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1. 发明专利

JP2018181887A 半導体光素子を作製する方法、面発光レーザ审中-公开
公开(公告)号：JP2018181887A
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：JP2017073938
申请日：2017-04-03
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：辻幸洋
IPC分类号： H01L21/301 , H01L21/3065 , H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18361 , H01L22/10 , H01S5/0042 , H01S5/0201 , H01S5/0217 , H01S5/0425 , H01S5/125 , H01S5/18344 , H01S5/18352 , H01S5/18397 , H01S5/2086 , H01S5/3432 , H01S2301/176
摘要：【課題】ダイシングブレードによるウエハの切断を不要にする半導体光素子を作製する方法を提供する。【解決手段】半導体光素子を作製する方法は、基板生産物をエッチングして、前記素子区画を囲むように前記ストリート領域に単一の溝を形成する工程と、基板生産物の第1側を第1支持体に固定する工程と、第1支持体に固定した後に、前記第1側の前記溝に到達するように基板生産物を薄くすることによって素子区画を互いに分離して、第1支持体上に半導体片の配列を形成する工程と、を備え、前記基板生産物を薄くすることは、前記基板生産物の前記第2側を加工することによって行われ、前記素子区画の各々は、半導体光素子のための半導体構造物及び電極を有する。【選択図】図3

2. 发明专利

JP6349175B2 リフトオフ方法及び超音波ホーン有权
公开(公告)号：JP6349175B2
公开(公告)日：2018-06-27
申请号：JP2014144064
申请日：2014-07-14
申请人：株式会社ディスコ
发明人：小柳将
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01S5/0217 , B32B38/10 , B32B43/006 , H01L21/2026 , H01L21/7813 , H01L33/0079 , Y10T156/1121 , Y10T156/1158 , Y10T156/1917 , Y10T156/1922

4. 发明专利

JP2017530554A レーザー活性媒質及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017530554A
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：JP2017513083
申请日：2015-08-28
申请人：ウニベルジテートウィーン , ウニベルジテートウィーン
发明人：マルクスアスペルマイヤー、 , マルクスアスペルマイヤー、 , ガレットコール、 , ガレットコール、
IPC分类号： H01S3/042
CPC分类号： H01S3/0602 , H01S3/0071 , H01S3/025 , H01S3/0405 , H01S3/0604 , H01S3/0612 , H01S3/0621 , H01S3/094038 , H01S5/0071 , H01S5/0215 , H01S5/0217 , H01S5/02236 , H01S5/02469 , H01S5/02476 , H01S5/14 , H01S5/183
摘要：光利得材料(1A”)と、特に200nmから4000nmの波長範囲にわたって好ましくは1cm-1の吸収係数を有する透明なヒートシンク(15)であって、特に147W/(mK)以上の高い熱伝導率を有するヒートシンクとを含む固体レーザー活性媒質であって、光利得材料及びヒートシンクは1nm未満の二乗平均平方根(RMS)表面粗さを示し、光利得材料は直接接合によって透明なヒートシンクに取り付けられる固体レーザー活性媒質。改善された熱接触によって、励起された利得媒質からより多くの熱量をより効率的に除去することができ、それによってレーザー出力パワーを高めることができる。

5. 发明专利

JP6183045B2 発光素子及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6183045B2
公开(公告)日：2017-08-23
申请号：JP2013166571
申请日：2013-08-09
申请人：ソニー株式会社
发明人：濱口達史 , 倉本大 , 前田勇樹 , 風田川統之
IPC分类号： H01S5/343 , H01S5/183
CPC分类号： H01S5/3013 , H01S5/0215 , H01S5/0217 , H01S5/183 , H01S5/18361 , H01S5/18388 , H01S5/18391 , H01S5/34333 , H01S2304/12 , H01S5/0216 , H01S5/18311 , H01S5/18341 , H01S5/18369

6. 发明专利

JP6137781B2 導波路、該導波路を用いた装置及び導波路の製造方法有权
公开(公告)号：JP6137781B2
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：JP2012106527
申请日：2012-05-08
申请人：キヤノン株式会社
发明人：小山泰史
IPC分类号： H01S5/10 , H01S5/343 , H01L29/88 , H01L21/329 , H01S1/02
CPC分类号： H01S1/02 , B82Y20/00 , H01S2302/02 , H01S5/0215 , H01S5/0217 , H01S5/2018 , H01S5/3401 , Y10T29/49016

7. 发明专利

JP2016533027A シリコンフォトニックデバイスへの未処理直接バンドギャップチップの組込み审中-公开
标题翻译：内置未处理直接带隙的芯片与硅光子器件
公开(公告)号：JP2016533027A
公开(公告)日：2016-10-20
申请号：JP2016521282
申请日：2014-10-09
申请人：スコーピオズテクノロジーズインコーポレイテッド , スコーピオズテクノロジーズインコーポレイテッド
发明人：ビー．クラスリック，ステファン , ビー．クラスリック，ステファン , ダレサッセ，ジョン , ミズラヒ，アミット , クレアッゾ，ティモシー , マーケナ，エルトン , ワイ．スパン，ジョン , ワイ．スパン，ジョン
IPC分类号： H01S5/022
CPC分类号： H01L31/02327 , G02B6/423 , H01S5/0207 , H01S5/021 , H01S5/0217 , H01S5/0218 , H01S5/0224 , H01S5/02248 , H01S5/02252 , H01S5/02268 , H01S5/02272 , H01S5/02469 , H01S5/026 , H01S5/3013 , H01S2301/176
摘要： 2つ以上の材料にわたってフォトニック機能を分割するための複合デバイスは、プラットフォームと、チップと、プラットフォームにチップを固定するボンドとを備える。プラットフォームは、ベース層とデバイス層とを備える。デバイス層は、シリコンを備え、ベース層の一部分を露出する開口を有する。チップ、III−V族材料は、活性領域(例えば、レーザーのための利得媒質)を備える。チップは、チップの活性領域がプラットフォームのデバイス層と位置合わせされるように、開口によって露出されたベース層の部分にボンディングされる。コーティングがチップをプラットフォーム中に気密封止する。スコーピオズテクノロジーズインコーポレイテッド【代理人】【識別番号】 100137969【弁理士】【氏名又は名称】岡部憲昭【提出物件の目録】【物件名】明細書の翻訳文 1【物件名】請求の範囲の翻訳文 1【物件名】要約書の翻訳文 1【物件名】図面の翻訳文 1
摘要翻译：对跨越两个或更多的材料将所述光子功能复合设备包括平台和顶端，和键合到末端固定到该平台。平台，和一个基极层和器件层。器件层包括硅，具有开口暴露所述基极层的一部分上。芯片，III-V格鲁普·马特里尔包括有源区（例如，用于激光增益介质）。芯片，该芯片以便与所述器件层的平台对齐的有源区被接合到由所述开口部露出的基体层的一部分上。涂层气密地密封在所述芯片的平台。天蝎座的技术公司[代表] [识别号] 100137969 [代理] [全名或姓名译文】1 [属性名称]纪彰[提交财产盘点] [属性名称]规范冈部索赔的翻译句子1 [属性名]翻译1的抽象附图的翻译1 [属性名]

8. 发明专利

JP2016526785A キャリアを有する発光アセンブリ有权
标题翻译：发光组件具有载体
公开(公告)号：JP2016526785A
公开(公告)日：2016-09-05
申请号：JP2016520356
申请日：2014-06-03
申请人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH , オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
发明人：イェレナリスティチ , イェレナリスティチ , マルチンストラスバーグ , マルチンストラスバーグ , アルフレドレル , アルフレドレル , ウーヴェシュトラウス , ウーヴェシュトラウス
IPC分类号： H01S5/183 , H01L33/02 , H01L33/10 , H01L33/48 , H01S5/022 , H01S5/42
CPC分类号： H01S5/3428 , H01L27/156 , H01L33/007 , H01L33/10 , H01L33/16 , H01L33/24 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01S5/0207 , H01S5/0217 , H01S5/02236 , H01S5/1042 , H01S5/1835 , H01S5/18377 , H01S5/341 , H01S5/34333 , H01S5/4025 , H01S5/4087 , H01S5/423
摘要：本発明は、キャリアを有するアセンブリ(30)であって、コア(3)を有する構造体がキャリア上に形成され、コアは、2つの端部領域(9,10)を有する長手方向に延在する範囲を有し、第1の端部領域がキャリアに対向し、第2の端部領域がキャリアとは反対側に配置され、コアは、少なくとも外側領域において導電性であり、コアは、活性ゾーン層(4)で少なくとも部分的に被覆され、活性ゾーン層は、電磁放射を発生させるように設計されている、アセンブリに関する。第1の電気接触層(5)がコアに接触し、第2の接触層(6,22)が活性ゾーン層(4)に接触している。ミラー層が特にレーザ放射を発生させる目的で、少なくともコアの端部領域内に設けられている。
摘要翻译：本发明提供了一种具有载体（30）的组件，在形成在该结构上具有芯（3），芯部在纵向方向上延伸，具有两个端部区域（9,10）在载体上有一个范围，第一端部区域面向所述载体，所述第二端部区域和载流子被布置在相对侧上，所述芯是导电至少在外部区域中，芯，所述活性至少部分地涂覆有区层（4），有源区层被设计成产生电磁辐射，该组件。第一电接触层（5）与所述芯中，第二接触层（6，22）与所述有源区层（4）接触。为了产生镜层的目的尤其是激光辐射，它被设置在至少核心端部区域。

9. 发明专利

JP2016021464A リフトオフ方法及び超音波ホーン有权
标题翻译：提升方法和超声波
公开(公告)号：JP2016021464A
公开(公告)日：2016-02-04
申请号：JP2014144064
申请日：2014-07-14
申请人：株式会社ディスコ
发明人：小柳将
IPC分类号： B23K26/57 , H01L21/268 , H01L21/02
CPC分类号： H01S5/0217 , H01L33/0079 , B32B38/10 , B32B43/006 , H01L21/2026 , H01L21/7813 , Y10T156/1121 , Y10T156/1158 , Y10T156/1917 , Y10T156/1922
摘要：【課題】光デバイス層からエピタキシー基板を円滑に剥離できるようにすること。【解決手段】光デバイスウエーハ(10)では、エピタキシー基板(11)の表面(11a)にGaを含むGa化合物からなるバッファー層(13)を介して光デバイス層(12)が積層されている。光デバイスウエーハの光デバイス層に移設基板(20)を接合した後、エピタキシー基板の裏面(11b)側からエピタキシー基板に対しては透過性を有しバッファー層に対しては吸収性を有する波長のパルスレーザー光線をバッファー層に照射し、エピタキシー基板とバッファー層との境界面に剥離層を形成する。その後、エピタキシー基板の外周部に超音波振動を発振する超音波ホーン(42)を接触させてエピタキシー基板を振動させ、移設基板からエピタキシー基板を剥離し、光デバイス層を移設基板に移設する。【選択図】図7
摘要翻译：要解决的问题：从光器件层平滑地剥离外延基板。解决方案：光学器件晶片（10）通过层叠光学器件层（12）而形成，该器件层（12）经由缓冲层（13） Ga在外延基板（11）的表面（11a）上。在将转印衬底（20）接合到光学器件晶片的光学器件层之后，具有相对于外延衬底具有导磁率的波长的脉冲激光束和相对于缓冲层的吸光度从外延衬底的后表面（11b）侧，并且在外延衬底和缓冲层之间的界面上形成剥离层。然后，使振动超声波振动的超声波喇叭（42）与外延基板的外周部分接触，使外延基板振动，将外延基板从转印基板剥离，并将光学元件层转印到转印图7

10. 发明专利

JP2015035542A 発光素子及びその製造方法有权
标题翻译：发光元件及其制造方法
公开(公告)号：JP2015035542A
公开(公告)日：2015-02-19
申请号：JP2013166571
申请日：2013-08-09
申请人：ソニー株式会社 , Sony Corp
发明人： HAMAGUCHI TATSUFUMI , KURAMOTO MASARU , MAEDA YUUKI , KAZETAGAWA MUNEYUKI
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/3013 , H01S5/0215 , H01S5/0216 , H01S5/0217 , H01S5/183 , H01S5/18311 , H01S5/18341 , H01S5/18361 , H01S5/18369 , H01S5/18388 , H01S5/18391 , H01S5/34333 , H01S2304/12
摘要：【課題】共振器の長さの均一化を図り得る構成、構造を有する発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】発光素子の製造方法は、発光素子製造用基板11上に多層膜から成り凸部形状を有する第1光反射層41を形成し、次いで、その上に、GaN系化合物半導体から成る第1化合物半導体層21、活性層23及び第2化合物半導体層22が積層されて成る積層構造体20を形成した後、第2化合物半導体層22上に第2電極32及び多層膜から成る第2光反射層42を形成し、次いで、第2光反射層42を支持基板26に固定した後、発光素子製造用基板11を除去して、第1化合物半導体層21及び第1光反射層41を露出させ、次いで、露出した第1化合物半導体層21をエッチングした後、少なくともエッチングされた第1化合物半導体層21の上に第1電極31を形成する各工程を備えている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供具有能够实现谐振器的长度均衡的结构的发光元件的制造方法。解决方案：发光元件制造方法包括以下步骤：在发光元件制造基板11上形成第一光反射层41，由多层膜构成，具有凸形状; 随后在第一光反射层41上形成由GaN基化合物半导体构成的第一化合物半导体层21，有源层23和第二化合物半导体层22堆叠的层叠结构体20。随后在第二化合物半导体层22上形成第二电极32和由多层膜构成的第二光反射层42; 随后将第二光反射层42固定到支撑基板26上; 随后去除发光元件制造基板11以露出第一化合物半导体层21和第一光反射层41; 随后蚀刻暴露的第一化合物半导体层21; 并且随后至少在蚀刻的第一化合物半导体层21上形成第一电极31。

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