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1. 发明专利

JP6394359B2 メモリデバイス、記憶装置及び記憶装置の診断方法有权
公开(公告)号：JP6394359B2
公开(公告)日：2018-09-26
申请号：JP2014254785
申请日：2014-12-17
申请人：富士通株式会社
发明人：ガーベイ道代 , 伊勢昌弘 , 石橋修 , 目崎義憲
IPC分类号： G11C29/50 , G06F12/00
CPC分类号： G11C11/5628 , G11C16/12 , G11C16/349 , G11C29/50004 , G11C29/50016 , G11C2029/0409 , G11C2029/5004

2. 发明专利

JP2018060277A 半導体回路、半導体回路の制御方法、および電子機器审中-公开
公开(公告)号：JP2018060277A
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：JP2016195757
申请日：2016-10-03
申请人：ソニー株式会社
发明人：平賀啓三
IPC分类号： G01R31/28 , H01L21/822 , H01L27/04 , G06F11/14
CPC分类号： G11C19/08 , G01R31/28 , G01R31/3177 , G06F11/1068 , G06F11/14 , G11C29/50 , G11C29/52 , G11C2029/5004 , H01F10/3286 , H01F10/329 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/228 , H01L43/02
摘要：【課題】不揮発性の記憶素子に経年劣化が生じた場合でも、回路動作への影響を抑えることができる半導体回路を得る。【解決手段】本開示の半導体回路は、それぞれがフリップフロップおよび不揮発性の記憶素子を含む複数の論理回路部を有し、第1の期間において、複数の論理回路部における記憶素子が複数の論理回路部における電圧状態をそれぞれ記憶するストア動作と、複数の論理回路部におけるフリップフロップがシフトレジスタとして動作するシフト動作とを行う順序回路部と、第1の期間において、シフト動作によりシフトレジスタから出力された第1のデータまたは第1のデータに対応する第2のデータを記憶する第1のメモリとを備える。【選択図】図5

3. 发明专利

JPWO2015173946A1 ストレージシステム及び信号伝送方法有权
公开(公告)号：JPWO2015173946A1
公开(公告)日：2017-04-20
申请号：JP2016519066
申请日：2014-05-16
申请人：株式会社日立製作所
发明人：康浩池田 , 康浩池田 , 諭村岡 , 諭村岡
IPC分类号： H04L25/03
CPC分类号： G06F13/1668 , G06F13/4022 , G06F13/4068 , G11C7/1045 , G11C7/1063 , G11C7/1084 , G11C29/022 , G11C29/028 , G11C29/10 , G11C29/12005 , G11C29/24 , G11C29/50008 , G11C2029/1208 , G11C2029/5002 , G11C2029/5004 , G11C2029/5006 , G11C2207/2254 , H04L25/02 , H04L25/03
摘要：ストレージシステムは、コントローラ部と、データ記憶部と、それらを接続する信号の伝送路とを有する。コントローラ部の有するドライバが、設定されたパラメータに基づいてライトデータを含む信号を発信し、データ記憶部の有するレシーバがその信号を受信し、その信号に含まれるライトデータが第1記憶領域にライトされる。コントローラ部は、第1記憶領域からライトデータをリードし、そのライトデータにビットエラーが存在するか否かを判定し、ビットエラーが存在する場合、パラメータを変更して同様の判定を繰り返し、ビットエラーが存在しなくなる適切なパラメータを発見する。

4. 发明专利

JP2011164994A Memory system 审中-公开
标题翻译：记忆系统
公开(公告)号：JP2011164994A
公开(公告)日：2011-08-25
申请号：JP2010027944
申请日：2010-02-10
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： OKAMOTO NOBUAKI
IPC分类号： G06F12/16 , G11C16/02 , G11C16/04
CPC分类号： G06F3/0605 , G06F3/0619 , G06F3/064 , G06F3/0653 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F11/1072 , G06F11/1084 , G06F11/3034 , G06F11/3058 , G06F11/327 , G06F12/0246 , G06F2212/1032 , G06F2212/152 , G06F2212/214 , G06F2212/7201 , G06F2212/7207 , G06F2212/7211 , G11C16/14 , G11C16/16 , G11C16/3445 , G11C16/349 , G11C29/50004 , G11C29/52 , G11C2029/5004
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a memory system capable of correctly detecting the degraded state of the whole nonvolatile semiconductor memory constituted of a plurality of blocks. SOLUTION: The memory system includes: a NAND memory 20 as the nonvolatile semiconductor memory that includes a plurality of blocks as a unit of data erasing; a writing loop count monitoring unit 13 that monitors the loop count of an applied voltage to the NAND memory 20 required for the data writing of the NAND memory 20 as a writing loop count; a management table for managing the writing loop count in a block unit; and a life managing unit 14 that determines the degraded state of the NAND memory 20 based on the management table. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：解决的问题：提供能够正确地检测由多个块构成的整个非易失性半导体存储器的劣化状态的存储器系统。存储器系统包括：作为非易失性半导体存储器的NAND存储器20，其包括作为数据擦除单元的多个块; 写入循环计数监视单元13，其将NAND存储器20的数据写入所需的NAND存储器20的施加电压的循环计数作为写入循环计数进行监视; 用于以块为单位管理写入循环计数的管理表; 以及基于管理表确定NAND存储器20的劣化状态的生命管理单元14。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

5. 发明专利

JP2010118095A Semiconductor storage device and test method thereof 审中-公开
标题翻译：半导体存储器件及其测试方法
公开(公告)号：JP2010118095A
公开(公告)日：2010-05-27
申请号：JP2008289030
申请日：2008-11-11
申请人： Elpida Memory Inc , エルピーダメモリ株式会社
发明人： TOSHIHO YOSHIRO
IPC分类号： G11C29/06 , G11C11/401 , G11C11/404 , G11C11/406
CPC分类号： G11C5/147 , G11C11/401 , G11C29/12005 , G11C29/1201 , G11C29/48 , G11C29/50 , G11C29/50016 , G11C2029/5004
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor storage device contributing to an improvement in yield in addition to a reduction in test time.
SOLUTION: The semiconductor storage device includes: a reference voltage creating circuit 10 for generating a plate voltage to be supplied to a memory cell array; a plate voltage supplying terminal 20 for supplying the plate voltage from the outside; and a switching circuit 30 for switching the supply of the plate voltage from the plate voltage creating circuit and the supply of the plate voltage from the outside through the above plate voltage supplying terminal.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供除了减少测试时间之外有助于提高产量的半导体存储装置。解决方案：半导体存储装置包括：参考电压产生电路10，用于产生要提供给存储单元阵列的板电压; 用于从外部提供板电压的板电压供给端子20; 以及切换电路30，用于切换来自板电压产生电路的板电压的供应和通过上述板电压供应端从外部供应板电压。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

6. 发明专利

JP2008262637A Semiconductor integrated circuit 有权
标题翻译：半导体集成电路
公开(公告)号：JP2008262637A
公开(公告)日：2008-10-30
申请号：JP2007104823
申请日：2007-04-12
申请人： Matsushita Electric Ind Co Ltd , 松下電器産業株式会社
发明人： YAMAGAMI YOSHINOBU
IPC分类号： G11C11/413
CPC分类号： G11C8/08 , G11C11/412 , G11C11/413 , G11C29/02 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C29/48 , G11C2029/5002 , G11C2029/5004 , G11C2029/5006
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To improve static noise margin even when there are variation in transistor characteristic and operating environment. SOLUTION: A semiconductor integrated circuit comprises a plurality of memory cells disposed in a matrix, a plurality of word lines corresponding to each row of a plurality of the memory cells, a plurality of word line drivers for driving each of the plurality of word lines, and a plurality of pull-down circuits connected to the word lines for adjusting voltage of the word lines to be equal to or lower than the voltage of a power supply when the connected word lines are active. The plurality of word line drivers have transistors for activating the corresponding word lines. The plurality of pull-down circuits respectively have pull-down transistors which have the same conductivity type as for transistors included in the word line drivers for driving the corresponding word lines to pull-down the word lines. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：即使在晶体管特性和操作环境有变化的情况下，也可以提高静态噪声容限。解决方案：半导体集成电路包括以矩阵形式设置的多个存储单元，与多个存储单元的每行对应的多个字线，多个字线驱动器，用于驱动多个存储单元字线和连接到字线的多个下拉电路，用于在连接的字线活动时将字线的电压调整为等于或低于电源的电压。多个字线驱动器具有用于激活相应字线的晶体管。多个下拉电路分别具有下拉晶体管，其具有与包括在用于驱动相应字线以降低字线的字线驱动器中的晶体管相同的导电类型的下拉晶体管。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP2007512639A Method of determining a reference voltage, circuitry, and the system 审中-公开
公开(公告)号：JP2007512639A
公开(公告)日：2007-05-17
申请号：JP2006537553
申请日：2004-10-27
申请人：サイファン・セミコンダクターズ・リミテッド
发明人：コーヘン，ギュイ
IPC分类号： G11C29/12 , G06F11/10 , G06K20060101 , G11C7/00 , G11C7/02 , G11C11/56 , G11C16/02 , G11C16/04 , G11C16/06 , G11C16/28 , G11C16/30 , G11C16/34 , G11C17/00 , G11C29/00 , G11C29/24 , G11C29/42 , G11C29/50
CPC分类号： G11C11/5642 , G06F11/1008 , G11C16/28 , G11C16/30 , G11C16/3436 , G11C29/24 , G11C29/50 , G11C2029/0409 , G11C2029/5004 , G11C2211/5634
摘要： The present invention is a method, circuit and system for determining a reference voltage. Some embodiments of the present invention relate to a system, method and circuit for establishing a set of operating reference cells to be used in operating (e.g. reading) cells in an NVM block or array. As part of the present invention, at least a subset of cells of the NVM block or array may be read using each of two or more sets of test reference cells, where each set of test reference cells may generate or otherwise provide reference voltages at least slightly offset from each other set of test reference cells. For each set of test reference cells used to read at least a subset of the NVM block, a read error rate may be calculated or otherwise determined. A set of test reference cells associated with a relatively low read error rate may be selected as the set of operating reference cells to be used in operating (e.g. reading) other cells, outside the subset of cells, in the NVM block or array. In a further embodiment, the selected set of test reference cells may be used to establish an operating set of reference cells having reference voltages substantially equal to those of the selected test set.

8. 发明专利

JP2007064834A Device characteristic measuring system 审中-公开
标题翻译：器件特性测量系统
公开(公告)号：JP2007064834A
公开(公告)日：2007-03-15
申请号：JP2005252294
申请日：2005-08-31
申请人： Agilent Technol Inc , アジレント・テクノロジーズ・インクAgilent Technologies, Inc.
发明人： NOGUCHI RINMINORU , HABU OSAMU
IPC分类号： G01R31/28 , H01L21/66
CPC分类号： G11C29/50 , G01R19/0092 , G01R31/318511 , G11C29/006 , G11C29/48 , G11C29/56 , G11C2029/5004 , G11C2029/5006 , G11C2029/5602
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To solve a problem, in which when input signals become blunt of a wave pulse at the device measuring of PRAM and the like, the voltage applied actually to a device or the current flowing through a device can not be measured correctly.
SOLUTION: The device characteristic measuring system measuring the current flowing into a device is composed so as to prepare a shunt resistance for current measuring along the path of a coaxial cable connecting a probe 14 having contact with the terminal of a device and a pulse generator 20, to detect the difference in potential between both ends of the shunt resistance with an active differential probe, and to observe signals depending on the difference in potential by means of a signal waveform observing means. Moreover, frequency response is improved by connecting condensers with a shunt resistive 60 in parallel.
COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题为了解决在PRAM器件测量时输入信号变得钝的问题，实际施加于器件的电压或流过器件的电流不能要正确测量＆lt; P＆gt;解决方案：测量流入设备的电流的装置特性测量系统被构成，以便沿着连接具有与设备的端子接触的探头14的同轴电缆的路径准备用于电流测量的分流电阻，以及脉冲发生器20，利用有源差分探头检测分流电阻的两端之间的电位差，并通过信号波形观察装置观察取决于电位差的信号。此外，通过将并联电容器60并联连接电容器来提高频率响应。版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP3738001B2 Semiconductor integrated circuit device 有权
公开(公告)号：JP3738001B2
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：JP2002351687
申请日：2002-12-03
申请人：松下電器産業株式会社
发明人：直喜黒田
IPC分类号： G01R31/28 , H01L21/822 , G11C11/4074 , G11C29/02 , H01L21/8242 , H01L27/04 , H01L27/108
CPC分类号： G11C29/021 , G11C11/4074 , G11C29/02 , G11C29/12005 , G11C2029/5004 , G11C2207/105

10. 发明专利

JP3594221B2 Test circuit of the semiconductor integrated circuit device 有权
公开(公告)号：JP3594221B2
公开(公告)日：2004-11-24
申请号：JP1638899
申请日：1999-01-26
申请人：シャープ株式会社
发明人：謙河合
IPC分类号： G11C17/00 , G01R31/28 , G11C29/02 , G11C29/12 , G11C29/50 , G11C29/00
CPC分类号： G11C29/02 , G11C16/04 , G11C29/50 , G11C2029/5004

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