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3. 发明专利

JP6275270B2 ペリクル、その製造方法及び露光方法有权
公开(公告)号：JP6275270B2
公开(公告)日：2018-02-07
申请号：JP2016548957
申请日：2015-09-17
申请人：三井化学株式会社
发明人：高村一夫 , 種市大樹 , 小野陽介 , 石川比佐子 , 美谷島恒明 , 大久保敦 , 佐藤泰之 , 廣田俊明
IPC分类号： G03F7/20 , G03F1/62
CPC分类号： G03F1/64 , G03F7/2008 , H01L21/027

5. 发明专利

JP2016522908A 露光装置およびランプからの放射線を制御して感光性要素を露光する方法审中-公开
标题翻译：用于曝光感光元件，以控制从曝光装置和灯的辐射方法
公开(公告)号：JP2016522908A
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：JP2016509042
申请日：2014-04-16
申请人：イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company , イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company
发明人：リュートケヘルムート , リュートケヘルムート
IPC分类号： G03F7/20 , B41C1/00 , G03F7/00
CPC分类号： G03F7/201 , B41C1/00 , G03F7/20 , G03F7/2002 , G03F7/2008 , G03F7/2014 , G03F7/2041 , G03F7/2051 , G03F7/70558 , G03F7/70858 , G03F7/70875
摘要：本発明は、露光装置と、露光装置を使用して、感光性要素を放射線に対して制御する方法と、感光性要素を放射線で露光する方法とに関する。露光装置は、感光性要素を支持する露光ベッドを有するベースアセンブリと、2つ以上のランプを有するランプハウジングアセンブリとを含む。ランプハウジングアセンブリは、1つのランプが受け取る電力を調整するために、ランプの少なくとも1つに接続された調整可能な安定器と、露光ベッドに当たる照射量を測定するセンサと、測定した照射量と目標照射量との比較に基づいて、調整可能な安定器を調整し、それにより、ランプから放射する照射量を目標照射量に調整するコントローラとを含む。
摘要翻译：本发明是使用的曝光装置的曝光装置，和用于控制到辐射感光元件的方法，和感光元件与辐射曝光的方法。曝光装置包括：具有用于支撑所述感光元件的曝光床的底座组件，和具有两个或多个灯的灯外壳组件。灯壳体组件，以便调节一个灯接收功率，灯和连接到至少一个可调节的压载，用于测量剂量照射到曝光床，照射量和测定对象的传感器基于剂量的比较，调节可调镇流器，从而包括用于将来自灯的目标剂量调节放射线的剂量的控制器。

6. 发明专利

JPWO2011096365A1 露光装置用光照射装置及びその点灯制御方法、並びに露光装置、露光方法及び基板审中-公开
公开(公告)号：JPWO2011096365A1
公开(公告)日：2013-06-10
申请号：JP2011507480
申请日：2011-01-31
申请人： Nskテクノロジー株式会社
发明人：洋徳川島 , 洋徳川島 , 修作軽石 , 修作軽石 , 新一郎永井 , 新一郎永井 , 智紀原田 , 智紀原田
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/2008 , G03F7/7005 , G03F7/7035
摘要：光源部の交換時間及び装置のダウンタイムを短縮することができる露光装置用光照射装置及びその点灯制御方法、並びに露光装置、露光方法及び基板を提供する。光照射装置80は、ランプ71とランプ71から発生された光に指向性をもたせて射出する反射鏡72をそれぞれ含む複数の光源部73と、所定数の光源部73をそれぞれ取り付け可能な複数のカセット81と、複数のカセット81を取り付け可能な支持体82と、を備える。

7. 发明专利

JP2013098565A Lithographic apparatus and device manufacturing method 有权
标题翻译： LITHOGRAPHIC装置和装置制造方法
公开(公告)号：JP2013098565A
公开(公告)日：2013-05-20
申请号：JP2012238555
申请日：2012-10-30
申请人： Asml Netherlands Bv , エーエスエムエルネザーランズビー.ブイ.
发明人： MULDER HEINE MELLE
IPC分类号： H01L21/027 , G02B26/10 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/2008 , G03F7/26 , G03F7/70391 , G03F7/704 , G03F7/70575
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a lithographic system in which one or more problems introduced by deviation of the wavelength of one or more of radiation beams from a nominal value can be mitigated or minimized, for example.SOLUTION: The lithographic apparatus has a projection system to project a plurality of radiation beams onto a substrate. The plurality of radiation beams includes a first group of one or more radiation beams formed from radiation within a first wavelength range and a second group of one or more radiation beams formed from radiation within a second wavelength range, different from the first wavelength range. The apparatus also has a dispersion element configured such that one or more radiation beams of the first group are incident on the dispersion element at a different angle from the one or more radiation beams of the second group and such that the one or more radiation beams of the first and second group output from the dispersion element are substantially parallel.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种光刻系统，其中例如可以减轻或最小化一个或多个由一个或多个辐射束的波长偏离标称值引起的问题。解决方案：光刻设备具有将多个辐射束投影到基板上的投影系统。多个辐射束包括由第一波长范围内的辐射形成的一个或多个辐射束的第一组和由不同于第一波长范围的第二波长范围内的辐射形成的一个或多个辐射束的第二组。该装置还具有一个色散元件，其配置成使得第一组的一个或多个辐射束以与第二组的一个或多个辐射束不同的角度入射在分散元件上，并且使得一个或多个辐射束从分散元件输出的第一和第二组基本上是平行的。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2013503354A Methods for measuring semiconductor structure is an intermediate product of the solar cell or solar cell 审中-公开
公开(公告)号：JP2013503354A
公开(公告)日：2013-01-31
申请号：JP2012527216
申请日：2010-08-16
申请人：フラウンホーファー−ゲゼルシャフトツールフエルデルングデアアンゲヴァンテンフォルシュングエー.ファオ. , アルベルト‐ルードヴィッヒス‐ウニヴェルジテート・フライブルクAlbert‐Ludwigs‐Universitaet Freiburg
发明人：ハウンシルト，ヨナス , ライン，シュテファン , グラットハール，マルクス
IPC分类号： G01N21/64 , H01L31/04
CPC分类号： G01N21/6489 , G01N21/66 , G01N21/9501 , G01N2015/1479 , G03F7/2008 , G06F17/00 , H02S50/10
摘要：本発明は、太陽電池または太陽電池の中間製品である、エミッタとベースとを含む半導体構造物を測定するための方法であって、
半導体構造物内にルミネセンス放射を発生させ、半導体構造物から発するルミネセンス放射の空間分解測定が行われる際に、第１の測定が第１の測定条件ａにて実施され、この測定で得られた測定データから、少なくとも第１の測定で得られた測定データに依存して、太陽電池の多数の測定点ｘｉのための、空間分解され電圧キャリブレーションされた第１の電圧画像Ｖ
ａ（ｘ
ｉ）が決定されるステップＡと、
多数の測定点ｘｉのための、空間分解された暗飽和電流ｊ
ｏ（ｘ
ｉ）と空間分解されたエミッタ層抵抗ｐ（ｘ
ｉ）と空間分解された局所直列抵抗Ｒ
Ｓ（ｘ
ｉ）の少なくとも１つに関する半導体構造物の空間分解された特性が少なくともステップＡで決定された第１の電圧画像Ｖ
ａ（ｘ
ｉ）に依存して決定されるステップＢとを備えたものに関する。
本発明は、ステップＡにおいてさらに、第１の測定条件ａとは異なる第２の測定条件ｂにて少なくとも第２の測定が実施されることで得られた少なくとも第２の測定の測定データに依存して、多数の測定点ｘｉのための、空間分解され電圧キャリブレーションされた第２の電圧画像Ｖ
ｂ（ｘ
ｉ）がステップＡで得られた測定データから決定され、
ステップＡにおいて、第１の測定と第２の測定の際、ルミネセンス放射は半導体構造物が励起電磁線で面状照射されることによって発生させられ、
第１の測定の測定条件ａと第２の測定の測定条件ｂは、励起電磁線の強度、スペクトル組成、半導体構造物に電気接点形成を経て印加される所定の外部電圧Ｖ
ｅｘｔの少なくとも１つに関して相違しており、さらに、それぞれの測定条件（ａ、ｂ）に加えて、それぞれの測定条件下にて短絡条件の存在時に流れる電流の、電圧とは無関係かつ測定点とは無関係の短絡電流密度（ｊ
Ｐ，ａ、ｊ
Ｐ，ｂ）がそれぞれ設定または測定あるいはその両方がなされ、かつステップＢにおいて、各測定点ｘｉのための、空間分解された電気的特性の決定が、各測定条件に関する少なくとも短絡電流密度（ｊ
Ｐ，ａ、ｊ
Ｐ，ｂ）と、電圧に依存しかつ測定点に依存した暗電流密度（ｊ
Ｄ，ａ（ｘ
ｉ）、ｊ
Ｄ，ｂ（ｘ
ｉ））とに依存して行われ、その際、暗電流密度（ｊ
Ｄ，ａ（ｘ
ｉ）、ｊ
Ｄ，ｂ（ｘ
ｉ））は少なくとも、電圧とは無関係の暗飽和電流密度ｊ
ｏ（ｘ
ｉ）と、第１と第２の電圧画像（Ｖ
ａ（ｘ
ｉ）、Ｖ
ｂ（ｘ
ｉ））から求められる測定点ｘｉのための第１の電圧及び第２の電圧に依存していることを特徴とする。

9. 发明专利

JP2011132086A Titania-doped quartz glass and method for producing the same 有权
标题翻译： TITANIA-DOPED QUARTZ玻璃及其生产方法
公开(公告)号：JP2011132086A
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：JP2009294557
申请日：2009-12-25
申请人： Shin-Etsu Chemical Co Ltd , Shinetsu Quartz Prod Co Ltd , 信越化学工業株式会社 , 信越石英株式会社
发明人： MAIDA SHIGERU , OTSUKA HISATOSHI , UEDA TETSUJI , EZAKI MASANOBU
IPC分类号： C03B20/00 , C03B8/04 , C03C3/06 , G02B3/00 , G02B5/08
CPC分类号： G03F7/2008 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C03B19/1423 , C03B19/1453 , C03B2201/21 , C03B2201/23 , C03B2201/42 , C03B2207/06 , C03B2207/12 , C03B2207/36 , C03C3/06 , C03C2201/06 , G03F1/24
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a titania-doped quartz glass characterized in that the reduction amount of OH-group concentration by heat treatment at 900°C for 100 hr is ≤100 ppm, and also to provide a method for producing the same.
SOLUTION: The method for producing the titania-doped quartz glass includes depositing synthetic fine particles on a rotating target by flame hydrolysis and at the same time, melting and vitrifying. The method comprises the following conditions: the molar ratio of oxygen gas to be supplied to a burner central pipe to the sum of silicon source material gas and titanium source material gas is 5 or more; the linear velocity of hydrogen gas injected from one or a plurality of hydrogen gas-feeding pipes of the burner is 100 m/sec or less; the variation of a feeding flow rate of each gas is controlled to be within ±1%; the each temperature variation of intake air in a furnace, exhaust from the furnace and outside air in periphery of the furnace is controlled within ±2.5°C; and the target is rotated at 5 rpm or more to deposit the fine particles on the target.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：解决的问题：提供一种二氧化钛掺杂的石英玻璃，其特征在于900℃下热处理100小时的OH基浓度的减少量为≤100ppm，并且还提供一种生产一样。解决方案：用于制造掺杂二氧化钛的石英玻璃的方法包括通过火焰水解将合成的微粒沉积在旋转靶上，同时熔融和玻璃化。该方法包括以下条件：供给燃烧器中心管的氧气与硅源材料气体和钛原料气体之和的摩尔比为5以上; 从燃烧器的一个或多个氢气供给管喷射的氢气的线速度为100m /秒以下; 每种气体的进料流量变化控制在±1％以内; 炉内的进气温度变化，炉内排气，炉周围外部空气的温度变化控制在±2.5℃以内; 并且目标以5rpm或更多转动以将细颗粒沉积在靶上。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JP4488867B2 Pattern forming method 有权
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP4488867B2
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：JP2004322495
申请日：2004-11-05
申请人：株式会社東芝
发明人：健二川野 , 圭早崎 , 剛柴田
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/38 , G03F7/2004 , G03F7/2006 , G03F7/2008 , G03F7/3021 , G03F7/70425 , G03F7/70558 , G03F7/70783

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