善以及调制的功率效率的要求，也存在由于使用DFB激光器或可以不发生。解调：调制光源包括：形成在光放大器1的一端的反射膜1a; 具有带通特性并调制通过中心波长的光波长滤波器2; 通过使光波长滤波器2的光反射回光放大器1的光反射机构3，在反射膜1a与其本身之间构成光谐振器; 以及波长调节机构，其中当光通过光波长滤光器2的带通特性在特定振荡波长中选择性地振荡时，调整通过中心波长以与特定振荡波长一致。

4. 发明专利

JP2014192705A Electronic device, quantum interference device, atomic oscillator, electronic apparatus and mobile 有权
标题翻译：电子设备，量子干扰装置，原子振荡器，电子设备和手机
公开(公告)号：JP2014192705A
公开(公告)日：2014-10-06
申请号：JP2013066357
申请日：2013-03-27
申请人： Seiko Epson Corp , セイコーエプソン株式会社
发明人： CHINDO KOJI
IPC分类号： H03L7/26 , H01S1/06
CPC分类号： H01S5/0687 , G04F5/145 , H01S5/02 , H01S5/02212 , H01S5/02446 , H01S5/183 , H03B17/00 , H03L1/04 , H03L7/26
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electronic device in which temperature variation of two electronic components in a package can be suppressed while down-sizing, and to provide a quantum interference device and an atomic oscillator in which temperature variation of the light emission part and a gas cell in the package can be suppressed while down-sizing, and to provide an electronic apparatus and a mobile including such an atomic oscillator.SOLUTION: An atomic oscillator 1 includes a first unit 2 and a second unit 3 arranged while spaced apart from each other, and a package 5 housing the first unit 2 and second unit 3 and having an internal space S in a state of pressure reduced from the atmospheric pressure. Outer surface of the first unit 2 and second unit 3 has a reflectance of 50% or more for the electromagnetic waves having a wavelength of 4 μm.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种电子装置，其中可以在减小尺寸的同时抑制封装中的两个电子部件的温度变化，并提供量子干涉装置和原子振荡器，其中发光部分和可以在缩小尺寸的同时抑制封装中的气室，并提供包括这种原子振荡器的电子设备和移动体。解决方案：原子振荡器1包括第一单元2和第二单元3，第一单元2和第二单元3 以及容纳第一单元2和第二单元3并且具有从大气压力降低的压力的内部空间S的包装5。对于波长为4μm的电磁波，第一单元2和第二单元3的外表面的反射率为50％以上。

5. 发明专利

JP5231806B2 A laser light source, and a display device using the same 有权
公开(公告)号：JP5231806B2
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：JP2007535517
申请日：2006-09-13
申请人：パナソニック株式会社
发明人：博之古屋 , 公典水内 , 和久山本
IPC分类号： H01S3/109 , G02F1/37
CPC分类号： G03B21/2033 , G02F1/133621 , G03B21/2086 , H01S3/005 , H01S3/0405 , H01S3/042 , H01S3/0604 , H01S3/0627 , H01S3/08072 , H01S3/09415 , H01S3/109 , H01S3/1611 , H01S3/1671 , H01S3/1673 , H01S3/2383 , H01S5/024 , H01S5/02446 , H01S5/1014 , H01S5/4031

6. 发明专利

JPWO2011102378A1 ファイバレーザ装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2011102378A1
公开(公告)日：2013-06-17
申请号：JP2011523629
申请日：2011-02-16
申请人：株式会社フジクラ
发明人：真一阪本 , 真一阪本
IPC分类号： H01S3/10 , H01S3/04 , H01S5/0687
CPC分类号： H01S3/06754 , H01S3/0404 , H01S3/042 , H01S3/06704 , H01S3/09408 , H01S3/09415 , H01S3/10007 , H01S5/02248 , H01S5/02407 , H01S5/02446 , H01S5/0612 , H01S5/4025
摘要：本発明に係るファイバレーザ装置のPA部(3)は、増幅用ファイバ(4)と、増幅用ファイバ(4)を励起するためのLD(5)と、LD(5)が発生する熱を吸収するLD用ヒートシンク(6a)と、LD用ヒートシンク(6a)の熱抵抗Rthを制御するLD用ファン(7a)、サーミスタ(8)およびCPU(9)と、を備える。LD(5)の温度は、その発振波長が増幅用ファイバ(4)の吸収率が極大となる波長となるときの温度Tpeakに近づくようにLD用ヒートシンク(6a)の熱抵抗Rthを変化させることによって制御される。

7. 发明专利

JPWO2008050537A1 半導体レーザ装置及びその駆動方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2008050537A1
公开(公告)日：2010-02-25
申请号：JP2008540906
申请日：2007-08-29
申请人： Nttエレクトロニクス株式会社
发明人：近藤　信行 , 信行近藤 , 天野　主税 , 主税天野
IPC分类号： H01S5/06 , H01S5/14
CPC分类号： H01S5/0612 , H01S5/02415 , H01S5/02446 , H01S5/065 , H01S5/0652 , H01S5/06812 , H01S5/0683 , H01S5/141 , H01S5/146 , H01S2301/16
摘要：本発明に係る半導体レーザ装置は半導体レーザ、光導波路若しくは回折格子の温度を周期的に変動させつつ光を出力すること、光導波路若しくは回折格子に機械的な周期的変動をさせつつ光を出力すること又は半導体レーザに周期的若しくは非周期的に変動する戻り光を入射させることとした。半導体レーザ、光導波路若しくは回折格子の温度に周期的変動を与えること、光導波路若しくは回折格子に機械的な周期的変動を与えること又は半導体レーザに戻り光を入射させることで、半導体レーザはシングルモード発振とマルチモード発振との間を移行することなく、低出力から高出力までマルチモード発振する。従って、本発明は、電流と光出力とが比例するIL特性の半導体レーザ装置及びその駆動方法を提供することができる。

8. 发明专利

JP6319460B2 波長可変レーザ装置有权
公开(公告)号：JP6319460B2
公开(公告)日：2018-05-09
申请号：JP2016563501
申请日：2015-12-08
申请人：日本電気株式会社
发明人：小林直樹
IPC分类号： H01S5/14 , H01S5/026
CPC分类号： H01S5/068 , G02F1/011 , G02F2201/06 , G02F2203/15 , G02F2203/21 , H01S3/083 , H01S3/106 , H01S5/02446 , H01S5/02469 , H01S5/026 , H01S5/14 , H01S5/142

9. 发明专利

JP2017059661A 外部共振器型レーザ装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017059661A
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：JP2015182748
申请日：2015-09-16
申请人：ウシオ電機株式会社
发明人：新森辰則
IPC分类号： H01S5/022 , G02F1/37 , H01S5/14
CPC分类号： H01S5/141 , H01S5/02236 , H01S5/02252 , H01S5/0226 , H01S5/14 , H01S3/109 , H01S5/0071 , H01S5/02446 , H01S5/02469 , H01S5/0261
摘要：【課題】半導体素子の反射面及びVBG等の光学素子の反射面が非平行となる要因の発生を抑制することにより、レーザ光の出力低下を抑制可能な外部共振器型レーザ装置を実現することを目的とする。【解決手段】外部共振器型レーザ装置は、半導体素子から出射される光のうち、特定の波長帯を選択して反射することにより、半導体素子との間で外部共振器を形成する光学素子と、光学素子に比べて線膨張係数が大きい材料からなる支持部材と、光学素子と支持部材との間に位置し、支持部材に比べて光学素子に近い線膨張係数の材料からなる第一マウントと、を有する。光学素子は、第一マウントに接着される。第一マウントは、ショア硬度が65以下の接着剤により支持部材に接着される。【選択図】図3

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