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1. 发明专利

JP2018504354A 単結晶インゴットの直径制御システム及び制御方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018504354A
公开(公告)日：2018-02-15
申请号：JP2017538404
申请日：2015-12-31
申请人：エスケーシルトロンカンパニーリミテッド
发明人：キム、ユン−グ , ナ、クヮン−ハ , アン、ユン−ハ
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/28 , C30B15/32
CPC分类号： C30B15/20 , C30B15/32 , C30B29/06
摘要：本発明の実施例は、チョクラルスキー法によるシリコンインゴットの成長時のシリコンインゴットの直径偏差を制御するシステムであって、種結晶であるシードと結合されて成長するシリコンインゴットを支持するシードチャックと、前記シードチャック上面とケーブルで連結されて前記シードチャックに加えられる負荷を測定する測定部と、前記シードチャックがケーブルと連結された状態で、前記シードチャックの位置を上下に移動させてシリコンインゴットに加えられる負荷を変更する負荷調節部と、前記測定部で測定された負荷値によって前記負荷調節部を駆動させてシリコンインゴットに加えられる負荷を制御する制御部と、を含むことができる。したがって、単結晶インゴットの成長工程を進行する途中のシードの揺れが防止され、成長する単結晶インゴットの直径偏差を減少させることができる。【選択図】図2

2. 发明专利

JP5765642B2 単結晶引上げ装置の結晶保持機構および単結晶インゴット製造方法有权
标题翻译：晶体保持机构和所述单晶提拉装置的单晶锭的制造方法
公开(公告)号：JP5765642B2
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：JP2013508898
申请日：2012-04-04
申请人：株式会社SUMCO
发明人：須田歩 , 四ッ井拓也
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/30
CPC分类号： C30B15/32 , C30B15/30 , C30B29/06 , Y10T117/1032

3. 发明专利

JP4780209B2 Method of manufacturing a SiC single crystal 有权
公开(公告)号：JP4780209B2
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：JP2009059987
申请日：2009-03-12
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：秀光坂元 , 寛典大黒 , 靖幸藤原
IPC分类号： C30B29/36 , C30B19/04 , C30B19/10
CPC分类号： C30B29/36 , C30B9/06 , C30B9/10 , C30B15/10 , C30B15/30 , C30B15/305 , C30B15/32 , C30B17/00 , C30B19/04

4. 发明专利

JP2008031036A Apparatus for pulling up crystals and method for manufacturing heavy crystal 有权
标题翻译：拉伸结晶的装置和制造重型水晶的方法
公开(公告)号：JP2008031036A
公开(公告)日：2008-02-14
申请号：JP2007190824
申请日：2007-07-23
申请人： Crystal Growing Systems Gmbh , Siltronic Ag , クリスタルグロウイングシステムズゲゼルシヤフトミットベシュレンクテルハフツング , ジルトロニックアクチエンゲゼルシャフトSiltronic AG
发明人： ALTEKRUEGER BURKHARD , HENKEL STEFAN , VONHOFF AXEL , TOMZIG ERICH , KNERER DIETER
IPC分类号： C30B15/30
CPC分类号： C30B15/32 , Y10S117/911 , Y10T117/10 , Y10T117/1032 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an apparatus for pulling up crystals which is formed as simple as possible and accordingly hardly fails, and which is provided with a supporting device for crystals. SOLUTION: In the support device of the apparatus, each of pawls 7 are supported turnably around a turning shaft 8 on a base body 1, the base body 1 has a stopper for prescribing a stopping position and a stopper for prescribing a working position with respect to each of the pawls 7; and the stoppers are arranged so that the center of gravity of the pawl 7 is positioned outside the turning shaft 8 at the stopping position and inside the turning shaft 8 at the working position when viewed from a neck 4. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：解决的问题：提供一种提取尽可能简单形成的晶体的装置，因此几乎不发生故障，并且设置有用于晶体的支撑装置。解决方案：在装置的支撑装置中，每个棘爪7可转动地围绕基体1上的转动轴8支撑，基体1具有用于规定停止位置的止动器和用于规定工作的止动器相对于每个棘爪7的位置; 并且塞子被布置成使得当从颈部4观察时，棘爪7的重心位于转动轴8的停止位置的外侧和转动轴8的内部。工作位置：（C ）2008，JPO＆INPIT

5. 发明专利

JP3750525B2 Single crystal manufacturing method and apparatus for pulling 有权
公开(公告)号：JP3750525B2
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：JP2000592477
申请日：1999-12-06
申请人：信越半導体株式会社
发明人：幸司北川 , 栄一飯野
IPC分类号： C30B15/32 , C30B15/14 , C30B15/30
CPC分类号： C30B15/14 , C30B15/30 , C30B15/32 , Y10S117/90 , Y10S117/911 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072

6. 发明专利

JP2005119891A Apparatus for manufacturing semiconductor single crystal 有权
标题翻译：制造半导体单晶的装置
公开(公告)号：JP2005119891A
公开(公告)日：2005-05-12
申请号：JP2003353962
申请日：2003-10-14
申请人： Komatsu Electronic Metals Co Ltd , コマツ電子金属株式会社
发明人： UMEKI TOSHIRO
IPC分类号： C30B15/32 , C30B29/06
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/32 , Y10S117/911 , Y10T117/1052 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/1088
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor single crystal manufacturing apparatus which can suppress the local deterioration of a wire caused by the in-furnace high temperature atmosphere of a chamber. SOLUTION: In the apparatus, a crucible 24 in which a silicon melt 28 is filled is provided in a furnace of the chamber 22, a pull chamber 23 is arranged at an upper part of the chamber 22, a seed holder 32 being elevated/lowered between inside the pull chamber 23 and inside the furnace is hung by a wire 50 through a connection member 31, and a collar 52 is provided in the wire 50 so that the temperature at an exposed part in the vicinity of the tip end part of the wire 50 becomes equal to or lower than a prescribed temperature under the high temperature atmosphere when the seed holder 32 is lowered so as to bring a seed into contact with the melt. COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI
摘要翻译：解决的问题：提供一种能够抑制由室内的炉内高温气氛引起的线的局部劣化的半导体单晶体制造装置。解决方案：在设备中，在腔室22的炉中设置有填充有硅熔体28的坩埚24，在室22的上部设置有拉动室23，种子保持器32是在拉动室23内部和炉内部之间升高/降低通过连接构件31由导线50悬挂，并且在导线50中设置有轴环52，使得尖端附近的暴露部分处的温度当种子保持器32降低以使种子与熔体接触时，线50的一部分在高温气氛下变得等于或低于规定温度。版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

7. 发明专利

JPS59174595A Device for holding seed crystal 失效
标题翻译：用于保持晶体的装置
公开(公告)号：JPS59174595A
公开(公告)日：1984-10-03
申请号：JP4962283
申请日：1983-03-24
申请人： Hamamatsu Photonics Kk
发明人： HARA TSUTOMU , HIRAI NOBUYUKI , SUZUKI TAKASHI
IPC分类号： C30B15/32
CPC分类号： C30B15/32
摘要： PURPOSE:To prevent the breakdown and the falling of a seed crystal while said crystal is fixed by a holding device and pulled up, by inserting the seed crystal into a groove of the holding device and pressing it down by a supporting rod and a push rod when a single crystal is pulled up by a rotating and pulling up method. CONSTITUTION:When a single crystal is grown on the tip of a seed crystal and pulled up from a molten starting material by a rotating and pulling up method, the seed crystal 31 is shaped in the form of a wedge having about 5 degrees sharp angle. As a holding device of the seed crystal 31, a cylndrical base substance 21 is made of alumina ceramic and has a wedge groove 22 formed for inserting said crystal 31 at the lower part. A hollow part having a female screw part 26 on the inner surface from the top surface of the base substance 21 and a connecting hole 23 having a smaller diameter than the one of the hollow part at the lower part are drilled in such a way that said hole 23 is reached to the top of the wedge groove 22. The seed crystal is put in the groove 22 of the base substance 21, and a push rod 25 is inserted into the connecting hole 23 from the top. The top 25A of the push rod is pressed down by screwing a supporting rod 27 having male screw and the top of the seed crystal 31 is pressed by the tip of said rod 25. The seed crystal is fixed by the groove 22 and pullig-up of the single crystal is carried out stably without falling and damage.
摘要翻译：目的：为了防止晶体被保持装置固定并上拉时晶种的破坏和落下，通过将晶种插入到保持装置的槽中并用支撑杆和推杆当通过旋转和拉起方法将单晶拉起时。构成：当通过旋转和拉起方法在晶种的尖端上生长单晶并从熔融原料拉起时，晶种31被成形为具有约5度锐角的楔形。作为晶种31的保持装置，圆柱形基体21由氧化铝陶瓷制成，并且具有形成为用于将下述部分的晶体31插入的楔形槽22。在基体21的上表面的内表面上具有阴螺纹部分26的中空部分和直径小于下部中空部分的直径的连接孔23以这样一种方式被钻孔孔23到达楔形槽22的顶部。晶种被放入基体21的槽22中，并且推杆25从顶部插入到连接孔23中。推杆的顶部25A通过拧紧具有外螺纹的支撑杆27而被压下，并且籽晶31的顶部被所述杆25的尖端挤压。籽晶由凹槽22固定并拉出的单晶稳定进行而不会下落和损坏。

8. 发明专利

JPS59102894A Method for seeding of single crystal 失效
标题翻译：单晶方法
公开(公告)号：JPS59102894A
公开(公告)日：1984-06-14
申请号：JP21286382
申请日：1982-12-03
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd
发明人： KUHARA MIKI , TADA KOUJI , TATSUMI MASAMI
IPC分类号： C30B15/20 , C30B15/32
CPC分类号： C30B15/32
摘要： PURPOSE:To enable the control of the temperature of molten liquid at the optimum level, and to prevent the failure in the seeding operation, by using a transparent seed crystal in Czochralski (CZ) process, and detecting the temperature of the molten liquid just below the crystal optically through the transparent seed crystal. CONSTITUTION:Both end faces 15, 16 of the seed crystal 13 are polished to obtain an optically transparent crystal. A transparent rod 10 is inserted in the center of the pulling shaft 14, the lower end 11 of the rod is made to contact with the end face 15 of the seed crystal 13, and the rod 10 is used as a light guide. The temperature of the molten liquid just below the seed crystal 13 is detected optically through the seed crystal 13 and the light guide. The temperature of the molten liquid 2 in the pulling of a single crystal by CZ process can be controlled to the optimum level by this process.
摘要翻译：目的：通过在切克劳斯基（CZ）工艺中使用透明晶种，并且检测刚刚下面的熔融液体的温度，使熔融液体的温度控制在最佳水平，并防止播种操作失败晶体通过透明晶种光学透镜。构成：将晶种13的两端面15,16进行研磨，得到光学透明结晶。将透明杆10插入到拉动轴14的中心，使杆的下端11与晶种13的端面15接触，杆10用作光导。通过籽晶13和光导光学地检测刚好在晶种13下面的熔融液体的温度。通过CZ工艺拉制单晶中的熔融液2的温度可以通过该过程控制到最佳水平。

9. 发明专利

JP2018525317A チャンクポリシリコンまたは粒状ポリシリコンを結晶成長チャンバの中に選択的に供給するためのシステム审中-公开
公开(公告)号：JP2018525317A
公开(公告)日：2018-09-06
申请号：JP2018528207
申请日：2016-08-18
申请人：サンエディソン・セミコンダクター・リミテッド , SunEdison Semiconductor Limited , テベク・インターナショナル・カンパニー・リミテッド ,
发明人：ユン・ソクミン , パク・ソンス , チ・ジュンファン , チェ・ウォンジン , チョン・ウィソン , イ・ヨンジュン , ク・テス , キム・ソンジン
IPC分类号： C30B15/00 , C30B29/06
CPC分类号： B64G1/648 , B64G1/10 , B64G1/58 , B64G2001/1092 , B66D1/12 , C30B15/02 , C30B15/20 , C30B15/32 , C30B29/06 , C30B30/04 , C30B35/005 , G01P15/18 , G01S11/02 , G01S19/13
摘要：供給アセンブリは、融液から結晶インゴットを成長させるための成長チャンバにポリシリコンを供給する。例示的なシステムは、粒トレイおよびチャンクトレイのうちの1つを受け取る支持レールを有するハウジングと、粒トレイまたはチャンクトレイのいずれかに選択的に供給するように支持レールの上に配置された供給材料容器と、を含む。バルブ機構およびパルスバイブレータも開示される。

10. 发明专利

JP6367469B2 シードチャックおよびこれを含むインゴット成長装置有权
公开(公告)号：JP6367469B2
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：JP2017506287
申请日：2015-07-28
申请人：エスケーシルトロンカンパニーリミテッド
发明人：カン、ヂョン−ミン , ノ、テ−シク
IPC分类号： C30B15/32 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/32 , C30B15/20 , C30B29/06

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