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1. 发明专利

JP6298225B1 発光素子収納用部材、アレイ部材および発光装置有权
公开(公告)号：JP6298225B1
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：JP2017558574
申请日：2017-04-18
申请人：京セラ株式会社
发明人：古久保洋二 , 山元泉太郎 , 岡本征憲 , 正木克明 , 西村剛太 , 柴田和也
IPC分类号： H01S5/022
CPC分类号： H01S5/022
摘要：発光素子収納用部材(A1)は、セラミックスによって構成され、少なくとも1箇所を開口部(5)とする深底型の空間部(7)を内部に有し、空間部(7)の内壁が発光素子(9)の搭載部(11)となる基体(1)を有している。発光素子収納用部材(A1)は、発光素子(9)を搭載するための搭載部(26)を有し、平面視したときの形状が矩形状の底部基材(22)と、底部基材(22)上に、搭載部(26)をコの字状に囲み、少なくとも1箇所を開口部(27)とするように設けられた壁部材(23)とを備えた基体(21)を有しており、基体(21)がセラミックスにより一体的に形成されている。

2. 发明专利

JP6267303B2 結晶の製造方法有权
公开(公告)号：JP6267303B2
公开(公告)日：2018-01-24
申请号：JP2016185984
申请日：2016-09-23
申请人：京セラ株式会社
发明人：堂本千秋 , 久芳豊 , 正木克明 , 林雄一郎
IPC分类号： C30B19/10 , C30B15/20 , C30B29/36
CPC分类号： C30B19/10 , C30B9/06 , C30B15/14 , C30B19/04 , C30B19/062 , C30B19/08 , C30B19/12 , C30B29/36

3. 发明专利

JP6231622B2 結晶の製造方法有权
公开(公告)号：JP6231622B2
公开(公告)日：2017-11-15
申请号：JP2016141548
申请日：2016-07-19
申请人：京セラ株式会社
发明人：堂本千秋 , 久芳豊 , 正木克明 , 林雄一郎
IPC分类号： C30B29/36 , C30B17/00
CPC分类号： C30B19/10 , C30B15/14 , C30B19/04 , C30B19/062 , C30B19/08 , C30B19/12 , C30B29/36 , C30B9/06

4. 发明专利

JP6082111B2 炭化珪素の結晶のインゴット、炭化珪素のウェハ、炭化珪素の結晶のインゴットおよび炭化珪素のウェハの製造方法有权
标题翻译：碳化硅的晶锭，碳化硅晶片，锭的晶片的制造方法和碳化硅的碳化硅晶体
公开(公告)号：JP6082111B2
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：JP2015525339
申请日：2015-02-27
申请人：京セラ株式会社
发明人：堂本千秋 , 正木克明 , 柴田和也 , 山口恵彦 , 上山大輔
IPC分类号： C30B29/36
CPC分类号： C30B29/36 , C30B15/04

5. 发明专利

JP6051109B2 種結晶保持体、結晶製造装置および結晶の製造方法有权
标题翻译：晶种保持器中，晶体制造装置和晶体的制造方法
公开(公告)号：JP6051109B2
公开(公告)日：2016-12-27
申请号：JP2013118656
申请日：2013-06-05
申请人：京セラ株式会社
发明人：正木克明 , 村瀬有 , 久芳豊
IPC分类号： C30B19/06 , C30B29/36

6. 发明专利

JP6014258B2 結晶の製造方法有权
公开(公告)号：JP6014258B2
公开(公告)日：2016-10-25
申请号：JP2015525338
申请日：2015-01-29
申请人：京セラ株式会社
发明人：堂本千秋 , 久芳豊 , 正木克明 , 林雄一郎
IPC分类号： C30B19/04 , C30B29/36
CPC分类号： C30B19/10 , C30B15/14 , C30B19/04 , C30B19/062 , C30B19/08 , C30B19/12 , C30B29/36 , C30B9/06

7. 发明专利

JPWO2017183638A1 発光素子収納用部材、アレイ部材および発光装置有权
公开(公告)号：JPWO2017183638A1
公开(公告)日：2018-04-26
申请号：JP2017558574
申请日：2017-04-18
申请人：京セラ株式会社
发明人：古久保洋二 , 山元泉太郎 , 岡本征憲 , 正木克明 , 西村剛太 , 柴田和也
IPC分类号： H01S5/022 , H01L23/12 , H01L23/13
CPC分类号： H01S5/022
摘要：発光素子収納用部材(A1)は、セラミックスによって構成され、少なくとも1箇所を開口部(5)とする深底型の空間部(7)を内部に有し、空間部(7)の内壁が発光素子(9)の搭載部(11)となる基体(1)を有している。発光素子収納用部材(A1)は、発光素子(9)を搭載するための搭載部(26)を有し、平面視したときの形状が矩形状の底部基材(22)と、底部基材(22)上に、搭載部(26)をコの字状に囲み、少なくとも1箇所を開口部(27)とするように設けられた壁部材(23)とを備えた基体(21)を有しており、基体(21)がセラミックスにより一体的に形成されている。

8. 发明专利

JP2018035069A 結晶の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018035069A
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：JP2017235113
申请日：2017-12-07
申请人：京セラ株式会社
发明人：正木克明 , 林雄一郎 , 堂本千秋
IPC分类号： C30B19/10 , C30B29/36
摘要：【課題】高品質な結晶を成長させることが可能な結晶の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の結晶の製造方法は、炭化珪素からなる種結晶4の下面4Bを坩堝の内にある炭素を含む珪素の溶液5に接触させて、種結晶4を引き上げることによって、種結晶4の下面4Bに溶液5から炭化珪素の結晶Laを成長させる結晶の製造方法であって、種結晶4の下面4Bを溶液5に接触させて、種結晶4の下面4Bに炭化珪素の結晶Laの成長を開始する接触工程と、該接触工程の後、種結晶4の下面4Bに成長した結晶Laを溶液5から離す成長中止工程と、該成長中止工程の後、溶液5の温度を前記接触工程における温度よりも高く且つ珪素の沸点よりも低くする昇温工程と、該昇温工程の後、種結晶4の下面4Bに成長した結晶Laを溶液5に再度接触させる再接触工程とを有する。【選択図】図3

9. 发明专利

JP6272398B2 結晶の製造方法有权
公开(公告)号：JP6272398B2
公开(公告)日：2018-01-31
申请号：JP2016124063
申请日：2016-06-23
申请人：京セラ株式会社
发明人：堂本千秋 , 正木克明 , 久芳豊 , 上山大輔 , 宮本康治 , 林雄一郎
IPC分类号： C30B19/04 , C30B29/36
CPC分类号： C30B15/30 , C30B15/10 , C30B19/04 , C30B29/36

10. 发明专利

JP2017109923A 炭化珪素の結晶のインゴット、炭化珪素のウェハ、炭化珪素の結晶のインゴットおよび炭化珪素のウェハの製造方法有权
公开(公告)号：JP2017109923A
公开(公告)日：2017-06-22
申请号：JP2017007795
申请日：2017-01-19
申请人：京セラ株式会社
发明人：堂本千秋 , 正木克明 , 柴田和也 , 山口恵彦 , 上山大輔
IPC分类号： C30B19/04 , C30B29/36
CPC分类号： H01L29/1608 , C01B31/36 , C01B32/956 , C30B15/04 , C30B29/36 , C30B7/005
摘要：【課題】ウェハ上に成長させるエピタキシャル層の材料に適した炭化珪素ウェハを切り出すことができる汎用性の高い炭化珪素結晶インゴット。【解決手段】炭化珪素結晶のインゴット1は、それぞれドナー又はアクセプタを含んでおり、且つ交互に配置された複数の第1結晶層3および複数の第2結晶層4を備え、第2結晶層4におけるドナーまたはアクセプタの濃度は、上または下に接している第1結晶層3におけるドナーまたはアクセプタの濃度よりも高い炭化珪素結晶インゴット1。複数の第1結晶層3および複数の第2結晶層4におけるドナー又はアクセプタの濃度が、それぞれ結晶層の位置が結晶成長の方向に進むにつれて高くなっている濃度傾斜領域5をさらに備えた炭化珪素結晶インゴット1。ドナー又はアクセプタの濃度にもとづいて色調が変化した色調傾斜領域8を備えた炭化珪素結晶インゴット1。【選択図】図3

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