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1. 发明专利

JP2018519676A 光学フィルタリングを用いる微細フォトルミネッセンス撮像审中-公开
公开(公告)号：JP2018519676A
公开(公告)日：2018-07-19
申请号：JP2018510309
申请日：2016-04-28
申请人：セミラボセミコンダクターフィジックスラボラトリーカンパニーリミテッド , SEMILAB Semiconductor Physics Laboratory Co.,Ltd.
发明人：キス、ゾルタンタマーシュ , ドゥダーシュ、ラースロー , コヴァーチ、ジョルト , ライトス、イムレ , ナードゥドヴァリ、ジェルジ , ローラン、ニコラ , ヤストシェブスキー、ルボミールエル.
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01N21/6489 , G01N21/6456 , G01N21/9501 , G01N21/9505 , G01N2021/646
摘要：ウエハを、ウエハ内でフォトルミネッセンスを誘発するのに十分な波長及び強度を有する励起光によって照明するステップと、照明に応答してウエハの一部分から放出されたフォトルミネッセンスをフィルタリングするステップと、フィルタリング済みのフォトルミネッセンスを検出器上に導いて、検出器上において1μm×1μm以下の空間分解能でウエハの一部分を撮像するステップと、検出されたフィルタリング済みのフォトルミネッセンスに基づいてウエハ内の1つ又は複数の結晶欠陥を識別するステップとを含む方法。

2. 发明专利

JP2018105871A 試料の欠陥検出及び光ルミネセンス測定のための系及び方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018105871A
公开(公告)日：2018-07-05
申请号：JP2018009623
申请日：2018-01-24
申请人：ケーエルエー−テンカーコーポレイション
发明人：サペイロメイン
IPC分类号： G01N21/64 , H01L21/66 , G01N21/956
CPC分类号： G01N21/6489 , G01N21/8806 , G01N21/9501 , G01N2021/6495 , G01N2021/8845 , G01N2201/06113 , G01N2201/0662
摘要：【課題】1つ以上の光ルミネセンス欠陥または1つ以上の散乱欠陥を検出する、試料の欠陥検出及び光ルミネセンス測定を提供する。【解決手段】試料104の一部分上に斜照明波長λ0の光ビーム101を方向付け、試料の一部分上に、試料の1つ以上の光ルミネセンス欠陥に光ルミネセンス光を出射させるための垂直照明波長λNの光ビーム110を方向付け、試料からの欠陥散乱放射線または光ルミネセンス放射線を収集し、試料からの放射線を、可視スペクトル中の第1の放射線部分131、垂直照明波長光を含む第2の放射線部分133、及び斜照明波長光を含む少なくとも第3の放射線部分135に分離し、第1の放射線部分、第2の放射線部分、または第3の放射線部分の1つ以上の特徴を測定し、第1の放射線部分、第2の放射線部分、または第3の放射線部分の測定された1つ以上の特徴に基づき、1つ以上の光ルミネセンス欠陥または1つ以上の散乱欠陥を検出する。【選択図】図1A

3. 发明专利

JP6153596B2 スペクトルルミネセンス測定のための方法および装置有权
公开(公告)号：JP6153596B2
公开(公告)日：2017-06-28
申请号：JP2015501855
申请日：2013-03-19
申请人：ケーエルエー−テンカーコーポレイション , ケーエルエー−テンカーコーポレイション
发明人：ロマンサペイ , ロマンサペイ
IPC分类号： G01N21/64 , G01N21/66 , H01L21/66
CPC分类号： G01N21/6489 , G01B11/06 , G01N21/66

4. 发明专利

JP6022458B2 欠陥検査およびフォトルミネセンス測定システム有权
标题翻译：缺陷检查和光致发光测定系统
公开(公告)号：JP6022458B2
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：JP2013525936
申请日：2011-08-08
申请人：ケーエルエー−テンカーコーポレイション
发明人：サペロマン , ミークススティーブンダブリュ
IPC分类号： G01N21/956 , G01N21/64 , G01N21/88
CPC分类号： G01J3/36 , G01J3/4412 , G01N21/6489 , G01N21/9501

5. 发明专利

JP2016525214A 試料の欠陥検出及び光ルミネセンス測定のための系及び方法有权
标题翻译：用于样品的缺陷检测和光致发光测量的系统和方法
公开(公告)号：JP2016525214A
公开(公告)日：2016-08-22
申请号：JP2016523896
申请日：2014-06-25
申请人：ケーエルエー−テンカーコーポレイション , ケーエルエー−テンカーコーポレイション
发明人：ロメインサペイ , ロメインサペイ
IPC分类号： G01N21/956 , H01L21/66
CPC分类号： G01N21/6489 , G01N21/8806 , G01N21/9501 , G01N2021/6495 , G01N2021/8845 , G01N2201/06113 , G01N2201/0662
摘要：試料の一部分上に斜照明波長の光ビームを方向付け、試料の一部分上に、試料の1つ以上の光ルミネセンス欠陥に光ルミネセンス光を出射させるための垂直照明波長の光ビームを方向付け、試料からの欠陥散乱放射線または光ルミネセンス放射線を収集し、試料からの放射線を、可視スペクトル中の第1の放射線部分、垂直照明波長光を含む第2の放射線部分、及び斜照明波長光を含む少なくとも第3の放射線部分に分離し、第1の放射線部分、第2の放射線部分、または第3の放射線部分の1つ以上の特徴を測定し、第1の放射線部分、第2の放射線部分、または第3の放射線部分の測定された1つ以上の特徴に基づき、1つ以上の光ルミネセンス欠陥または1つ以上の散乱欠陥を検出する、試料の欠陥検出及び光ルミネセンス測定。
摘要翻译：引导在样品的一部分倾斜照明波长的光束，在样品的一部分，引导垂直照射波长的光束对在所述样品的一个或多个光致发光缺陷的发光的光致发光光以收集来自样品缺陷散射的辐射或光致发光辐射，来自样品的辐射，所述可见光谱的第一辐射部分，其中包括一个垂直照明波长的第二辐射部分，并且所述斜照射波长至少一个第三分离辐射部，一第一辐射部分，该第二辐射部分或所述第三辐射部分的一个或多个特征被测量，一个第一辐射部分，该第二辐射部分，包括或者基于第三辐射部分的测量的一个或多个特性，以检测一个或多个光致发光缺陷或一个或样品的多个散射缺陷，缺陷检测和光致发光测量。

7. 发明专利

JP5798244B2 固体状態のスピン系における効率的な蛍光検出有权
标题翻译：有效的荧光检测在旋转系统中的固态
公开(公告)号：JP5798244B2
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：JP2014515960
申请日：2012-06-13
申请人：プレジデントアンドフェローズオブハーバードカレッジ
发明人：ウォルズワース,ロナルド , ルセージ,デビッド
IPC分类号： G01N21/64
CPC分类号： G01N21/645 , G01N21/6489 , G01R33/1284 , G01N21/87

8. 发明专利

JP5721439B2 コートおよび官能基化された粒子、それを含有するポリマー、それを調製するための方法、ならびにその使用有权
标题翻译：外套和官能化粒子，含有它们的聚合物，其制备方法，和其使用
公开(公告)号：JP5721439B2
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：JP2010543483
申请日：2009-01-21
申请人：コミッサリアアレネルジーアトミークエオゼネルジザルタナテイヴ
发明人：オリヴィエ・ラキュール , ジョリセ・サミュエ
IPC分类号： C08L101/00 , C08K3/22 , C01F17/00
CPC分类号： C09K11/025 , B01J13/02 , C09C1/30 , C09C1/3063 , C09C1/3081 , G01N21/6489 , C01P2006/60 , Y10T436/13

9. 发明专利

JP2015056583A 酸化物半導体薄膜の評価装置有权
标题翻译：用于评估氧化物半导体薄膜的装置
公开(公告)号：JP2015056583A
公开(公告)日：2015-03-23
申请号：JP2013190402
申请日：2013-09-13
申请人：株式会社神戸製鋼所 , Kobe Steel Ltd
发明人： HAYASHI KAZUSHI , KISHI TOMOYA
IPC分类号： H01L21/66 , G01N21/64
CPC分类号： G01N21/6489 , G01N22/00 , G01N2201/06113 , G01N2201/0697 , H01L22/12
摘要：【課題】酸化物半導体薄膜の電気的特性(移動度とストレス耐性)を、非接触型で、正確且つ同一の装置で簡便に測定し、評価(予測・推定)できる評価装置を提供すること。【解決手段】本発明の評価装置は、試料の測定部位に対して、第1励起光を照射して電子−正孔対を生成する第1励起光照射手段と、電磁波を照射する電磁波照射手段と、反射電磁波強度を検出する反射電磁波強度検出手段と、前記試料に第2励起光を照射してフォトルミネッセンス光を生成させる第2励起光照射手段と、前記フォトルミネッセンス光の発光強度を測定する発光強度測定手段と、移動度、およびストレス耐性を評価する評価手段と、を備えると共に、前記第1励起光照射手段と前記第2励起光照射手段は、同一または異なる励起光照射手段である。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够以相同的装置以高精度简单地测量和评估（预测和估计）氧化物半导体薄膜的电特性（迁移率和应力阻力）的非接触评估装置。解决方案：评估装置包括：第一激发光照射装置，其用第一激发光照射样品的测量部分以产生电子 - 空穴对; 发射电磁波的电磁波发射装置; 反射电磁波强度检测装置，检测反射电磁波强度; 第二激发光照射装置，其用第二激发光照射样品以产生光致发光; 测量光致发光光的发光强度的发光强度测量装置; 评价移动性和抗压性的评价手段。第一激发光照射装置和第二激发光照射装置是相同或不同的激发光照射装置。

10. 发明专利

JP2015038481A ウエハ画像化と処理の方法及び装置有权
标题翻译： WAFER成像和处理方法和WAFER成像和处理设备
公开(公告)号：JP2015038481A
公开(公告)日：2015-02-26
申请号：JP2014169103
申请日：2014-08-22
申请人：ビーティーイメージングピーティーワイリミテッド , Bt Imaging Bty Ltd , ビーティーイメージングピーティーワイリミテッド
发明人： THORSTEN TRUPKE , ROBERT A BARDOS
IPC分类号： G01N21/64 , C30B29/06 , H02S50/15
CPC分类号： G01N21/63 , G01N21/6489 , G01N21/9505 , G01N2021/646 , G01N2033/0095 , G06T7/0004 , G06T2207/30148 , H01L22/12 , H01L31/18 , H01L2924/0002 , H02S50/10 , H01L2924/00
摘要：【課題】太陽電池製造の開始時、又はウェハ製造の終了時に、未加工ウェハの品質を迅速に評価し、電池の性能パラメータ、又は通常のプロセス条件下で期待されるそれらのパラメータの統計的変動を予測することが可能な、方法とシステムの提供。【解決手段】シリコンのようなバンドギャップ材料のフォトルミネセンス画像を撮影する第1のステップ2と、それに続いて、先ずサンプル中に存在し得る転位等の欠陥をハイライトするために画像を強調し、次いで、そのような欠陥の分布に関する情報を取得する、撮影画像の処理ステップ3を含む。この情報は、欠陥密度の絶対的又は相対的な面積平均を含み、或いは欠陥密度、又は欠陥分布、又はその両方に関連する測定基準を含む。最後にステップ4で、その材料から作られる太陽電池などのデバイスの動作特性の予測に、その情報が利用される。【選択図】図1A
摘要翻译：要解决的问题：提供一种方法和系统，其能够在制造太阳能电池开始时或晶片制造结束时及时评估未加工的晶片的质量，并且预测电池的性能参数或其中的统计波动在正常工艺条件下预期的参数。方法：一种方法包括：拾取诸如硅的带隙材料的光致发光图像的第一步骤2; 以及在第一步骤2之后的拾取图像处理步骤3，首先增强图像以突出显示可能存在于样本中的错位的缺陷，然后获取关于这种缺陷的分布的信息。该信息包括缺陷密度的绝对面积平均值或相对面积平均值，或包括与缺陷密度和缺陷分布中的一个或缺陷密度相关的测量标准。最后，在步骤4中，使用该信息来预测由材料制成的太阳能电池等装置的动作特性。

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