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1. 发明专利

KR102230214B1 KR102230214B1 - Latch-up prevention circuit and integrated circuit 有权
公开(公告)号：KR102230214B1
公开(公告)日：2021-03-22
申请号：KR1020197038599A
申请日：2019-03-19
申请人： 칩원 테크놀로지(베이징) 컴퍼니 리미티드
发明人： 티안하오 첸 , 준지에 우
IPC分类号： H03K17/081 , H03K17/687
CPC分类号： H03K17/20 , H03K17/081 , H03K17/08104 , H01L27/0262 , H03K17/0826 , H03K17/60 , H03K17/687 , H03K17/6872
摘要： 본 발명은 제1 제어 전압을 수신하는 제어단, 제1 전력공급 전압을 수신하는 제1단을 구비하는, 제1 트랜지스터; 제2 제어 전압을 수신하고 제1 트랜지스터의 제2 단에 연결되는 제어단, 제1 트랜지스터의 제어단에 연결되는 제1단, 및 제2 전력공급 전압을 수신하는 제2 단을 포함하고, 제1 트랜지스터의 유형과 반대되는, 제2 트랜지스터; 및 제1 전력공급 전압과 제2 전력공급 전압 사이에 제1 트랜지스터와 제2 트랜지스터로 형성된 통로에 설치되어, 제1 제어 전압 및/또는 제2 제어 전압이 기설정 범위를 초과한 경우 통로를 차단하는, 제어 회로를 포함하는 래치업 방지 회로를 개시하였다. 본 발명이 제공하는 래치업 방지 회로는 제1 전력공급 전압과 제2 전력공급 전압 사이에 제1 트랜지스터와 제2 트랜지스터로 형성된 통로에 제어 회로를 설치하여, 제1 제어 전압 및/또는 제2 제어 전압이 기설정 범위를 초과한 경우 통로를 차단함으로써 전기가 흐르는 상황에서의 래치업 효과의 발생을 방지한다.

2. 发明专利

JP6396294B2 過渡電圧回路保護のためのクローバーデバイス有权
公开(公告)号：JP6396294B2
公开(公告)日：2018-09-26
申请号：JP2015520688
申请日：2013-07-03
申请人：リテルヒューズ・インク
发明人：シェン、アダー , クオ、イーサン , チャン、ティン−ファン
IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L29/74 , H02H9/04
CPC分类号： H01L27/0248 , H01L27/0255 , H01L27/0262 , H02H9/005 , H02H9/04 , H02H9/043 , H02H9/044

4. 发明专利

JP2016146470A 過負荷電流通電能力を有する半導体デバイス审中-公开
标题翻译：具有过载电流承载能力的半导体器件
公开(公告)号：JP2016146470A
公开(公告)日：2016-08-12
申请号：JP2015244806
申请日：2015-12-16
申请人：インフィネオンテクノロジーズアーゲー , INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人：ラヴェン, ヨハネスゲオルク , バブルスケ, ローマン , バスラー, トーマス , ブラント, フィリップクリストフ , コトロゲア, マリア
IPC分类号： H01L29/78 , H01L27/04 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/739
CPC分类号： H01L27/0266 , H01L27/0255 , H01L27/0262 , H01L29/0684 , H01L29/0696 , H01L29/0865 , H01L29/1033 , H01L29/4236 , H01L29/7397 , H01L29/861
摘要：【課題】過負荷電流通電能力を有する半導体デバイスを提供する。【解決手段】半導体デバイス1は、n型半導体領域11内に、トランジスタセル1−1とダイオードセル1−2を含むRC−IGBTである。トランジスタセル内に含まれるp型半導体チャネル領域111は第1のドーピング濃度を有し、半導体チャネル領域と半導体領域との間の移行部は第1のpn接合11−1を形成する。p型半導体補助領域112は第2のドーピング濃度を有し、この第2のドーピング濃度は、第1のドーピング濃度と比べて少なくとも30%より高く、半導体補助領域と半導体領域との間の移行部は第2のpn接合11−2を形成し、第1のpn接合と比べて半導体領域内において同じ深さに、またはより深く位置付けられる。ダイオードセルは、第3のドーピング濃度を有するp型半導体アノード領域113を含み、第3のドーピング濃度は第2のドーピング濃度よりも小さい。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供具有过载电流承载能力的半导体器件。解决方案：半导体器件1是在n型半导体区域11中包括晶体管单元1-1和二极管单元1-2的RC-IGBT 包括在晶体管单元中的p型半导体沟道区111具有第一掺杂浓度，并且半导体沟道区和半导体区之间的转变形成第一pn结11-1。 p型半导体辅助区域112具有第二掺杂浓度，并且第二掺杂浓度比第一掺杂浓度高至少30％。半导体辅助区域和半导体区域之间的转变形成第二pn结11-2，并且与第一pn结相比，第二pn结位于半导体区域中深或更深。二极管单元包括具有第三掺杂浓度的p型半导体阳极区域113，并且第三掺杂浓度低于第二掺杂浓度。图2

5. 发明专利

JP5959551B2 送受信機信号絶縁および電圧固定法のための装置、および同装置を形成する方法有权
标题翻译：一种用于收发信号隔离和电压钳法，并形成相同装置的方法
公开(公告)号：JP5959551B2
公开(公告)日：2016-08-02
申请号：JP2014015212
申请日：2014-01-30
申请人：アナログ・デバイシズ・インコーポレーテッド
发明人：ハビエルアレハンドロサルセド , ルオフアン
IPC分类号： H01L27/04 , H01L27/06 , H01L21/331 , H01L29/732 , H01L29/74 , H01L21/8222 , H01L29/73 , H01L21/822
CPC分类号： H01L27/067 , H01L27/0262 , H01L27/0921

7. 发明专利

JP2015510265A 交互伝導タイプの領域を有する静電放電保護用の半導体デバイス有权
标题翻译：对于具有交替导电类型的区域的静电放电保护的半导体器件
公开(公告)号：JP2015510265A
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：JP2014555258
申请日：2013-02-06
申请人：ソフィックスビーヴィービーエー , ソフィックスビーヴィービーエー
发明人：バルトソルジェルース， , バルトソルジェルース， , カンプ，ベンジャミンファン , カンプ，ベンジャミンファン , ウェイメールス，スヴェンファン , ウェイメールス，スヴェンファン , ウィムファンホウトヘム， , ウィムファンホウトヘム，
IPC分类号： H01L21/822 , H01L21/331 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L29/73 , H01L29/732
CPC分类号： H01L27/0262 , H01L23/60 , H01L27/0248 , H01L27/0647 , H01L29/0649 , H01L29/0688 , H01L29/0804 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/87 , H01L2924/0002 , H02H9/046 , H01L2924/00
摘要：第1のノード(1201)と第2のノード(1202)との間に結合されることにより、静電放電(ESD)事象に応答して第1のノードから第2のノードに電流をシンクする、NPNトランジスタ(1203)及びPNPトランジスタ(1204)を少なくとも備える保護デバイス。これらのトランジスタは、NPNトランジスタのNコレクタ(1222)が第1のノードに対して結合され、NPNトランジスタのPベース(1224)がPNPトランジスタのPエミッタ(1224)に対して結合され、NPNトランジスタのNエミッタ(1225)がPNPトランジスタのNベース(1225)に対して結合され、PNPトランジスタのPコレクタ(1223)が第2のノードに対して結合され、それにより、NPNP構造を有するデバイスが実現され得るように、結合されてもよい。【選択図】図12
摘要翻译：通过被耦合在第一节点和（1201）的第二个节点（1202）之间，下沉从所述第一节点的电流响应于静电放电（ESD）事件到所述第二节点至少包含所述保护装置的NPN晶体管（1203）和PNP晶体管（1204）。这些晶体管，NPN晶体管（1222）将N集电极耦合到NPN晶体管的第一节点，P基极（1224）被耦合到PNP晶体管的p个发射器（1224），NPN晶体管 ñ发射器（1225）被耦合到所述N个基座（1225）的PNP晶体管，所述PNP晶体管（1223）被耦合到所述第二节点的P集电极，由此所述装置由具有NPNP结构来实现如可以是，它可以被耦合。 .The 12

9. 发明专利

JP2013183087A Semiconductor device 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2013183087A
公开(公告)日：2013-09-12
申请号：JP2012046825
申请日：2012-03-02
申请人： Renesas Electronics Corp , ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人： MORISHITA YASUYUKI
IPC分类号： H01L21/822 , H01L21/8228 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/082 , H01L29/74
CPC分类号： H01L27/0262 , H01L29/0649 , H01L29/0692 , H01L29/74 , H01L29/7436
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance a degree of freedom of layout design in a semiconductor device including a thyristor element as an electrostatic protection circuit.SOLUTION: A semiconductor device includes: a first first-conductivity-type well (NW1) that is formed to extend in a first direction (horizontal direction) parallel to a substrate; a second first-conductivity-type well (NW2a) that is formed to extend in a second direction (vertical direction) parallel to the substrate and orthogonal to the first direction and whose one end is connected to a long side of the first first-conductivity-type well (NW1); a second-conductivity-type well (PW) that is formed around the first first-conductivity-type well (NW1) and the second first-conductivity-type well (NW2a); a first high-concentration second-conductivity-type region (PP1a) that is formed for a surface of the second first-conductivity-type well (NW2) to extend in the second direction; and a first high-concentration first-conductivity-type region (NP1a) that is formed for a surface of the second-conductivity-type well (PW) to extend in the second direction while opposing the first high-concentration second-conductivity-type region (PP1a).
摘要翻译：要解决的问题：提高包括作为静电保护电路的可控硅元件的半导体器件中的布局设计的自由度。解决方案：一种半导体器件包括：第一第一导电型阱（NW1），形成为沿与基板平行的第一方向（水平方向）延伸; 第二导电型阱（NW2a），其形成为在与基板平行的第二方向（垂直方向）上延伸并且与第一方向正交并且其一端连接到第一第一导电性的长边型井（NW1）; 围绕第一第一导电型阱（NW1）和第二第一导电型阱（NW2a）形成的第二导电型阱（PW）; 形成为在第二方向上延伸的第二第一导电型阱（NW2）的表面的第一高浓度第二导电型区域（PP1a）和形成于所述第二导电型阱（PW）的表面的第一高浓度第一导电型区域（NP1a），在与所述第一高浓度第二导电型区域（PP1a）。

10. 发明专利

JP4763324B2 Semiconductor device including an electrostatic protection circuit and the electro-static discharge protection circuit 有权
公开(公告)号：JP4763324B2
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：JP2005098552
申请日：2005-03-30
申请人： Okiセミコンダクタ株式会社
发明人：洋一林 , 保裕福田 , 俊一黒田
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/822 , H01L21/8222 , H01L21/8238 , H01L21/8248 , H01L27/06 , H01L27/092
CPC分类号： H01L27/0262

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