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1. 发明专利

JP2017524250A マイクロ転写印刷のための装置および方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017524250A
公开(公告)日：2017-08-24
申请号：JP2017502984
申请日：2015-07-20
申请人：エックス−セレプリントリミテッドX−Celeprint Limited , エックス−セレプリントリミテッドX−Celeprint Limited
发明人：クリストファーバウワー， , クリストファーバウワー， , マシューマイトル， , マシューマイトル， , デイビッドニーバーグ， , デイビッドニーバーグ， , デイビッドゴメス， , デイビッドゴメス， , サルバトーレボナフェデ， , サルバトーレボナフェデ，
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/52 , H01L27/12
CPC分类号： B41F16/00 , B25J15/00 , B41F16/0046 , B41F16/006 , B41F16/0073 , B41K3/04 , B41K3/12 , H01L21/3065 , H01L21/52 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/67103 , H01L21/683 , H01L21/6835 , H01L23/293 , H01L23/3171 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L31/1892 , H01L2221/68318 , H01L2221/68354 , H01L2221/68368 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/75315 , H01L2224/7598 , H01L2224/83001 , H01L2224/83011 , H01L2224/83013 , H01L2224/83024 , H01L2224/832 , H01L2224/83894 , H01L2224/83895 , H01L2924/10253 , H01L2924/1032 , H01L2924/10328 , H01L2924/10329 , H01L2924/10332 , H01L2924/10335 , H01L2924/10336 , H01L2924/10337 , H01L2924/10338 , H01L2924/1034
摘要：マイクロ転写印刷を使用して、目標基板上に半導体デバイスを組み立てるための装置および方法が説明される。エラストマーまたは粘弾性スタンプ等の整合可能転写デバイス(102)は、印刷可能半導体要素(104)を製作し、印刷可能半導体要素を目標基板(110)に転写するために使用される、ネイティブ基板(108)から印刷可能半導体要素を取り上げるための支柱のアレイ(114)を含む。ある実施形態では、印刷可能半導体要素は、それらが取り上げられる前にポリマー層(106)中にカプセル化される。ある実施形態では、プラズマ処理(例えば、大気プラズマ)が、マイクロ転写印刷の間に行われることができる。プラズマは、エラストマー転写要素に取り付けられるデバイスの底面に印加されることができる。底面のこの処理は、デバイスと目標基板との間の向上した結合を提供するためなどに使用されることができる。

3. 发明专利

JP6078920B2 薄膜形成方法、及びそれを用いて作製した半導体基板ならびに電子デバイス有权
标题翻译：薄膜的形成方法，和半导体衬底和通过使用相同的制造的电子设备
公开(公告)号：JP6078920B2
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：JP2013177888
申请日：2013-08-29
申请人：国立大学法人広島大学
发明人：東清一郎 , 酒池耕平 , 小林義崇 , 中村将吾 , 赤澤宗樹
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L31/18 , H01L21/02
CPC分类号： H01L29/78603 , H01L21/2007 , H01L21/76251 , H01L27/1222 , H01L27/1266 , H01L29/66772 , H01L29/78618 , H01L29/78654 , H01L31/03529 , H01L31/0445 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , H01L31/1892 , Y02E10/547 , Y10T428/24331

4. 发明专利

JP2017028293A 装置审中-公开
标题翻译：设备
公开(公告)号：JP2017028293A
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：JP2016160475
申请日：2016-08-18
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：江口晋吾 , 門馬洋平 , 谷敦弘 , 廣末美佐子 , 橋本健一 , 保坂泰靖
IPC分类号： H01L27/12 , B23K26/364 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/67132 , B32B43/006 , H01L21/6835 , H01L27/1218 , H01L27/1266 , H01L27/156 , H01L33/005 , H01L2221/68318 , H01L2221/6835 , H01L2221/68363 , H01L2221/68386 , H01L2221/68395 , H01L27/1214 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105 , H01L31/1892 , H01L31/206 , Y10T29/41
摘要：【課題】半導体素子を含む素子形成層を、半導体素子の作製時に用いた基板から剥離するときに、剥離によって発生した静電気による放電をなくす。【解決手段】加圧用ローラ33と加圧用ローラ34の隙間に、素子形成層11および剥離層12が形成された基板10およびフィルム30を通す。加圧用ローラ33と加圧用ローラ34の間でフィルム30が素子形成層11に貼り付けられる。加圧用ローラ33、34のフィルム30の回収側では、加圧用ローラ34の曲面に沿ってフィルム30が撓められるため、素子形成層11と剥離層12の間で剥離が生じ、素子形成層11はフィルム30に転置される。剥離によって生じた素子形成層11と剥離層12の隙間にノズル35によって純水などの液体15が逐次供給されるため、液体15により素子形成層11および剥離層12の表面に発生した電荷が拡散される。【選択図】図11
摘要翻译：甲元件形成层包括半导体元件，从制造半导体器件时使用的基板由于通过剥离产生的静电分离时，消除放电。所述间隙的加压辊33和加压辊34，通过形成层11和剥离层12的基板10和膜30元件形成。膜30附着到加压辊33和加压辊34之间的元件形成层11。加压辊33和34的膜30的回收侧，由于薄膜30沿加压辊34的弯曲面弯曲时，所述元件形成层11和剥离层12中，在元件形成层11之间发生的剥离这将被转移到膜30上。由于液体15例如纯水供给顺序，形成层11和由液体15中的剥离层12中的元件的表面上产生的电荷通过形成层11和喷嘴35进入剥离层12所造成的剥离的间隙的元件散布是的。 .The 11

5. 发明专利

JP2016082041A 化合物半導体太陽電池、及び、化合物半導体太陽電池の製造方法审中-公开
标题翻译：化合物半导体太阳能电池和化合物半导体太阳能电池的制造方法
公开(公告)号：JP2016082041A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：JP2014211230
申请日：2014-10-15
申请人：株式会社リコー
发明人：佐藤俊一
IPC分类号： H01L31/0735 , H01L31/0725
CPC分类号： H01L31/078 , H01L31/0304 , H01L31/03046 , H01L31/043 , H01L31/0687 , H01L31/0693 , H01L31/1844 , H01L31/1892 , Y02E10/544
摘要：【課題】高効率化を図った化合物半導体太陽電池、及び、化合物半導体太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】化合物半導体太陽電池100は、第1化合物半導体材料で作製され、第1光電変換セル120と、第2化合物半導体材料で作製される第1接合層130と、第3化合物半導体材料で作製される第2接合層140と、第4化合物半導体材料で作製され第1及び第2接合層によって第1光電変換セルに接合され第1光電変換セルよりも入射側に配設される第2光電変換セル160とを含み、第1及び第2光電変換セルのバンドギャップは入射側から奥側に向かって小さく、第2接合層のバンドギャップは、第2光電変換セルが1つである場合は第2光電変換セルのバンドギャップ以上であり、複数である場合は少なくとも1つの第2光電変換セルのバンドギャップ以上であり、第2光電変換セルはGaAs系の太陽電池セルであり、第2接合層はGaPAs層である。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够提供更高效率的化合物半导体太阳能电池和化合物半导体太阳能电池的制造方法。解决方案：化合物半导体太阳能电池100由第一化合物半导体材料制成，并且包括第一光电转换单元120，由第二化合物半导体材料制备的第一接合层130，由第三化合物半导体材料制备的第二接合层140和由第四化合物半导体材料制备的第二光电转换单元160，转换单元，并且相对于第一光电转换单元布置在入射侧。第一和第二光电转换单元的带隙从入射侧向深度侧变小。当第二光电转换单元的数量为1时，第二结层的带隙等于或大于第二光电转换单元的带隙，并且等于或大于至少一个第二光电转换单元的带隙当第二光电转换单元的数量为两个或更多个时，转换单元。第二光电转换单元是GaAs太阳能电池单元，第二结层是GaPAs层。图1：

6. 发明专利

JP5905021B2 ウエハーの直接接合有权
标题翻译：晶片的直接结合
公开(公告)号：JP5905021B2
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：JP2013541986
申请日：2011-09-21
申请人：ザ・ボーイング・カンパニー , The Boeing Company
发明人：ブサリ, ダナンジャイエム. , ロー, ダニエル, シー.
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0687 , H01L31/0693 , H01L21/02
CPC分类号： H01L31/0693 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L29/205 , H01L31/043 , H01L31/0687 , H01L31/1844 , H01L31/1892 , Y02E10/544 , Y02P70/521

7. 发明专利

JP5893170B2 多接合型ソーラセルの半製品および多接合型ソーラセルを製造する方法有权
标题翻译：用于制造多结太阳能电池的半成品和多结太阳能电池的方法
公开(公告)号：JP5893170B2
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：JP2014552564
申请日：2013-01-14
申请人：アズールスペースソーラーパワーゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング , AZUR SPACE Solar Power GmbH
发明人：ダニエルフーアマン
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0725
CPC分类号： H01L31/03529 , H01L31/0687 , H01L31/0725 , H01L31/1808 , H01L31/184 , H01L31/1892 , Y02E10/544 , Y02P70/521

8. 发明专利

JP5875121B2 単結晶基板の製造方法および内部改質層形成単結晶部材の製造方法有权
标题翻译：对于制造方法的方法和内部重整层形成单晶衬底的单晶构件
公开(公告)号：JP5875121B2
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：JP2012556740
申请日：2011-02-10
申请人：信越ポリマー株式会社 , 国立大学法人埼玉大学
发明人：国司洋介 , 鈴木秀樹 , 松尾利香 , 池野順一
IPC分类号： H01L21/304 , B23K26/38 , B23K26/064 , B28D5/00 , B23K26/40
CPC分类号： C30B30/00 , B23K26/0665 , B28D5/0011 , C30B29/36 , C30B33/04 , C30B33/06 , H01L21/268 , H01L21/304 , H01L31/18 , H01L31/1848 , H01L31/1852 , H01L31/1892 , H01L21/02532 , H01L21/02678 , H01L21/02686 , Y02E10/544 , Y02P70/521

9. 发明专利

JP2016028413A 化合物半導体太陽電池、及び、化合物半導体太陽電池の製造方法审中-公开
标题翻译：化合物半导体光电池的化合物半导体光电池的制造方法
公开(公告)号：JP2016028413A
公开(公告)日：2016-02-25
申请号：JP2015122271
申请日：2015-06-17
申请人：株式会社リコー
发明人：佐藤俊一
IPC分类号： H01L31/0693 , H01L31/0687
CPC分类号： H01L31/03046 , H01L31/02168 , H01L31/0687 , H01L31/0693 , H01L31/0725 , H01L31/0735 , H01L31/1844 , H01L31/1892 , H01L31/1896 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要：【課題】高効率化を図った化合物半導体太陽電池、及び、化合物半導体太陽電池の製造方法を提供すること。【解決手段】化合物半導体太陽電池は、GaAs又はGeに格子整合する第1化合物半導体材料で作製される吸収層と、光の入射方向において前記吸収層の入射側に配設され、Al(In)Pで作製され、前記吸収層の格子定数よりも小さい格子定数を有し、前記吸収層のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有するAl(In)P窓層とを有する第1光電変換セルを含む。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供实现更高效率的化合物半导体光伏电池以及化合物半导体光伏电池的制造方法。解决方案：化合物半导体光伏电池包括第一光电转换元件，第一光电转换元件包括：由第一与GaAs或Ge晶格匹配的化合物半导体材料; 以及Al（In）P窗层，其在光入射方向上布置在吸收层的入射侧，由Al（In）P制成，具有小于吸收层的晶格常数的晶格常数，并且具有带间隙大于吸收层的带隙。选择图：图1

10. 发明专利

JP2015525479A エピタキシャルリフトオフの促進のためのひずみ制御审中-公开
标题翻译：促进外延剥离应变控制
公开(公告)号：JP2015525479A
公开(公告)日：2015-09-03
申请号：JP2015516108
申请日：2013-06-04
申请人：ザリージェンツオブザユニヴァシティオブミシガン , ザリージェンツオブザユニヴァシティオブミシガン
发明人：フォレスト，ステファン，アール． , リー，キュサン , ツィマーマン，ジェラミー
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L31/18
CPC分类号： H01L21/7813 , H01L21/7806 , H01L31/1892 , Y02E10/50
摘要：ハンドルおよび前記ハンドル上に配置される1つ以上のひずみ作用層を含み、前記1つ以上のひずみ作用層は前記ハンドルの屈曲を生じさせる、エピタキシャルリフトオフのための薄膜デバイスが開示される。また、ハンドル上に1つ以上のひずみ作用層を堆積させることを含む製造方法であって、前記1つ以上のひずみ作用層は、引張ひずみ、圧縮ひずみおよびほぼ中立のひずみから選択され、前記ハンドル上における少なくとも1つのひずみを生じさせる、エピタキシャルリフトオフのための薄膜デバイスの製造方法もまた開示される。さらに、成長基板上に配置される犠牲層の上にエピ層を堆積させることと、前記成長基板およびハンドルの少なくとも1つの上に1つ以上のひずみ作用層を堆積させることと、前記ハンドルと前記成長基板を接合することと、前記犠牲層をエッチングすることとを含む、エピタキシャルリフトオフのための方法もまた開示される。
摘要翻译：包括布置在所述手柄和所述手柄，所述一个或多个应变工作层使得手柄的弯曲一个或多个应变效应层，外延剥离的薄膜器件中公开。还提供了一种制造方法，包括沉积一或手柄上的多个应变工作层，所述一个或多个应变工作层是拉伸应变，压缩应变以及从中立，手柄的大致应变选择导致制造用于外延剥离的薄膜器件的方法的至少一种菌株也被公开。此外，设置在沉积在生长衬底上的牺牲层上的外延层，和沉积一个或在生长衬底和所述手柄中的至少一个多个应变作用层，和处理该包括接合所述生长衬底;以及蚀刻所述牺牲层，外延剥离的方法也被公开。

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