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1. 发明专利

JP2016146745A 高電圧・大電流真空集積回路审中-公开
标题翻译：高电压高电流真空集成电路
公开(公告)号：JP2016146745A
公开(公告)日：2016-08-12
申请号：JP2016060406
申请日：2016-03-24
申请人：アドバンストフュージョンシステムズエルエルシー
发明人：カーティス・エー・バーンバック
IPC分类号： H02J3/01 , H02H9/04 , H02H9/02
CPC分类号： H01G4/35 , G05F1/10 , H01J19/42 , H01J19/54 , H01J19/70 , H01J19/82 , H01J21/10 , H01J5/02 , H01J7/16 , H02H3/08 , H02H9/02 , H02H9/08 , H01J19/24
摘要：【課題】高電圧・大電流の送電グリッドまたは他の回路において、グリッド中の電気素子を破壊する可能性がある過渡電圧からグリッドを守ることのできる堅牢な高電圧・大電流調整器または電圧固定回路を提供する。【解決手段】電流を調整するための高電圧・大電流調整器回路は、外部回路に接続した第一および第二端子13、15の間に間置し、当該第一および第二端子間で電流を伝導する少なくとも一つの主電流通過型冷陰極電界放出電子管23から成る。電流調整器回路120は、少なくとも一つの冷陰極電界放出電子管を含む電圧固定回路を伴うこともある。高電圧・大電流真空集積回路を形成するように、高電圧および大電流で作動するよう組み立てられた少なくとも二つの冷陰極電界放出電子管は、好ましくは単一の真空筺体内に収納され、回路機能を備えるため相互接続される。【選択図】図7
摘要翻译：要解决的问题：提供一种稳定的高压大电流调节器或电压钳位电路，保护电网免受瞬间电压的影响，这可能会破坏电网中的电气元件，高压大电流输电网或其他电路。解决方案：用于调节电流的高电压高电流调节器电路被插入到连接到外部电路的第一和第二端子13和15之间，并且包括至少一个主电流通道型冷阴极场致发射电子管23，其在第一和第二端之间传导电流终端。电流调节器电路120可以伴随有包括至少一个冷阴极场发射电子管的电压钳位电路。配置为在高电压和高电流下操作的至少两个冷阴极场发射电子管优选地包含在单个真空外壳内并且互连以提供电路功能，以便形成高压大电流真空集成电路选择图：图7

2. 发明专利

JP2016146744A 調節可能な電圧固定回路审中-公开
标题翻译：可调电压钳位电路
公开(公告)号：JP2016146744A
公开(公告)日：2016-08-12
申请号：JP2016060405
申请日：2016-03-24
申请人：アドバンストフュージョンシステムズエルエルシー
发明人：カーティス・エー・バーンバック
IPC分类号： H02H9/02 , H02J3/01 , H02H9/04
CPC分类号： H01G4/35 , G05F1/10 , H01J19/42 , H01J19/54 , H01J19/70 , H01J19/82 , H01J21/10 , H01J5/02 , H01J7/16 , H02H3/08 , H02H9/02 , H02H9/08 , H01J19/24
摘要：【課題】堅牢な電圧調整器、例えば送電グリッドまたは他の回路において高電圧および大電流で作動できる電圧固定回路を提供する。【解決手段】第一端子13および第二端子15間に置かれた調節可能な電圧固定回路(高電圧電流調整器回路10)は、双方向電圧固定器23(双方向冷陰極電界放出テトロード管)とバイアス回路とを有する。電圧固定回路は、少なくとも一つの冷陰極電界放出電子管に接続された第一制御グリッドおよび第二制御グリッドへの制御シグナルの入力により、調節可能な作動閾値電圧を生成できる。バイアス回路は、第一制御グリッド28および第二制御グリッド31を介して、双方向電圧固定器にバイアスをかけて、作動閾値電圧をセットする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种稳定的电压调节器，例如，能够在输电网或另一电路中以高电压和高电流工作的电压钳位电路。解决方案：可调节电压钳位电路（高压电流调节器位于第一端子13和第二端子15之间的电路10）具有双向电压钳位器23（双向冷阴极场发射四极管）和偏置电路。电压钳位电路可以通过控制信号的输入产生可调节的操作阈值电压到第一控制栅格和与至少一个冷阴极场发射电子管连接的第二控制栅。偏置电路通过第一控制电网28和第二控制电网31向双向电压钳位器施加偏置，以设置操作阈值电压。图1

3. 发明专利

JP5908913B2 高電圧・大電流調整回路有权
标题翻译：高电压和高电流调节电路
公开(公告)号：JP5908913B2
公开(公告)日：2016-04-26
申请号：JP2013532927
申请日：2011-10-05
申请人：アドバンストフュージョンシステムズエルエルシー
发明人：カーティス・エー・バーンバック
IPC分类号： H02H9/04 , H02H7/00 , H02H9/02
CPC分类号： H01G4/35 , G05F1/10 , H01J19/82 , H01J21/10 , H01J5/02 , H01J7/16 , H02H3/08 , H02H9/02 , H02H9/08 , H01J19/24

4. 发明专利

JP6411400B2 調節可能な電圧固定回路审中-公开
公开(公告)号：JP6411400B2
公开(公告)日：2018-10-24
申请号：JP2016060405
申请日：2016-03-24
申请人：アドバンストフュージョンシステムズエルエルシー
发明人：カーティス・エー・バーンバック
IPC分类号： H02H9/02 , H02H9/04
CPC分类号： H01G4/35 , G05F1/10 , H01J5/02 , H01J7/16 , H01J19/24 , H01J19/42 , H01J19/54 , H01J19/70 , H01J19/82 , H01J21/10 , H02H3/08 , H02H9/02 , H02H9/08

5. 发明专利

JP6376568B2 高電圧・大電流真空集積回路审中-公开
公开(公告)号：JP6376568B2
公开(公告)日：2018-08-22
申请号：JP2016060406
申请日：2016-03-24
申请人：アドバンストフュージョンシステムズエルエルシー
发明人：カーティス・エー・バーンバック
IPC分类号： H02J3/01 , H02H9/04 , H02H9/02
CPC分类号： H01G4/35 , G05F1/10 , H01J5/02 , H01J7/16 , H01J19/24 , H01J19/42 , H01J19/54 , H01J19/70 , H01J19/82 , H01J21/10 , H02H3/08 , H02H9/02 , H02H9/08

6. 发明专利

JP2005174905A Micro device, micro device array, amplifying circuit, memory apparatus, analog switch and current control element 有权
标题翻译：微型器件，微型器件阵列，放大电路，存储器，模拟开关和电流控制元件
公开(公告)号：JP2005174905A
公开(公告)日：2005-06-30
申请号：JP2004248101
申请日：2004-08-27
申请人： Ngk Insulators Ltd , 日本碍子株式会社
发明人： TAKEUCHI YUKIHISA , NANATAKI TSUTOMU , OWADA IWAO
IPC分类号： H01J21/04 , G09G3/22 , G11C7/10 , G11C11/30 , H01J1/312 , H01J19/24
CPC分类号： H01J21/04 , B82Y10/00 , G09G3/22 , G11C7/1051 , G11C11/30 , H01J1/312 , H01J19/24 , H01J2201/3125
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a micro device applicable to, for example, an amplifying circuit having a memory function, a memory apparatus or an analog switch, etc. by using an electron emission element. SOLUTION: The micro device 10 is provided with a memory part 18 accumulating a charge according to an input voltage Vi, the electron emission element 14 emitting electrons according to the charge accumulated in the memory part 18 and an amplifying part 16 connected with a power source 22 and containing a collector electrode 20 capturing the electrons emitted from the electron emission element 14. At least the atmosphere between the electron emission element 14 and the collector electrode 20 is a vacuum. The electrons emitted from the electron emission element 14 are captured by the collector electrode of the amplifying part 16, which induces a collector current Ic flowing between the collector electrode 20 and the electron emission element 14, and amplification is performed by the collector current Ic. COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：通过使用电子发射元件来提供适用于例如具有存储功能的放大电路，存储装置或模拟开关等的微型装置。解决方案：微型装置10设有存储器部分18，其根据输入电压Vi蓄积电荷，电子发射元件14根据累积在存储器部分18中的电荷和与电源22并且包含捕获从电子发射元件14发射的电子的集电极20.至少电子发射元件14和集电极20之间的气氛是真空。从电子发射元件14发射的电子被放大部分16的集电极捕获，这引起在集电极20和电子发射元件14之间流动的集电极电流Ic，并且通过集电极电流Ic进行放大。版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

7. 发明专利

KR102224612B1 KR102224612B1 - High-brightness boron-containing electron beam emitter for use in vacuum environments 有权
公开(公告)号：KR102224612B1
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：KR1020197002786A
申请日：2017-06-20
申请人： 케이엘에이 코포레이션
发明人： 윌리엄 쥐. 슐츠 , 길다르도 델가도 , 프란시스 힐 , 가르시아, (베리오스) 에드가르도 , 루디 가르시아
IPC分类号： H01J33/04 , G21K5/02
CPC分类号： H01J1/3044 , H01J33/04 , G21K5/02 , H01J1/34 , H01J19/24 , H01J37/073 , H01J9/025 , H01J2201/30411 , H01J2201/30449 , H01J2201/30492 , H01J2209/0223
摘要： 금속 붕화물 물질을 함유한 에미터는 반경이 1㎛ 이하인 적어도 부분적으로 둥글게 된 팁을 갖는다. 전계가 에미터에 인가되고 전자빔이 에미터로부터 생성된다. 에미터를 형성하기 위해, 반경이 1㎛ 이하인 둥근 팁을 가진 금속 붕화물 물질을 함유한 에미터를 형성하도록 물질이 단결정 봉으로부터 제거된다.

8. 发明专利

JP2016517143A 電界放出装置の成形カソード审中-公开
标题翻译：形成的场致发射装置的阴极
公开(公告)号：JP2016517143A
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：JP2016503617
申请日：2014-03-14
申请人：ライトラブスウェーデンアクティエボラーグ , ライトラブスウェーデンアクティエボラーグ
发明人：ティレンヨナス , ティレンヨナス
IPC分类号： H01J63/06 , H01J9/02 , H01J61/06 , H01J61/067 , H01J61/35
CPC分类号： H01J63/06 , H01J9/025 , H01J19/24
摘要：本発明は、アノードとカソードを備え、カソードの形状はアノードとカソードが提供される真空容器の形状をもとに選択される、電界放出照明装置に関する。カソードの独創的な形状によって、電界放出照明装置の動作中にアノードとカソードとの間に提供される電界の均一性を向上することができる。本発明はまた、そのようなカソードの形状を選択する、対応する方法に関する。
摘要翻译：本发明包括一个阳极和一个阴极，所述阴极的形状是基于所述真空容器阳极的形状选择和提供阴极，场发射照明装置。原来的形状的阴极，所以能够提高电场的均匀性的场致发射发光装置的操作过程中在阳极和阴极之间设置。本发明还选择这样阴极的形状，相应的方法。

9. 发明专利

JP2013541931A High-voltage, large-current adjustment circuit 有权
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP2013541931A
公开(公告)日：2013-11-14
申请号：JP2013532927
申请日：2011-10-05
申请人：アドバンストフュージョンシステムズエルエルシー
发明人：カーティス・エー・バーンバック
IPC分类号： H02H9/02 , H02H7/00 , H02H9/04
CPC分类号： H01G4/35 , G05F1/10 , H01J5/02 , H01J7/16 , H01J19/24 , H01J19/42 , H01J19/54 , H01J19/70 , H01J19/82 , H01J21/10 , H02H3/08 , H02H9/02 , H02H9/08
摘要：【課題】
高電圧・大電流の送電グリッドまたは他の回路において、グリッド中の電気素子を破壊する可能性がある過渡電圧からグリッドを守ることのできる堅牢な高電圧・大電流調整器または電圧固定回路を提供する。
【解決手段】
電流を調整するための高電圧・大電流調整器回路は、外部回路に接続した第一および第二端子の間に間置し、当該第一および第二端子間で電流を伝導する少なくとも一つの主電流通過型冷陰極電界放出電子管から成る。電流調整器回路は、少なくとも一つの冷陰極電界放出電子管を含む電圧固定回路を伴うこともある。高電圧・大電流真空集積回路を形成するように、高電圧および大電流で作動するよう組み立てられた少なくとも二つの冷陰極電界放出電子管は、好ましくは単一の真空筺体内に収納され、回路機能を備えるため相互接続される。
【選択図】図７
摘要翻译：用于调节电流的高压大电流调节器电路被插入在连接到外部电路的第一和第二端子之间，并且包括在第一和第二端子之间传导电流的至少一个主电流负载冷阴极场致发射电子管。第一和第二格栅控制冷阴极场发射电子管提供用于至少一个主电流负载冷阴极场发射电子管的第一和第二栅极的控制信号，用于在第一和第二端子上的正和负偏移电压，分别。电流调节器电路可以伴随着包括至少一个冷阴极场发射电子管的电压钳位电路。配置为在高电压和高电流下操作的至少两个冷阴极场发射电子管优选地包含在单个真空外壳内并且互连以提供电路功能，以便形成高压大电流真空集成电路。

10. 发明专利

JP4344664B2 Micro-devices, micro device array, amplification circuit, a memory device, the analog switch and the current control element 有权
公开(公告)号：JP4344664B2
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：JP2004248101
申请日：2004-08-27
申请人：日本碍子株式会社
发明人：七瀧　　努 , 大和田　　巌 , 幸久武内
IPC分类号： H01J21/04 , H01J21/10 , G09G3/22 , G11C7/10 , G11C11/30 , H01J1/312 , H01J19/24
CPC分类号： H01J21/04 , B82Y10/00 , G09G3/22 , G11C7/1051 , G11C11/30 , H01J1/312 , H01J19/24 , H01J2201/3125

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