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1. 发明专利

JP5950147B2 光源装置、プロジェクタ、及び光源装置の製造方法有权
标题翻译：光源装置，投影仪，和一个光源装置的制造方法
公开(公告)号：JP5950147B2
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：JP2011204429
申请日：2011-09-20
申请人：カシオ計算機株式会社
发明人：肥後富男
IPC分类号： G03B21/14 , F21Y115/10 , F21S2/00
CPC分类号： G03B21/204 , G03B21/2066 , G03B21/2093 , H01S5/02 , H01S5/02212 , H01S5/02256 , H01S5/0226 , H01S5/02276 , H01S5/02288 , Y10T29/4978

2. 发明专利

JP5796181B2 窒化物半導体発光装置有权
公开(公告)号：JP5796181B2
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：JP2014516644
申请日：2013-04-04
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：左文字克哉 , 山中一彦 , 吉田真治 , 萩野裕幸
IPC分类号： H01L33/32 , H01S5/343 , H01L33/64 , H01S5/022
CPC分类号： H01L33/12 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/145 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L33/483 , H01L33/64 , H01S5/0206 , H01S5/0226 , H01S5/02272 , H01S5/02469 , H01S5/02476 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01L2224/48091 , H01L33/641 , H01S2304/04 , H01S5/02212

3. 发明专利

JPWO2012165375A1 樹脂組成物、それを用いた半導体装置および半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：树脂组合物，半导体装置及使用该制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JPWO2012165375A1
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：JP2013518077
申请日：2012-05-28
申请人：住友ベークライト株式会社
发明人：竜一村山 , 竜一村山 , 安雄下邊 , 安雄下邊 , 金森　直哉 , 直哉金森
IPC分类号： H01L21/52 , C09J11/04 , C09J11/08 , C09J163/00 , C09J201/00 , H01L33/48
CPC分类号： C09J9/02 , C08K3/10 , C08K7/18 , C08K2003/0806 , C08K2201/001 , C08K2201/005 , C09J11/04 , C09J163/00 , H01L23/3107 , H01L23/49513 , H01L24/73 , H01L33/62 , H01L33/64 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/15747 , H01S5/0226 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：本発明により、作業性に優れた樹脂組成物が提供される。本発明のペースト状の樹脂組成物は、半導体素子と基材とを接着し、(A)熱硬化性樹脂と、(B)金属粒子を含有している。そして(B)金属粒子は、フロー式粒子像解析装置による体積基準粒度分布におけるd95が、10μm以下である。換言すれば、粒子径が10μmを超える金属粒子の体積割合が5%未満である。ここで、d95とは、累積体積割合が95%となる粒子径を示す。
摘要翻译：本发明中，提供了一种具有优良的加工性的树脂组合物。粘附到本发明和基底半导体元件，以及（A）热固性树脂和含有（B）金属颗粒的糊树脂组合物。所述（B）金属颗粒，使用流动式粒子图像分析的基于体积D95粒度分布为10μm以下。换句话说，具有粒径大于10μm的金属颗粒的体积分数小于5％。在此，D95，显示了颗粒尺寸的累积体积比率为95％。

4. 发明专利

JP5265025B2 Optical coupling structure and optical transceiver module 有权
公开(公告)号：JP5265025B2
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：JP2011549015
申请日：2011-01-06
申请人：株式会社フジクラ
发明人：直樹木村 , 将人瀧ケ平
IPC分类号： G02B6/42 , H01L31/0232 , H01L33/54
CPC分类号： H01S5/02284 , G02B6/4214 , G02B6/422 , G02B6/4239 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01S5/0226 , H01S5/02276 , H01S5/02292 , H01S5/4025 , H01L2924/00014
摘要： An optical coupling structure according to the present invention includes an optical semiconductor element including a light receiving/emitting portion on an upper face thereof and is mounted on a substrate on a side of a lower face thereof, an optical transmission path having an optical axis that intersects the optical axis of the optical semiconductor element at a predetermined angle and is arranged separately from a mounting face of the substrate, and an optical coupling portion configured to convert the optical path between the optical semiconductor element and the optical transmission path and optically couple the optical semiconductor element and the optical transmission path. The optical coupling portion is made of a resin that is transparent with respect to a transmitted light, the resin adhering to both at least a portion of the light receiving/emitting portion of the optical semiconductor element and at least a portion of the end portion of the optical transmission path, and the optical semiconductor element and the optical transmission path are bonded to each other with the resin itself that constitutes the optical coupling portion.

5. 发明专利

JP2012014002A Semiconductor device, method for manufacturing the same, integrated substrate, optical module, and optical communication device 审中-公开
标题翻译：半导体器件，其制造方法，集成衬底，光学模块和光通信设备
公开(公告)号：JP2012014002A
公开(公告)日：2012-01-19
申请号：JP2010151244
申请日：2010-07-01
申请人： Qd Laser Inc , 株式会社Qdレーザ
发明人： NISHI KENICHI , KAGEYAMA TATSUO
IPC分类号： G02B6/122 , H01L33/06 , H01S5/343
CPC分类号： G02B6/12004 , B82Y20/00 , H01S5/0224 , H01S5/0226 , H01S5/3412
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress occurrence of peeling-off between a semiconductor layer made of In-free III-V compound semiconductor and a substrate, in a structure in which the semiconductor layer made of In-free III-V compound semiconductor is joined to a Si surface of the substrate.SOLUTION: A method for manufacturing a semiconductor device includes a step for forming a joint layer 22 made of multiple quantum dots of InAs on the surface of a contact layer 44, which is made of GaAs that is In-free III-V compound semiconductor and is an outermost surface layer of a laminated semiconductor layer 46 including an active layer 38 which oscillates light and is formed over the main surface of a GaAs substrate 32, and a step for joining the surface of the contact layer 44 to a Si surface of a Si thin-film layer 16 included in a substrate 10 through the joint layer 22.
摘要翻译：要解决的问题为了抑制由无载III-V族化合物半导体制成的半导体层与衬底之间的剥离的发生，其中由无电解III-V化合物制成的半导体层半导体结合到衬底的Si表面。解决方案：一种用于制造半导体器件的方法包括在接触层44的表面上形成由多个InAs量子点制成的接合层22的步骤，该接触层由GaAs制成，其为不含III-V 化合物半导体，是层叠半导体层46的最外表面层，该层叠半导体层46包括在GaAs衬底32的主表面上形成有振荡光的有源层38和将接触层44的表面接合到Si 通过接合层22包括在基板10中的Si薄膜层16的表面。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

6. 发明专利

JPWO2014192939A1 光学モジュール有权
标题翻译：光模块
公开(公告)号：JPWO2014192939A1
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2015519974
申请日：2014-05-30
申请人：古河電気工業株式会社
发明人：悠太石毛 , 尚樹早水
IPC分类号： H01S5/022
CPC分类号： H01S5/02252 , H01S5/005 , H01S5/0226 , H01S5/02276 , H01S5/02288 , H01S5/02476
摘要：基台の表面に形成された表面金属層を有する基台部と、基台部の表面金属層上に載置された半導体素子と、半導体素子と光学結合する光学素子とを備え、光学素子は、半導体素子と前記光学素子とが光学結合する側の基台の側面において接着剤にて基台に接着されており、表面金属層の半導体素子と光学素子とが光学結合する側の側面は、半導体素子と光学素子とが光学結合する側の基台の側面に対して後退した位置に設けられることによって、基台の表面にプルバック領域が形成されており、基台と光学素子とが接着される接着領域と、半導体素子の光出力端面の下側に位置する載置部との間において、表面金属層は、接着剤がプルバック領域を載置部側に流れることを防止するようにパターニング形成された接着剤流れ止め部を有する光学モジュール。これにより、光学結合路に接着剤が入り込むことが防止された光学モジュールが提供される。
摘要翻译：包括具有形成在所述基底表面上的表面金属层的底座部分，一个半导体元件安装在基座部分，所述半导体元件和光学耦合到所述光学元件，所述光学元件的表面金属层上所述半导体元件的光学元件结合到基部与所述侧的基端侧的粘接剂，其中的光耦合，其中，所述半导体元件和表面金属层的光学元件是光耦合的一侧的侧表面上，由半导体器件和光学元件在其相对于所述一侧的光耦合的基端侧后退的位置上设置，并且区域拉回到基部表面上形成，基极和光学元件键合的是，位于所述半导体元件的光输出端面的下侧的安装部之间，所述表面金属层被图案化，以防止粘合剂流到部侧放置拉回区域的粘合面积光具有粘性流动停止其是部分模块。因此，光学模块阻止被提供进入光学耦合路径的粘合剂。

7. 发明专利

JP2017502502A 光電子パッケージアセンブリ有权
标题翻译：光电子封装组件
公开(公告)号：JP2017502502A
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：JP2016533576
申请日：2013-12-27
申请人：インテルコーポレイション , インテルコーポレイション
发明人：イム，ミョン，ジン , リウ，アンシュヨン , イェパネチニコフ，ヴァレンティン
IPC分类号： H01S5/022 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L31/02
CPC分类号： H01S5/02236 , H01L21/563 , H01L31/0232 , H01L2224/16225 , H01L2924/0002 , H01S5/0226 , H01S5/02476 , H01S5/18 , H01L2924/00
摘要：高性能な演算アプリケーション、データセンタにおけるボード対ボード、メモリ対CPU、チップ対チップの相互接続用のスイッチ/FGPA(field programmable gate array)及びメモリ拡張における、光データ転送に有用な光電子パッケージアセンブリが提供される。パッケージアセンブリは、良好な熱機械安定性がある、ピッチが細かいフリップチップの相互接続とチップ積層アセンブリを提供する。アンダーフィルダムと光学突出領域が光相互接続用に提供される。
摘要翻译：高性能计算应用，板对板在数据中心，存储器到CPU中，芯片到交换机/ FGPA的芯片互连（现场可编程门阵列）和存储器扩展，提供了有用的光电封装组件中的光学数据传输是的。封装组件是良好的热机械稳定性，间距提供互连芯片细倒装芯片的堆叠组件。底部填充和坝光学突出区域提供了一种用于光学互连。

8. 发明专利

JPWO2011083812A1 光結合構造および光送受信モジュール有权
公开(公告)号：JPWO2011083812A1
公开(公告)日：2013-05-13
申请号：JP2011549015
申请日：2011-01-06
申请人：株式会社フジクラ
发明人：木村　直樹 , 直樹木村 , 将人瀧ケ平 , 将人瀧ケ平
IPC分类号： G02B6/42 , H01L31/0232 , H01L33/54
CPC分类号： H01S5/02284 , G02B6/4214 , G02B6/422 , G02B6/4239 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01S5/0226 , H01S5/02276 , H01S5/02292 , H01S5/4025 , H01L2924/00014
摘要：本発明の光結合構造は、上面に受発光部を有し、かつ下面の側で基板に実装された光半導体素子と、前記光半導体素子の光軸に対して所定の角度で交差する光軸を有し、かつ前記基板の実装面から離間して配置された光伝送路と、前記光半導体素子と前記光伝送路との間の光路を変換し、かつ前記光半導体素子と前記光伝送路との間を光学的に結合する光結合部とを備える。前記光結合部は、伝送される光に対して透明な樹脂からなり、前記樹脂は、前記光半導体素子の受発光部の少なくとも一部および前記光伝送路の端部の少なくとも一部にそれぞれ密着し、前記光半導体素子と前記光伝送路とが、前記光結合部を構成する前記樹脂自身によって、接着されている。

9. 发明专利

JP2012099664A Adhesive for optical semiconductor device, adhesive sheet for optical semiconductor device, method of manufacturing adhesive sheet for optical semiconductor device, and method of manufacturing optical semiconductor device 有权
标题翻译：用于光学半导体器件的粘合剂，用于光学半导体器件的粘合片，用于光学半导体器件的制造粘合片的方法，以及制造光学半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2012099664A
公开(公告)日：2012-05-24
申请号：JP2010246631
申请日：2010-11-02
申请人： Shin Etsu Chem Co Ltd , 信越化学工業株式会社
发明人： SHIONO YOSHIYUKI , ICHIROKU NOBUHIRO , IWATA MITSUHIRO , KOZAI TOSHIYUKI
IPC分类号： H01L33/48 , C09J7/02 , C09J183/04 , H01L21/52 , H01S5/022
CPC分类号： H01L33/0095 , C09J7/38 , C09J183/04 , C09J2203/326 , C09J2467/006 , C09J2483/00 , H01S5/0226
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an adhesive for an optical semiconductor device, an adhesive sheet for an optical semiconductor device, a method of manufacturing an adhesive sheet for an optical semiconductor device, and a method of manufacturing an optical semiconductor device, capable of efficiently manufacturing an optical semiconductor device, efficiently performing the works up to fixing an optical semiconductor element, including especially LED, LD, and the like, to an element fitting part of the optical semiconductor device, for improved productivity in manufacturing the optical semiconductor device.SOLUTION: An adhesive 1 for an optical semiconductor device is used for bonding by curing the optical semiconductor element to the element fitting part after picking up the optical semiconductor element having been cut out from a wafer and sorted from a base material sheet 2, and mounting the optical semiconductor element on the element fitting part in the optical semiconductor device. It is molded in a film shape, and arranged on the base material sheet 2, being removable from the base material sheet 2.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于光学半导体器件的粘合剂，用于光学半导体器件的粘合片，制造用于光学半导体器件的粘合片的方法，以及制造光学半导体器件的方法，能够有效地制造光半导体器件，有效地执行将光学半导体元件（特别是LED，LD等）固定到光学半导体器件的元件配合部分上的工作，以提高制造光学半导体的生产率设备。解决方案：用于光学半导体器件的粘合剂1用于通过将光学半导体元件固化到元件配合部分，从拾取已经从晶片切出的光学半导体元件并从基材片2 并且将光学半导体元件安装在光学半导体器件中的元件配合部分上。它被成型为薄膜形状，并且布置在基材片2上，可从基材片2上移除。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JP2004289010A Light emitting device 审中-公开
公开(公告)号：JP2004289010A
公开(公告)日：2004-10-14
申请号：JP2003081365
申请日：2003-03-24
申请人： Sony Corp , ソニー株式会社
发明人： YOSHIDA HIROSHI , TANIGUCHI TADASHI , MIZUNO TAKASHI
IPC分类号： H01S5/022 , H01L29/22 , H01S5/00 , H01S5/024 , H01S5/0683 , H01S5/323
CPC分类号： H01S5/02212 , H01L2224/48091 , H01L2224/4826 , H01S5/0021 , H01S5/005 , H01S5/0222 , H01S5/02224 , H01S5/0226 , H01S5/024 , H01S5/0683 , H01S5/32341 , H01L2924/00014
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent variation of driving current and optical output, a change in beam profile and deviation of an optical axis.
SOLUTION: The CAN package light emitting device is comprised of a semiconductor laser 1 adhered to a submount 6 and a CAN package 2 to house the semiconductor laser 1 adhered thereto. The CAN package 2 is provided with a fixing body 3 for fixing the semiconductor laser 1 at a specified position and a cap 4 for covering the semiconductor laser 1 fixed thereto. The vapor pressure of an Si organic compound gas in the CAN package 2 is limited within 5.4×10
2 N/m
2 or lower so that such a deposit that induces degrading of characteristic may be prevented from being generated in the light emitting part of the semiconductor laser 1 within a guaranteed time.
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

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