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1. 发明专利

JP6043193B2 トンネルトランジスタ有权
标题翻译：隧道晶体管
公开(公告)号：JP6043193B2
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：JP2013013150
申请日：2013-01-28
申请人：株式会社東芝
发明人：近藤佳之 , 外園明
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/0843 , H01L29/0895 , H01L29/66356 , H01L29/7391

2. 发明专利

JP4908540B2 Spin mosfet and reconfigurable logic circuit 有权
公开(公告)号：JP4908540B2
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：JP2009074785
申请日：2009-03-25
申请人：株式会社東芝
发明人：亀孝生丸 , 口智明井 , 藤好昭斉 , 山英行杉 , 川瑞恵石
IPC分类号： H01L29/66 , H01L29/82 , H01L43/08
CPC分类号： H01L43/02 , B01D53/1493 , B01D53/62 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1695 , H01L28/00 , H01L29/0843 , H01L29/0895 , H01L29/66984 , H01L43/10

3. 发明专利

JP4847699B2 Device incorporating the method and the junction to pin release the Fermi level of the semiconductor in the electrical junction 有权
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP4847699B2
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：JP2004539828
申请日：2003-08-08
申请人：エイコーン・テクノロジイズ・インコーポレーテッド
发明人：グルップ，ダニエル・イー , コネリー，ダニエル・ジェイ
IPC分类号： H01L29/47 , H01L21/285 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L29/08 , H01L29/45 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/812 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/456 , H01L21/28537 , H01L29/0895 , H01L29/16 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/66143 , H01L29/66643 , H01L29/78 , H01L29/7839 , H01L29/785 , H01L29/806 , H01L29/812 , H01L29/872
摘要： There is described an electrical junction comprising an interface layer disposed between a metal and a semiconductor. The interface layer includes a passivating material for passivating the surface of the semiconductor. The interface layer has a thickness configured to reduce contact resistance between the metal and the semiconductor from that which would exist at a junction between the metal and the semiconductor without the interface layer disposed therebetween.
摘要翻译：描述了一种电连接，其包括设置在金属和半导体之间的界面层。界面层包括用于钝化半导体表面的钝化材料。界面层具有被配置为降低金属和半导体之间的接触电阻与在金属和半导体之间的结处存在的接触电阻的厚度，而其间不设置界面层。

4. 发明专利

JP3950179B2 Tunnel diode 失效
公开(公告)号：JP3950179B2
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：JP30643494
申请日：1994-12-09
申请人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
发明人：ウイルヘルムスマリアブロムパウルス , ペトルスカロルスミカエルクレインマルセリヌス , マルチンウォルフロナルド
IPC分类号： H01L29/88 , G11C11/22 , G11C11/38 , G11C11/56 , H01L27/115 , H01L29/08 , H01L29/51 , H01L45/00
CPC分类号： H01L29/88 , G11C11/22 , G11C11/38 , G11C11/5657 , H01L27/115 , H01L29/0895 , H01L29/51 , H01L45/00
摘要： The invention relates to a tunnel diode provided with two metallically conducting electrodes (1, 2) with an insulating dielectric (3) in between, which forms a barrier with a barrier level for electrons and which has a thickness such that electrons can tunnel through the barrier from the one to the other electrode. Such a tunnel diode has the disadvantage that it has no memory. In many applications it is desirable for the tunnel diode to hold a certain switching state, such as open/closed. According to the invention, the tunnel diode is characterized in that the dielectric (3) comprises a layer of a material which is ferroelectric at room temperature with a remanent polarization which influences the barrier level. It is achieved thereby that the tunnel diode has various switching states in dependence on the remanent polarization of the dielectric (3). The switching state is maintained until the polarization of the dielectric (3) changes.

5. 发明专利

JP2005536070A Device incorporating the method and the junction to pin release the Fermi level of the semiconductor in the electrical junction 有权
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP2005536070A
公开(公告)日：2005-11-24
申请号：JP2004539828
申请日：2003-08-08
申请人：エイコーン・テクノロジイズ・インコーポレーテッド
发明人：グルップ，ダニエル・イー , コネリー，ダニエル・ジェイ
IPC分类号： H01L21/285 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L29/08 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/812 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/456 , H01L21/28537 , H01L29/0895 , H01L29/16 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/66143 , H01L29/66643 , H01L29/78 , H01L29/7839 , H01L29/785 , H01L29/806 , H01L29/812 , H01L29/872
摘要：界面層５２０が金属とＳｉベースの半導体との間に配置されかつそれらと接触する電気デバイスであって、界面層は金属と半導体との間に電流を通すことを依然として可能にしながら半導体のフェルミ準位をピン止め解除するのに有効な厚さとまっている。この界面層は例えば、（窒素、酸素、酸窒化物、ヒ素、水素、および／またはフッ素から作られた）パシベーション材料の１枚の層、ときに分離層も含む。ある場合には、界面層は半導体パシベーション材料の単層であってよい。界面層の厚さは電気デバイスに対して１０Ω−μｍ
2 以下あるいはさらに１Ω−μｍ
2 以下の最小固有接触抵抗に対応する。
摘要翻译：描述了一种电连接，其包括设置在金属和半导体之间的界面层。界面层包括用于钝化半导体表面的钝化材料。界面层具有被配置为降低金属和半导体之间的接触电阻与在金属和半导体之间的结处存在的接触电阻的厚度，而其间不设置界面层。

6. 发明专利

JP6331375B2 電界効果型半導体装置有权
公开(公告)号：JP6331375B2
公开(公告)日：2018-05-30
申请号：JP2013259820
申请日：2013-12-17
申请人：富士通株式会社
发明人：高橋剛
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/66 , H01L21/338
CPC分类号： H01L29/7391 , H01L29/0895 , H01L29/205 , H01L29/365 , H01L29/66356

8. 发明专利

JP6049351B2 チューナブルバリアを備えるグラフェンスイッチング素子有权
标题翻译：石墨烯开关装置包括可调谐的屏障
公开(公告)号：JP6049351B2
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：JP2012183911
申请日：2012-08-23
申请人：三星電子株式会社 , Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人：許鎭盛 , ▲鄭▼ 現鍾 , 宋俔在 , 朴晟準 , デービッド・ソ , 梁喜準
IPC分类号： H01L21/336 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/1606 , B82Y10/00 , H01L29/0895 , H01L29/165 , H01L29/41725 , H01L29/778 , H01L29/7781 , H01L29/78684

9. 发明专利

JP2015118968A 電界効果型半導体装置有权
标题翻译：场效应半导体器件
公开(公告)号：JP2015118968A
公开(公告)日：2015-06-25
申请号：JP2013259820
申请日：2013-12-17
申请人：富士通株式会社
发明人：高橋剛
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/66 , H01L21/338
CPC分类号： H01L29/7391 , H01L29/66356 , H01L29/0895 , H01L29/205 , H01L29/365
摘要：【課題】電界効果型半導体装置に関し、ソース抵抗を低減する。【解決手段】中央部をチャネル層としたチャネル形成層の前記チャネル層と接する側において、ソース電極とチャネル形成層との間にバンド間トンネル電流を流す電子注入層を設ける。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：减小场效应半导体器件中的源电阻。解决方案：在其中心部分用作沟道层的沟道形成层中，施加带间隧道电流的电子注入层在源电极和沟道形成层之间设置在与沟道层接触的一侧。

10. 发明专利

JP2014146647A Semiconductor device 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2014146647A
公开(公告)日：2014-08-14
申请号：JP2013013150
申请日：2013-01-28
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： KONDO YOSHIYUKI , SOTOZONO AKIRA
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/0843 , H01L29/0895 , H01L29/66356 , H01L29/7391
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device capable of preventing deterioration in sub-threshold swing.SOLUTION: A semiconductor device comprises: a first diffusion layer of a first conductivity type, and a second diffusion layer of a second conductivity type reverse to the first conductivity type, provided separately from a semiconductor layer; a gate insulating film provided on the semiconductor layer between the first diffusion layer and the second diffusion layer; a gate electrode provided on the gate insulating film; a pocket region of the second conductivity type provided on a surface part of the semiconductor layer adjacently to the first diffusion layer; and a first extension region of the first conductivity type provided on the semiconductor layer so as to cover at least a part of the pocket region. The second diffusion layer side end part of the first extension region is located at the second diffusion layer side from the second diffusion layer side end part of the pocket region.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够防止亚阈值摆动的劣化的半导体器件。解决方案：一种半导体器件包括：第一导电类型的第一扩散层和与第二导电类型相反的第二导电类型的第二扩散层第一导电类型，与半导体层分开设置; 设置在所述第一扩散层和所述第二扩散层之间的所述半导体层上的栅极绝缘膜; 设置在所述栅极绝缘膜上的栅电极; 设置在与第一扩散层相邻的半导体层的表面部分上的第二导电类型的袋区域; 以及设置在所述半导体层上以覆盖所述袋区域的至少一部分的所述第一导电类型的第一延伸区域。第一延伸区域的第二扩散层侧端部位于距袋区域的第二扩散层侧端部的第二扩散层侧。

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