基本信息:
- 专利标题： ホウ素ドープｎ型シリコンターゲット
- 专利标题（英）：Boron-doped n-type silicon target
- 申请号：JP2016560967 申请日：2015-03-18
- 公开(公告)号：JP2017512911A 公开(公告)日：2017-05-25
- 发明人： ユージン ワイ． イワノフ， , ユージン ワイ． イワノフ， , ヨンウェン ユアン， , ヨンウェン ユアン，
- 申请人： トーソー エスエムディー,インク. , トーソー エスエムディー,インク.
- 专利权人： トーソー エスエムディー,インク.,トーソー エスエムディー,インク.
- 当前专利权人： トーソー エスエムディー，インク．,トーソー エスエムディー，インク．
- 优先权： US201461976094 2014-04-07
- 主分类号： C23C14/34
- IPC分类号： C23C14/34 ; C30B23/00 ; C30B29/06 ; H01L21/203
摘要：
スパッタターゲット及びそれを作製する方法である。ターゲットは、Bドープn型Siを含む。ターゲットは、CZ法によって作製された単結晶ホウ素ドープp型Siインゴットから作製され得る。結晶の長さに沿って電気抵抗率が測定され、ブランクは、約l〜20オーム・cmの電気抵抗率を有する位置でインゴット中心軸に対して垂直に切断され得る。次いで、ブランクは、PVDシステムにおけるスパッタターゲットとして使用するのに適した許容される形状に形成される。ドナーキリングアニーリングは、インゴットについてもブランクについても実施されない。【代表図】図1
摘要（英）：
A sputter target and method of making it. Target includes a B-doped n-type Si. Target may be made from a single crystal boron doped p-type Si ingot produced by a CZ method. Electrical resistivity along the length of the crystal is measured, the blank may be cut perpendicular to the ingot central axis at a position having an electrical resistivity of about l~20 ohm · cm. Then, the blank is formed into acceptable shapes suitable for use as a sputtering target in PVD system. Donor killing annealing is not carried out also for the blank also ingot.
[Representative view Figure 1