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1. 发明专利

JP2018092142A マイクロナノ構造体の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018092142A
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：JP2017211315
申请日：2017-10-31
申请人：ツィンファユニバーシティ , 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司
发明人：陳墨 , 李群慶 , 張立輝 , 金元浩 , 安東 , ▲ハン▼ 守善
IPC分类号： B82Y30/00 , B82Y40/00 , G03F1/00 , G03F7/20
CPC分类号： G03F1/54 , G03F1/00 , G03F1/48 , G03F1/50 , G03F7/20 , G03F7/2014 , G03F7/30
摘要：【課題】本発明は、マイクロナノ構造体の製造方法に関する。【解決手段】本発明のマイクロナノ構造体の製造方法は、第一基板を提供し、第一基板の表面にフォトレジスト層が設置される第一ステップと、フォトマスクはフォトレジスト層の表面を被覆し、フォトマスクは第二基板と、カーボンナノチューブ層と、を含む第二ステップと、紫外光でフォトマスクを照射し、紫外光はフォトマスクを透過して、フォトレジスト層を露光させる第三ステップと、フォトマスクをフォトレジスト層の表面から除去し、露光された記フォトレジスト層を現像して、パターン化のフォトレジストマイクロナノ構造体を獲得する第四ステップと、を含む。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2018006553A モールド、インプリント方法、インプリント装置および物品製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018006553A
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：JP2016130918
申请日：2016-06-30
申请人：キヤノン株式会社
发明人：篠田健一郎
IPC分类号： B29C59/02 , B29C33/38 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/2014 , G03F7/0002
摘要：【課題】本発明は、パターン部の外側領域の下方にあるマークやインプリント材等の検出と、インプリント材を硬化させる光の照射範囲制御とを両立させることが可能なモールドを提供することを目的とする。【解決手段】本発明のモールドは、インプリント装置に用いるモールドであって、パターンが形成されたパターン部と、パターン部を取り囲む周辺部と、を含み、周辺部に、インプリント材を硬化させる硬化光を遮光し且つ被検物を検出するための検出光を透過させる遮光部が設けられていることを特徴とする。【選択図】図7

3. 发明专利

JP2012533675A Method of coating a curable composition, the photo-tool, and the coated phototool 有权
公开(公告)号：JP2012533675A
公开(公告)日：2012-12-27
申请号：JP2012521657
申请日：2010-06-29
申请人：スリーエムイノベイティブプロパティズカンパニー
发明人：ザイ−ミンクイ，
IPC分类号： C08G59/20 , C08G77/48 , C09D7/12 , C09D163/00 , C09D183/06 , C09D183/08
CPC分类号： C08G65/22 , C08G77/14 , C08G77/24 , C08G77/26 , C08G77/28 , C09D183/06 , C09D183/08 , G03F1/48 , G03F7/0046 , G03F7/038 , G03F7/0755 , G03F7/2014 , H05K3/00 , H05K3/02 , H05K2203/0557
摘要：以下の式によって表されるエポキシシランと、
【化１】

（式中、Ｒ
１〜Ｒ
３は、Ｃ
１〜Ｃ
４アルキル基を表し、Ｘは、少なくとも１つのオキシラン環を有する有機基を表す）；
以下の式によって表されるフッ素化シランと、
【化２】

（式中、Ｒ
ｆは、３〜５個の炭素原子を有するペルフルオロアルキル基を表し、Ｒ
４は、Ｈ又はＣ
１〜Ｃ
４アルキル基を表し、Ｒ
５〜Ｒ
７はＣ
１〜Ｃ
４アルキル基を表す）；
光酸と、を含む、硬化性組成物。フォトツールをコーティングすることによって、前記フォトツール上に保護コーティングを提供するための硬化性組成物の使用も開示される。
【選択図】なし

4. 发明专利

JP5102879B2 Large area nano pattern forming method and apparatus 有权
公开(公告)号：JP5102879B2
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：JP2010543093
申请日：2008-11-18
申请人：ローイスインコーポレイテッド
发明人：ボリスコーブリン , イゴールランダウ , ボリスヴォルフ
IPC分类号： H01L21/027 , B29C59/02 , G03F7/20
CPC分类号： B29C33/424 , G03F1/50 , G03F1/60 , G03F7/20 , G03F7/2014 , G03F7/24

5. 发明专利

JP2012004042A Transparent conductive film and manufacturing method for the same 审中-公开
标题翻译：透明导电薄膜及其制造方法
公开(公告)号：JP2012004042A
公开(公告)日：2012-01-05
申请号：JP2010139825
申请日：2010-06-18
申请人： Fujifilm Corp , 富士フイルム株式会社
发明人： ICHIKI AKIRA
IPC分类号： H01B5/14 , G03C1/00 , H01B13/00
CPC分类号： G06F3/044 , G03F7/0007 , G03F7/06 , G03F7/0957 , G03F7/2014 , G06F2203/04103 , G06F2203/04112
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a transparent conductive film and manufacturing method for the same, capable of forming a high-definition conductive pattern on both surfaces of a transparent support; improving conductivity of the conductive pattern; and suppressing generation of a moire pattern when the film is used for a touch panel.SOLUTION: A transparent conductive film 100 has at least one silver halide emulsion layer formed on each of the surfaces of a transparent support 102; and a conductive first silver image 104a formed on one major surface of the transparent support 102 and a conductive second silver image 104b formed on the other major surface of the transparent support 102, by exposing and then developing the layer. Both the first silver image 104a and the second silver image 104b have a mesh structure in a portion where a see-through property is required. Contours of each mesh structure are composed of metal thin lines having a line width of at most 10 μm, and the conductive film comprising the mesh structure has a sheet resistance of 50 Ω/sq.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种透明导电膜及其制造方法，其能够在透明支撑体的两个表面上形成高清晰度导电图案; 提高导电图案的导电性; 并且当该膜用于触摸面板时抑制莫尔图案的产生。解决方案：透明导电膜100具有形成在透明支撑体102的每个表面上的至少一个卤化银乳剂层; 以及形成在透明支撑体102的一个主表面上的导电第一银图像104a和通过暴露然后显影该层而形成在透明支撑体102的另一个主表面上的导电第二银图像104b。第一银图像104a和第二银图像104b都在需要透视性的部分中具有网格结构。每个网格结构的轮廓由线宽度至多为10μm的金属细线组成，并且包括网状结构的导电膜的薄层电阻为50Ω/ sq。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

6. 发明专利

JP2011237798A Method for manufacturing print form 有权
标题翻译：制造打印格式的方法
公开(公告)号：JP2011237798A
公开(公告)日：2011-11-24
申请号：JP2011103609
申请日：2011-05-06
申请人： E.I.Du Pont De Nemours And Company , イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company
发明人： CATHERINE J TUKWILA , BRENDON G ELDRIDGE
IPC分类号： G03F7/00
CPC分类号： G03F7/2014 , G03F7/2016 , G03F7/202 , G03F7/2022
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a process which is easy to use when manufacturing a composite print form including an image part which is a structure relief image printing plate of the composite print form.SOLUTION: This invention is a method for manufacturing a print form from a photosensitive element having a layer made of support material and photopolymerizable material which is adjacent the support material.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种当制造包括作为复合印刷形式的结构浮雕图像印版的图像部分的复合印刷形式时易于使用的方法。解决方案：本发明是一种从具有由支撑材料制成的层和邻近支撑材料的光聚合材料的感光元件制造印刷版的方法。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP2011522279A The method for forming micron or submicron cavity 审中-公开
公开(公告)号：JP2011522279A
公开(公告)日：2011-07-28
申请号：JP2011502390
申请日：2009-04-03
申请人：コミッサリアアレネルジーアトミークエオゼネルジザルタナテイヴ
发明人：クロード・ヴナン , ステファーヌ・カプレ
IPC分类号： G03F7/26 , G03F7/004 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0007 , G02F1/133377 , G03F1/14 , G03F7/0005 , G03F7/2014
摘要：本発明は、ミクロンまたはサブミクロンのキャビティのウォールを形成する方法に関連しており、透明な支持体（１０、１２、1４）上にフォトリソグラフィーマスクを形成する段階と、前記マスクを支持する前記支持体の前面と呼ばれる面上に感光性材料の樹脂の層（１８）を堆積する段階と、前記支持体の後面（１０'）を通して前記感光性材料を露光する段階と、前記ウォールを得るために前記感光性材料を現像する段階と、を含んでいる。

8. 发明专利

JP4602309B2 Molds used production method and this the display device 有权
公开(公告)号：JP4602309B2
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：JP2006296394
申请日：2006-10-31
申请人：三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人：在 ▲ヒョク▼ 張 , ▲ムン▼ 杓洪 , 南錫盧
IPC分类号： G02F1/1335 , G02F1/1368 , G03F7/20 , G09F9/00
CPC分类号： G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/2014 , H01L29/78633

9. 发明专利

JP2009069362A Method for contact exposure and apparatus therefor 有权
标题翻译：接触曝光方法及其设备
公开(公告)号：JP2009069362A
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：JP2007236421
申请日：2007-09-12
申请人： Ono Sokki Co Ltd , 株式会社小野測器
发明人： HARADA SHIGERU
IPC分类号： G03F7/20 , H05K3/00
CPC分类号： G03F7/2014 , H05K3/0082
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vacuum contact exposure method which prevents contact failure by effectively evacuating nearly the center of the contact face while minimizing a contact error. SOLUTION: The vacuum contact exposure method comprises a step of making a packing, which is equipped on the end edges of a table having a work placed thereon, into close contact with a mask disposed over the table, a step of conducting evacuation to an initially set pressure value to make the mask curve in a protruding shape so as to bring it into close contact with the work from nearly the center of the mask, a step of further conducting evacuation and raising a mask holder holding the end edge of the mask to further making the mask into close contact with the work toward the end edge of the mask while increasing the curve of the mask, and a step of stopping raising of the mask holder when the mask is made into close contact with nearly the end edge of the work. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种真空接触曝光方法，其通过有效地排出接触面的中心，同时最小化接触误差来防止接触故障。解决方案：真空接触曝光方法包括将装有放置在其上的工作台的端部边缘上的填料与放置在工作台上的掩模紧密接触的步骤，进行抽真空的步骤达到初始设定的压力值，以使掩模曲线呈突出形状，使其与来自近似于掩模的中心的工件紧密接触;进一步进行排气并提升保持端部边缘的掩模支架的步骤掩模，用于进一步使掩模与朝向掩模的端部边缘的工作紧密接触，同时增加掩模的曲线，以及当面罩几乎与端部紧密接触时停止面罩支架的升高的步骤边缘的工作。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JP4194516B2 Exposure method, method of manufacturing an exposure mask and a device 有权
公开(公告)号：JP4194516B2
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：JP2004097983
申请日：2004-03-30
申请人：キヤノン株式会社
发明人：朋宏山田 , 夏彦水谷 , 亮黒田
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/00 , G03F1/70 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70325 , B82Y10/00 , G03F1/50 , G03F7/2014

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