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1. 发明专利

JP2018078230A 電力用半導体装置およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018078230A
公开(公告)日：2018-05-17
申请号：JP2016220330
申请日：2016-11-11
申请人：三菱電機株式会社
发明人：曽根田真也
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/06 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L21/322 , H01L29/417 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/0626 , H01L21/263 , H01L27/0629 , H01L27/0647 , H01L27/0727 , H01L29/7396
摘要：【課題】電力用半導体装置において、n型ドリフト層を薄くすることによる素子性能の改善を実現するとともに、アバランシェ破壊の耐量を確保することを目的とする。【解決手段】本発明に係るRC−IGBT101Aは、IGBTセル7に囲まれる領域又はダイオードセル8に囲まれる領域に形成される高電界セル14と、n−型ドリフト層6の第2主面上の高電界セル14に対向する位置に形成されるn+型拡散層15と、を備える。高電界セル14は、主端子間電圧を印加した際に発生する最大電界強度がIGBTセル7、ダイオードセル8および耐圧保持構造9より高い。また、p+型コレクタ層11および高電界セル14は、n−型ドリフト層6の第1主面に垂直な方向から視た平面視において重ならない。【選択図】図8

3. 发明专利

JPWO2009060907A1 半導体装置ならびにそれを備えた電源および演算処理装置有权
公开(公告)号：JPWO2009060907A1
公开(公告)日：2011-03-24
申请号：JP2009540084
申请日：2008-11-06
申请人：ローム株式会社
发明人：憲次山本 , 憲次山本
IPC分类号： H01L27/04 , G01K7/01 , G05F3/30 , H01L21/822 , H01L21/8222 , H01L27/06
CPC分类号： H01L27/0647 , G01K7/01 , H01L27/0629
摘要：半導体装置(301)は、第1の電源電圧が供給される第1電源ノードに結合された第1電極と、第2電極とを有し、温度検出素子(TD1〜TD12)に基準電流を供給するトランジスタ(M2)と、第1電源ノードに結合された電位固定ノードを有する第1半導体領域と、トランジスタ(M2)の第2電極に結合された第1抵抗ノードと、第2の電源電圧が供給される第2電源ノードに結合された第2抵抗ノードとを有し、第1半導体領域の表面に形成された第2半導体領域とを含む拡散抵抗(R1)と、電位固定ノードおよび第2抵抗ノードを介して流れる電流と略同じ大きさでかつ同じ方向の電流を、拡散抵抗(R1)を介さずにトランジスタ(M2)を介して流すリーク電流補正回路(CR1)とを備える。

4. 发明专利

JP4440040B2 Semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP4440040B2
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：JP2004248214
申请日：2004-08-27
申请人：三菱電機株式会社
发明人：知秀寺島
IPC分类号： H01L21/8249 , H01L27/06 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7395 , H01L27/0647 , H01L29/7393

5. 发明专利

JP2018092968A 半導体装置、RC−IGBT及び半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018092968A
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：JP2016232547
申请日：2016-11-30
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：山田和寛
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/7397 , H01L27/0647 , H01L29/0619 , H01L29/0692 , H01L29/0696 , H01L29/0804 , H01L29/0834 , H01L29/407 , H01L29/4238 , H01L29/66136 , H01L29/66348 , H01L29/861 , H01L29/8613
摘要：【課題】スナップバックを抑制することができる半導体装置、RC−IGBT及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】一実施の形態によれば、半導体装置100は、第1主面及び第2主面を有する半導体基板1と、エミッタ電極46と、ゲート配線49及びコレクタ電極43と、を備え、第1主面に平行な面内における一方向に延在した第1単位セル領域10と、一方向に延在した第2単位セル領域20と、を有し、第1単位セル領域10及び第2単位セル領域20の半導体基板1は、N−型ドリフト層39と、N型ホールバリア層38と、トレンチ電極13と、P型ボディ層36と、絶縁膜35と、N型フィールドストップ層41と、P+型コレクタ層42と、を有し、第2単位セル領域20は、コレクタ層42に嵌め込まれ一方向に延在したN型カソード層47を有する。【選択図】図1

6. 发明专利

JP5355414B2 Semiconductor device, as well as power supply and processing unit with it 有权
公开(公告)号：JP5355414B2
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：JP2009540084
申请日：2008-11-06
申请人：ローム株式会社
发明人：憲次山本
IPC分类号： H01L21/822 , G01K7/01 , G05F3/30 , H01L21/8222 , H01L27/04 , H01L27/06
CPC分类号： H01L27/0647 , G01K7/01 , H01L27/0629
摘要： A semiconductor device includes: a transistor having a first electrode coupled to a first power source node to which a first power source voltage is supplied, and a second electrode, and supplying a reference current to a temperature detection element; a diffused resistor including a first semiconductor region having a potential-fixing node coupled to the first power source node, and a second semiconductor region having a first resistor node coupled to the second electrode of the transistor and a second resistor node coupled to a second power source node to which a second power source voltage is supplied, and formed at a surface of the first semiconductor region; and a leakage current correction circuit for allowing a current having approximately the same magnitude and the same direction as a magnitude and a direction of a current flowing via the potential-fixing node and the second resistor node, to flow not via the diffused resistor but via the transistor.

7. 发明专利

JP4155326B2 Semiconductor device and a power amplifier 有权
公开(公告)号：JP4155326B2
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：JP2006547666
申请日：2005-09-28
申请人：株式会社村田製作所
发明人：光夫有家 , 泰崇杉本
IPC分类号： H03F3/68 , H03F1/52 , H03F3/21
CPC分类号： H03F3/189 , H01L27/0647

8. 发明专利

JP2007287782A Mesa bipolar transistor 审中-公开
标题翻译： MESA双极晶体管
公开(公告)号：JP2007287782A
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：JP2006110755
申请日：2006-04-13
申请人： Hitachi Ltd , 株式会社日立製作所
发明人： MOCHIZUKI KAZUHIRO , YOKOYAMA NATSUKI
IPC分类号： H01L21/331 , H01L21/8222 , H01L27/06 , H01L27/082 , H01L29/73
CPC分类号： H01L21/8213 , H01L21/101 , H01L27/0647 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/66068 , H01L29/6631 , H01L29/732 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a bipolar transistor, especially a small power bipolar transistor, in which a practically sufficient current amplification factor can be ensured even under an environmental temperature of 200°C or above.
SOLUTION: Acceptor concentration gradient of a base is set larger at the emitter layer end as compared with the collector layer end. The distance (L2) between a first mesa structure consisting of an emitter layer and a base layer and a second mesa structure consisting of the base layer and a collector layer is set in the range of 3-9 μm. Furthermore, the base layer is composed of a first p-type base layer having a uniform acceptor concentration, and a second p-type base layer having a concentration gradient in the depth direction. Current amplification factor can be ensured by these means and a high temperature power bipolar transistor suitable for miniaturization can be provided.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提供双极晶体管，特别是小功率双极晶体管，即使在200℃以上的环境温度下也能够确保实际上足够的电流放大系数。解决方案：与集电极层端相比，基极的受体浓度梯度在发射极层端被设定得更大。由发射极层和基极层构成的第一台面结构与由基极层和集电体层构成的第二台面结构之间的距离（L2）设定在3-9μm的范围内。此外，基层由具有均匀受主浓度的第一p型基底层和在深度方向上具有浓度梯度的第二p型基底层组成。可以通过这些方法确保电流放大系数，并且可以提供适合于小型化的高温功率双极晶体管。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP3622782B2 Semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP3622782B2
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：JP2000069770
申请日：2000-03-14
申请人：三菱電機株式会社
发明人：ゴーラブマジュムダール , 泰中島 , 直樹吉松 , 貴信吉田 , 健史大井 , 達也奥田 , 敏則山根 , 享木村 , 雅一深田 , 祐司蔵本
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/00 , H01L25/18 , H01L27/06 , H02M7/04 , H02M7/12 , H02M7/48 , H02M7/5387
CPC分类号： H01L27/0629 , H01L27/0647

10. 发明专利

JP6393470B2 センサ装置有权
公开(公告)号：JP6393470B2
公开(公告)日：2018-09-19
申请号：JP2013219737
申请日：2013-10-23
申请人：日立オートモティブシステムズ株式会社
发明人：浅野哲 , 松本昌大 , 中野洋 , 田代忍
IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/04 , H03K17/16
CPC分类号： H02H3/18 , G01R15/146 , H01L27/0248 , H01L27/0629 , H01L27/0647 , H01L28/20 , H01L28/40 , H01L29/861 , H02H3/24 , H02H11/002

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