专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2012514856A Energy conversion, electrical switching and thermal switching equipment 审中-公开
公开(公告)号：JP2012514856A
公开(公告)日：2012-06-28
申请号：JP2011544629
申请日：2009-12-31
申请人：テンプロニクス,インコーポレイテッド
发明人：マカンシ，タレック
IPC分类号： H01L35/32 , H01L35/14 , H02N11/00
CPC分类号： H01L35/16 , H01J21/04 , H01J45/00
摘要：トンネル内での電極間のナノメータ分離を維持するための改良された設計であって、熱トンネル、ダイオード、熱電子、熱光起電、電流制限、リセット可能ヒューズ、継電器、ブレーカー、及び他の装置が開示されている。少なくとも１つの電極は温度によって変更する湾曲形状である。幾つかの実施例はナノメータ分離を制限するために、あるいは電流を止めるために用いている。他の実施例は従来と比べて２つの電極間の熱伝導を減少している。結果として電子装置は簡素な形状でナノメータ間隔を備えた安定した釣り合いで２つの近接した平行電極を維持しており、熱を電気に変換し、電気を冷却に変換し、電流を制限し、あるいは電流を遮断している。
【選択図】図１

2. 发明专利

JP4344664B2 Micro-devices, micro device array, amplification circuit, a memory device, the analog switch and the current control element 有权
公开(公告)号：JP4344664B2
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：JP2004248101
申请日：2004-08-27
申请人：日本碍子株式会社
发明人：七瀧　　努 , 大和田　　巌 , 幸久武内
IPC分类号： H01J21/04 , H01J21/10 , G09G3/22 , G11C7/10 , G11C11/30 , H01J1/312 , H01J19/24
CPC分类号： H01J21/04 , B82Y10/00 , G09G3/22 , G11C7/1051 , G11C11/30 , H01J1/312 , H01J19/24 , H01J2201/3125

3. 发明专利

JP2007042458A Electron emitting device 有权
标题翻译：电子发射装置
公开(公告)号：JP2007042458A
公开(公告)日：2007-02-15
申请号：JP2005225898
申请日：2005-08-03
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： SAKAI TADASHI , ONO TOMIO , SAKUMA HISASHI , YOSHIDA HIROAKI , SUZUKI MARIKO
IPC分类号： H01J1/34 , H01J1/30 , H01J21/02 , H01J35/06
CPC分类号： H01J21/04 , H01J3/021
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve stable emission of electrons and a high output of electrons even with impression at low voltage. SOLUTION: The electron emitting device is equipped with a cathode in a cell structuring a surface of a discharge cell, a diamond barrier arranged to be faced to the cathode in the cell, an insulation body arranged between the cathode in the cell and a first surface of the diamond barrier and forming a sealed space, inert gas sealed in the sealed space, a discharge anode separating the first surface and a second surface of an opposite surface of the diamond barrier and arranged to be faced to each other with vacuum in between, a first electrode impressing voltage between the cathode in the cell and the diamond barrier using the diamond barrier as an anode side, and a second power supply impressing voltage between the diamond barrier and the discharge anode using the discharge anode as an anode side. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：即使在低电压下的印象，也能实现电子的稳定发射和高电子输出。解决方案：电子发射器件在构成放电单元的表面的单元中装备有阴极，金刚石阻挡层布置成面对电池中的阴极，布置在电池中的阴极之间的绝缘体和金刚石阻挡层的第一表面并形成密封空间，密封在密封空间中的惰性气体，将金刚石阻挡层的第一表面和相对表面的第二表面分开的放电阳极，并布置为彼此面对真空其中，使用金刚石阻挡层作为阳极侧的第一电极施加电池中的阴极和金刚石阻挡层之间的电压，以及使用放电阳极作为阳极侧的金刚石阻挡层和放电阳极之间的第二电源施加电压。版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

4. 发明专利

JP5847343B2 印刷された能動デバイス有权
标题翻译：印刷有源器件
公开(公告)号：JP5847343B2
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：JP2015057628
申请日：2015-03-20
申请人：ブリティッシュ・テレコミュニケーションズ・パブリック・リミテッド・カンパニー , BRITISH TELECOMMUNICATIONS PUBLIC LIMITED COMPANY
发明人：ロバートガニーア−ハーコック
IPC分类号： H01J9/14 , H01J9/24 , H01J9/28 , H01J21/04 , H01J21/10 , B33Y10/00 , H01J9/04
CPC分类号： H01J19/04 , B05D1/265 , B05D1/36 , B29C67/0051 , H01J19/08 , H01J19/38 , H01J21/04 , H01J21/10 , H01J9/18 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , B33Y80/00

5. 发明专利

JP4938568B2 Field emission device 有权
公开(公告)号：JP4938568B2
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：JP2007174270
申请日：2007-07-02
申请人：ツィンファユニバーシティ , 鴻富錦精密工業(深▲セン▼)有限公司
发明人：守善 ▲ハン▼ , 亮劉 , 昭▲フク▼ 胡 , 丕瑾陳
IPC分类号： H01J1/304
CPC分类号： H01J21/04 , H01J21/105

6. 发明专利

JP2015185545A 印刷された能動デバイス有权
标题翻译：打印活动设备
公开(公告)号：JP2015185545A
公开(公告)日：2015-10-22
申请号：JP2015057628
申请日：2015-03-20
申请人：ブリティッシュ・テレコミュニケーションズ・パブリック・リミテッド・カンパニー , BRITISH TELECOMMUNICATIONS PUBLIC LIMITED COMPANY
发明人：ロバートガニーア−ハーコック
IPC分类号： H01J21/04 , H01J9/04 , H01J9/08 , H01J9/14 , H01J9/18 , H01J9/24 , B33Y10/00 , H01J21/06
CPC分类号： H01J19/04 , B05D1/265 , B05D1/36 , B29C67/0051 , H01J19/08 , H01J19/38 , H01J21/04 , H01J21/10 , H01J9/18 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , B33Y80/00
摘要：【課題】印刷された能動デバイスを提供すること【解決手段】3D印刷された装置であって、前記装置のファブリックと一体の3D印刷された熱イオン電子構成要素を含む、装置。さらに、一実施形態において、一体型能動電子構成要素を伴う物品を製造する方法が提供され、該方法は、付加製造プロセスを用いることにより、a)非導電性基板を形成することと、b)アパーチャを有する非導電性穿孔層を形成することと、c)前記アパーチャにおいて間隔を空けて配置された導電性のアノード要素およびカソード要素を形成することと、d)前記要素の間に電位差を付与するために適した、前記要素の各々に対する伝導性電気接続部を堆積させることと、e)前記穿孔層における前記アパーチャを維持しかつシールするために、前記穿孔層の上に非導電性シール層を形成することとを含む。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题：提供一种印刷的有源器件。解决方案：提供了一种3D印刷装置，其包括与该装置的织物一体的3D印刷热电子元件。此外，在一个实施例中，提供了一种制造具有整体有源电子部件的制品的方法。该方法包括通过使用添加剂制造方法，a）形成非导电基底，b）形成具有孔的非导电穿孔层，c）形成导电阳极和阴极元件，其设置为在孔中间隔开，d）沉积到每个元件的导电电连接，适合于在元件之间施加电位差，以及e）在穿孔层顶部形成非导电密封层，以便保持并且密封穿孔层中的孔。

7. 发明专利

JP4287416B2 Electron emission devices 有权
公开(公告)号：JP4287416B2
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：JP2005225898
申请日：2005-08-03
申请人：株式会社東芝
发明人：尚志佐久間 , 博昭吉田 , 富男小野 , 忠司酒井 , 真理子鈴木
IPC分类号： H01J1/34 , H01J21/02 , H01J35/06
CPC分类号： H01J21/04 , H01J3/021

8. 发明专利

JP2008016451A Small field emission element and its manufacturing method 有权
标题翻译：小场排放元件及其制造方法
公开(公告)号：JP2008016451A
公开(公告)日：2008-01-24
申请号：JP2007174270
申请日：2007-07-02
申请人： Kofukin Seimitsu Kogyo (Shenzhen) Yugenkoshi , Qinghua Univ , ツィンファユニバーシティ , 鴻富錦精密工業(深▲セン▼)有限公司
发明人： CHIN HIKIN , KO SHOFUKU , LIU LIANG , FAN FENG-YAN
IPC分类号： H01J1/304
CPC分类号： H01J21/04 , H01J21/105
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a field emission element of nano level which is operated, in particular, by inert gas with respect to the small field emission element. SOLUTION: The field emission element comprises a substrate, a cathode installed on the substrate, an emitter connected electrically to the cathode, and an anode. At least one kind of inert gas is filled between the cathode and the anode. The emitter has a tip formed opposed to the anode. When the distance between the tip of the emitter and the anode is expressed as "h", and the average free travel of electrons moving in the inert gas atmosphere is expressed as [No.1], the [No.2] is satisfied. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种纳米级的场发射元件，特别是相对于小场致发射元件，通过惰性气体操作。解决方案：场发射元件包括衬底，安装在衬底上的阴极，与阴极电连接的发射极和阳极。在阴极和阳极之间填充至少一种惰性气体。发射极具有与阳极相对的端部。当发射极和阳极的尖端之间的距离表示为“h”时，在惰性气体气氛中移动的电子的平均自由行程表示为[No.1]，满足[No.2]。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2005174905A Micro device, micro device array, amplifying circuit, memory apparatus, analog switch and current control element 有权
标题翻译：微型器件，微型器件阵列，放大电路，存储器，模拟开关和电流控制元件
公开(公告)号：JP2005174905A
公开(公告)日：2005-06-30
申请号：JP2004248101
申请日：2004-08-27
申请人： Ngk Insulators Ltd , 日本碍子株式会社
发明人： TAKEUCHI YUKIHISA , NANATAKI TSUTOMU , OWADA IWAO
IPC分类号： H01J21/04 , G09G3/22 , G11C7/10 , G11C11/30 , H01J1/312 , H01J19/24
CPC分类号： H01J21/04 , B82Y10/00 , G09G3/22 , G11C7/1051 , G11C11/30 , H01J1/312 , H01J19/24 , H01J2201/3125
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a micro device applicable to, for example, an amplifying circuit having a memory function, a memory apparatus or an analog switch, etc. by using an electron emission element. SOLUTION: The micro device 10 is provided with a memory part 18 accumulating a charge according to an input voltage Vi, the electron emission element 14 emitting electrons according to the charge accumulated in the memory part 18 and an amplifying part 16 connected with a power source 22 and containing a collector electrode 20 capturing the electrons emitted from the electron emission element 14. At least the atmosphere between the electron emission element 14 and the collector electrode 20 is a vacuum. The electrons emitted from the electron emission element 14 are captured by the collector electrode of the amplifying part 16, which induces a collector current Ic flowing between the collector electrode 20 and the electron emission element 14, and amplification is performed by the collector current Ic. COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：通过使用电子发射元件来提供适用于例如具有存储功能的放大电路，存储装置或模拟开关等的微型装置。解决方案：微型装置10设有存储器部分18，其根据输入电压Vi蓄积电荷，电子发射元件14根据累积在存储器部分18中的电荷和与电源22并且包含捕获从电子发射元件14发射的电子的集电极20.至少电子发射元件14和集电极20之间的气氛是真空。从电子发射元件14发射的电子被放大部分16的集电极捕获，这引起在集电极20和电子发射元件14之间流动的集电极电流Ic，并且通过集电极电流Ic进行放大。版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式