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1. 发明专利

JP2018024580A 半導体素子、シリコンウエハ、及びシリコンインゴット审中-公开
公开(公告)号：JP2018024580A
公开(公告)日：2018-02-15
申请号：JP2017198453
申请日：2017-10-12
申请人：インフィネオンテクノロジーズアーゲー , INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人：カスパリ, ニコ , シュルツェ, ハンス−ヨアヒム
IPC分类号： H01L29/16 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L21/336 , C30B15/20 , C30B33/00 , C30B29/06
CPC分类号： H01L29/36 , C30B15/00 , C30B15/04 , C30B15/20 , C30B29/06 , C30B33/00 , H01L29/0878 , H01L29/16 , H01L29/167 , H01L29/6606 , H01L29/7395 , H01L29/7396 , H01L29/7397 , H01L29/7802 , H01L29/8611
摘要：【課題】半導体素子、シリコンウエハ、及びシリコンインゴットを提供する。【解決手段】 CZシリコンインゴットは、ドナー及びアクセプタによってドーピングされており、且つ、ドナー及びアクセプタのドーピング濃度の軸方向の勾配を含む。ドナーとアクセプタのドーピング濃度の間の差に基づいた電気活性正味ドーピング濃度は、アクセプタによるドナーのドーピング濃度の少なくとも20%の部分的な補償に起因し、CZシリコンインゴットの軸方向の長さの少なくとも40%について、60%未満だけ、変化している。【選択図】図9

2. 发明专利

JP2018021206A 蛍光体部材及び発光装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018021206A
公开(公告)日：2018-02-08
申请号：JP2017202764
申请日：2017-10-19
申请人：株式会社光波 , 国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：渡邊誠 , 猪股大介 , 青木和夫 , 島村清史 , ガルシアビジョラエンカルナシオンアントニア
IPC分类号： H01L33/50 , C09K11/80
CPC分类号： C09K11/7774 , C30B15/00 , C30B15/04 , C30B29/28 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L2224/13 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2924/12044 , H01L2933/0041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：【課題】目的の1つとして、温度消光に優れる蛍光体部材及びその蛍光体部材を用いた発光装置を提供する。【解決手段】一実施の形態として、励起光の波長が460nmであり、温度を25℃から100℃まで上げたときの蛍光強度の減少が3%未満であり、YAG結晶を母結晶とする、複数の粒状の単結晶を含み、前記YAG結晶は、Y 3−x−y Gd x Ce y Al 5 O 12‐w (0.03≦x≦0.2、0.003≦y≦0.2、−0.2≦w≦0.2)で表される組成を有する平板状の蛍光体部材を提供する。【選択図】なし

5. 发明专利

JP2017512911A ホウ素ドープｎ型シリコンターゲット审中-公开
公开(公告)号：JP2017512911A
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：JP2016560967
申请日：2015-03-18
申请人：トーソーエスエムディー,インク. , トーソーエスエムディー,インク.
发明人：ユージンワイ．イワノフ， , ユージンワイ．イワノフ， , ヨンウェンユアン， , ヨンウェンユアン，
IPC分类号： C23C14/34 , C30B23/00 , C30B29/06 , H01L21/203
CPC分类号： C23C14/3414 , C23C14/10 , C23C14/14 , C30B15/00 , C30B15/04 , C30B29/06 , C30B33/00 , H01J37/3426 , H01J2237/332
摘要：スパッタターゲット及びそれを作製する方法である。ターゲットは、Bドープn型Siを含む。ターゲットは、CZ法によって作製された単結晶ホウ素ドープp型Siインゴットから作製され得る。結晶の長さに沿って電気抵抗率が測定され、ブランクは、約l〜20オーム・cmの電気抵抗率を有する位置でインゴット中心軸に対して垂直に切断され得る。次いで、ブランクは、PVDシステムにおけるスパッタターゲットとして使用するのに適した許容される形状に形成される。ドナーキリングアニーリングは、インゴットについてもブランクについても実施されない。【代表図】図1

6. 发明专利

JP2017507109A サファイア単結晶成長のＰＬＣ閉ループ制御方法有权
公开(公告)号：JP2017507109A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：JP2016568099
申请日：2015-03-02
申请人：ユニオンライトテクノロジーカンパニーリミテッド , ユニオンライトテクノロジーカンパニーリミテッド
发明人：グアンキンペイ , グアンキンペイ , ジアキワン , ジアキワン , リアンユアンルオ , リアンユアンルオ , シャオウェイファン , シャオウェイファン , ジュピンリウ , ジュピンリウ
IPC分类号： C30B29/20 , C30B15/20
CPC分类号： C30B15/00 , C30B29/20
摘要：本発明はサファイア単結晶成長のPLC閉ループ制御方法に関し、サファイア成長炉には、秤量センサー、温度センサー、水流量センサ、水圧トランスミッタ及びヒューマンコンピュータオペレーティングシステムが取り付けられ、オペレーティングシステムには結晶成長曲線のパラメータ及びPIDパラメータが導入され、オペレーティングシステムは、結晶を所定のプロセスに従って自動的に成長させるように、自動的に読み込んだ秤量センサーによる結晶実重量に応じて、結晶成長曲線と比較して、出力パワー及び各ノードの温度及び水流量を調整することを特徴としている。本発明によれば、大型且つ品質の高いサファイア単結晶成長のリアルタイム総合的な制御が可能であり、制御精度が高く、安定性も良い。

7. 发明专利

JPWO2014192573A1 ＳｉＣ単結晶の製造装置及び当該製造装置を用いるＳｉＣ単結晶の製造方法有权
标题翻译：用于使用所述的制造装置和SiC单晶的制造装置制造的SiC单晶的制造方法
公开(公告)号：JPWO2014192573A1
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2015519792
申请日：2014-05-19
申请人：新日鐵住金株式会社 , トヨタ自動車株式会社
发明人：一人亀井 , 一彦楠 , 幹尚加渡 , 寛典大黒 , 秀光坂元
IPC分类号： C30B29/36
CPC分类号： C30B17/00 , C30B15/00 , C30B29/36
摘要：単結晶の質を向上させることができるSiC単結晶の製造装置及び当該製造装置を用いる製造方法を提供する。本発明の実施の形態によるSiC単結晶の製造装置(10)は、溶液成長法によるSiC単結晶の製造に用いられる。製造装置(10)は、坩堝(14)と、支持軸(24)とを備える。坩堝(14)には、Si−C溶液(15)が収容される。支持軸(24)は、坩堝(14)を支持する。支持軸(24)は、坩堝(14)の底部(14B)を抜熱する抜熱部を備える。抜熱部は、(a)底部(14B)の熱伝導率以上の熱伝導率を有し、且つ、底部(14B)の少なくとも一部に接触する接触部(34)と、(b)接触部(34)又は底部(14B)の少なくとも一部に接する空間部との何れかを含む。
摘要翻译：提供使用该制造装置和SiC单晶的制造装置，可以提高单晶的质量的制造方法。用于制造根据本发明的一个实施例的SiC单晶的装置（10）用于通过溶液生长法的制造SiC单晶的。制造装置（10）包括坩埚（14），支承轴和（24）。坩埚（14），的Si-C溶液（15）被容纳。支承轴（24）支撑该坩埚（14）。支承轴（24）包括一个排热部以除去热坩埚（14）和（14B）的底部。热提取单元中，（a）具有比（14B）的热导率的底部的热导率，和接触部的至少底部（14B）的一部分，并且（34）接触，（b）中的接触部分包括接触（图14B）（34）的至少一部分或底部的空间部中的一个。

8. 发明专利

JP5970469B2 自立式介在シートを使用して溶融物質から半導体を作成する方法有权
标题翻译：如何使用自由站立中间片来创建由熔化材料的半导体
公开(公告)号：JP5970469B2
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：JP2013542181
申请日：2011-12-01
申请人： 1366 テクノロジーズインク.
发明人：ジョンズイク,ラルフ , サチス,エマヌエル,エム.
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/208 , C01B33/02
CPC分类号： H01L31/182 , C04B41/4539 , C04B41/5096 , C30B11/002 , C30B29/06 , H01L21/02002 , H01L21/02532 , H01L31/1804 , C30B15/00 , C30B15/007 , C30B15/32 , Y02E10/546 , Y02P70/521

9. 发明专利

JP5962509B2 ランガサイト型酸化物材料、その製造方法、及び該製造方法で用いられる原材料有权
标题翻译：硅酸镓镧型氧化物材料，在其制造方法中使用的原料，和制造方法
公开(公告)号：JP5962509B2
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：JP2012538575
申请日：2011-10-12
申请人： TDK株式会社
发明人：小野寺晃 , 遠田一重 , 佐藤真人 , 吉川彰 , 横田有為
IPC分类号： C30B15/08 , C01B33/26 , C30B29/34
CPC分类号： H01L41/183 , C04B35/18 , C04B35/195 , C30B15/00 , C30B15/04 , C30B15/08 , C30B29/34 , H01L41/18 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3251 , C04B2235/3286 , C04B2235/3289

10. 发明专利

JP2016522135A エルパソライト型シンチレータ材料の製造有权
标题翻译：埃尔帕索光型闪烁体材料的制造
公开(公告)号：JP2016522135A
公开(公告)日：2016-07-28
申请号：JP2016507043
申请日：2014-04-11
申请人：サン−ゴバンクリストーエデテクトゥール , サン−ゴバンクリストーエデテクトゥール
发明人：ウスペンスキブラディミール , ウスペンスキブラディミール , ブラユタサミュエル , ブラユタサミュエル , ユシェラファエル , ユシェラファエル , ルジェジュリアン , ルジェジュリアン
IPC分类号： C30B29/22 , C09K11/85 , C30B11/00 , C30B15/00 , G01T1/20 , G01T1/202 , G01T1/36
CPC分类号： G01T1/2023 , C09K11/7766 , C09K11/7773 , C30B11/00 , C30B11/02 , C30B11/04 , C30B15/00 , C30B15/04 , C30B29/12
摘要：本発明は、理論組成A2BC(1-y)MyX(6-y)(この式中、AはCs、Rb、K、Naから選ばれ、BはLi、K、Naから選ばれ、Cは希土類元素、Al、Gaから選ばれ、Mはアルカリ土類元素から選ばれ、XはF、Cl、Br、Iから選ばれ、yはCをMに置き換えた原子分率であって0と0.05の間の範囲に含まれる)のエルパソライトタイプの構造を有する結晶シンチレータ材料を製造するための方法であって、rモルのAとsモルのBとを含む溶融浴から冷却することによりそれを結晶化させ、当概溶融浴を2s/r比が1より大きくなるようにAとBとを含有している材料と接触させることを含む結晶シンチレータ材料の製造方法に関する。この方法は向上した製造収率を示す。更に、製造した結晶は化学量論に近い組成を有するとともに向上したシンチレーション特性を有することができる。
摘要翻译：本发明是，在理论组成A2BC（1-Y）MYX（6-Y）（在该式中，A被选择CS，RB，K，选自Na，B被选择锂，钾，选自Na，C是稀土元素，铝，选自Ga，M选自碱土金属元素中选择，X是F，Cl，溴，选自I，y为0〜0.05中通过替换C到M而得到的原子分数用于生产具有elpasolites型结构的晶体闪烁体材料的方法包括）在晶体它之间的范围内通过从熔融浴包含的B的A和S摩尔A R摩尔冷却它是一种制造方法的包括使所述材料2S的晶体闪烁体材料/ R比Togai熔池包含A和B是大于1。此方法显示了制备收率提高。此外，产生可以具有闪烁性能的晶体用具有接近化学计量的组合物的改善。

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