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    • 2. 发明专利
    • レジスト組成物、酸発生剤、高分子化合物及びレジストパターン形成方法
    • 耐蚀组合物,酸发生剂,聚合物和形成耐火图案的方法
    • JP2015031760A
    • 2015-02-16
    • JP2013159899
    • 2013-07-31
    • 東京応化工業株式会社Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
    • NAGAMINE TAKASHIKOMURO YOSHITAKAARAI MASATOSHIUTSUMI YOSHIYUKI
    • G03F7/004G03F7/038G03F7/039H01L21/027
    • G03F7/027C07C381/12C08F224/00G03F7/0045G03F7/0046G03F7/038G03F7/0397G03F7/2041G03F7/30
    • 【課題】レジスト組成物における酸発生剤として有用な化合物、該化合物を含有するレジスト組成物、該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】一般式(m0)で表される化合物を含有することを特徴とするレジスト組成物。式(m0)中、R1及びR2は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルキル基、又は置換基を有していてもよいアルケニル基を表し、相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。R3は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよいアルケニル基、又は置換基を有していてもよいアルキニル基を表す。V1は、単結合又はアルキレン基を表す(但し、R3が置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である場合、アルキレン基である)。X0−は、1価の有機アニオンを表す。[化1]【選択図】なし
    • 要解决的问题:提供可用作抗蚀剂组合物中的酸产生剂的化合物,含有该化合物的抗蚀剂组合物和使用该抗蚀剂组合物形成抗蚀剂图案的方法。溶胶:抗蚀剂组合物含有由通式 公式(m0)。 在式(m0)中,Rand Reach独立地表示任选具有取代基的芳基,任选具有取代基的烷基或任选具有取代基的烯基,并且可以彼此键合形成环,并与硫 原子在配方中; R表示任选具有取代基的芳族烃基,任选具有取代基的烯基或任选具有取代基的炔基; V表示单键或亚烷基(但是,当R 1为任选具有取代基的芳族烃基时,Vis为亚烷基)。 XO表示一价有机阴离子。
    • 3. 发明专利
    • Compound and acid generator comprising the same
    • 包含该化合物和酸的发生器
    • JP2014185157A
    • 2014-10-02
    • JP2014099069
    • 2014-05-12
    • Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd東京応化工業株式会社
    • KAWAKAMI AKINARIUTSUMI YOSHIYUKIABE SHO
    • C07C381/12C07C309/06C07C309/12C09K3/00G03F7/004
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a new compound useful as an acid generator for a resist composition, and an acid generator comprising the compound.SOLUTION: The compound is expressed by general formula (b1-11) shown below. In formula (b1-11), R" to R" each independently represent an aryl group or an alkyl group, any two in R" to R" may be bonded to each other to form a ring together with a sulfur atom in the formula, and at least one in R" to R" is a substituted aryl group having a group expressed by general formula (I) shown below as a substituent; and Xrepresents an anion. In formula (I), Rrepresents a hydrogen atom or a fluorinated alkyl group; Rrepresents a hydrogen atom, an alkyl group or a fluorinated alkyl group; f represents 0 or 1; and h represents 1 or 2.
    • 要解决的问题:提供可用作抗蚀剂组合物的酸发生剂的新化合物和包含该化合物的酸产生剂。溶液:该化合物由下述通式(b1-11)表示。 在式(b1-11)中,R“至R”各自独立地表示芳基或烷基,R“至R”中的任意两个可以彼此键合,与式中的硫原子一起形成环 ,R“〜R”中的至少一个为具有下述通式(I)表示的基团的取代芳基作为取代基; X表示阴离子。 在式(I)中,R表示氢原子或氟代烷基; R表示氢原子,烷基或氟代烷基; f表示0或1; h表示1或2。
    • 5. 发明专利
    • Positive type resist composition for thick film, method for producing thick film resist pattern and method for producing connection terminal
    • 用于厚膜的正型耐电组合物,用于生产厚膜电阻图案的方法和用于生产连接端子的方法
    • JP2014010255A
    • 2014-01-20
    • JP2012146122
    • 2012-06-28
    • Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd東京応化工業株式会社
    • SHIMIZU TAKAHIROUTSUMI YOSHIYUKI
    • G03F7/022C07C381/12C07F5/02C07F9/52C09K3/00G03F7/004G03F7/039H01L21/027
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a positive type resist composition for a thick film, a method for forming resist pattern using the positive type resist composition for thick film, and a method for producing a connection terminal.SOLUTION: The positive type resist composition is used for forming a thick film resist pattern on a support medium, and comprises: a resin component (A) whose dissolubility to a developer changes owing to the action of acid; and an acid generator component (B) which generates an acid upon exposure. The acid generator component (B)comprises an acid generator (B1) including a compound expressed by general formula (b1-1) [wherein, Ydenotes a bivalent connection group; W denotes S, Se or I; Rdenotes a hydrocarbon group which may have a substituent; Rdenotes 1 to 5C alkyl group or alkoxy group; in the case, W=I, m+n=2; W=S, Se, m+n=3 and also, m≥1, n≥O;p denotes 0 to 5; and Xdenotes a counter anion].
    • 要解决的问题:提供一种用于厚膜的正型抗蚀剂组合物,使用该用于厚膜的正型抗蚀剂组合物形成抗蚀剂图案的方法以及一种用于制造连接端子的方法。解决方案:正型抗蚀剂组合物是 用于在支持介质上形成厚膜抗蚀剂图案,并且包括:由于酸的作用,其对显影剂的溶解性改变的树脂组分(A) 和在曝光时产生酸的酸发生剂组分(B)。 酸产生剂组分(B)包括含有由通式(b1-1)表示的化合物的酸发生剂(B1)[其中,Y表示二价连接基团; W表示S,Se或I; R表示可以具有取代基的烃基; R 1表示1〜5的烷基或烷氧基; 在这种情况下,W = I,m + n = 2; W = S,Se,m + n = 3,m≥1,n≥O; p表示0〜5; 和Xdenotes一种抗衡阴离子]。
    • 6. 发明专利
    • Method for producing polymer compound, resist composition, and resist pattern forming method
    • 生产聚合物化合物的方法,耐蚀组合物和耐蚀图案形成方法
    • JP2013203895A
    • 2013-10-07
    • JP2012074955
    • 2012-03-28
    • Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd東京応化工業株式会社
    • ARAI MASATOSHIUTSUMI YOSHIYUKI
    • C08F8/00C08F20/38G03F7/004G03F7/039H01L21/027
    • G03F7/004G03F7/0045G03F7/0392G03F7/20
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a novel method for producing a polymer compound having a structural unit which is decomposed by exposure to generate an acid, a resist composition containing the polymer compound, and a resist pattern forming method using the resist composition.SOLUTION: A method for producing a polymer having a structural unit which is decomposed by exposure to generate an acid includes steps of: reacting a first precursor polymer having a first ammonium cation with an amine having an acid dissociation constant (pKa) of conjugate acid larger than the first ammonium cation to form a second precursor polymer having a second ammonium cation that is a conjugate acid of the amine; and salt-exchanging the second precursor polymer with a sulfonium cation or iodonium cation. The second ammonium cation is lower in hydrophobicity than the first ammonium cation, and lower in hydrophobicity than the sulfonium cation or iodonium cation.
    • 要解决的问题:提供一种制备具有通过曝光分解以产生酸的结构单元的高分子化合物的新方法,含有高分子化合物的抗蚀剂组合物和使用该抗蚀剂组合物的抗蚀剂图案形成方法。解决方案: 一种制备具有通过暴露分解以生成酸的结构单元的聚合物的方法,其包括以下步骤:使具有第一铵阳离子的第一前体聚合物与具有大于所述酸的共轭酸的酸解离常数(pKa)的胺反应 第一铵阳离子以形成具有作为胺的共轭酸的第二铵阳离子的第二前体聚合物; 并用锍阳离子或碘鎓阳离子盐交换第二前体聚合物。 第二铵阳离子的疏水性比第一铵阳离子低,疏水性比锍阳离子或碘鎓阳离子低。
    • 10. 发明专利
    • Compound, radical polymerization initiator, method for producing the compound, polymer, resist composition and method for forming resist pattern
    • 化合物,自由基聚合引发剂,生产该化合物的方法,聚合物,耐蚀组合物和形成耐蚀图案的方法
    • JP2013060419A
    • 2013-04-04
    • JP2012173408
    • 2012-08-03
    • Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd東京応化工業株式会社
    • UTSUMI YOSHIYUKIDAZAI NAOHIROMIYASHITA KENICHIROMOTOIKE NAOTO
    • C07C255/65C07C253/30C08F4/04G03F7/038G03F7/039H01L21/027
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist composition excellent in lithography characteristic and a pattern shape, a polymer useful in the resist composition, a compound useful as a radical polymerization initiator used in production of the polymer, a method for producing the compound, a radical polymerization initiator made of the compound, and a method for forming a resist pattern using the resist composition.SOLUTION: This compound is expressed by general formula (I), where in the formula (I), Ris a 1-10C hydrocarbon group; Z is a 1-10C hydrocarbon group or cyano group, provided that Rand Z may be bonded mutually to form a ring; X is a single bond or a divalent linking group which may contain -O-C(=O)-, -NH-C(=O)- or -NH-C(=NH)-; Ris a 1-20C hydrocarbon group optionally having a substituent, provided that a part of carbon atoms constituting the hydrocarbon group may be substituted by an atom or atomic group other than carbon atom.
    • 要解决的问题:为了提供光刻特性和图案形状优异的抗蚀剂组合物,可用于抗蚀剂组合物中的聚合物,用作生产聚合物中的自由基聚合引发剂的化合物, 化合物,由化合物制成的自由基聚合引发剂,以及使用该抗蚀剂组合物形成抗蚀剂图案的方法。 解决方案:该化合物由通式(I)表示,其中在式(I)中,R 1是= 1-10C烃基; Z是1-10C烃基或氰基,条件是R 1可以相互键合形成环; X是单键或可以含有-O-C(= O) - , - NH-C(= O) - 或-NH-C(= NH) - )的二价连接基团。 任选具有取代基的1-20C烃基,条件是构成烃基的一部分碳原子可以被碳原子以外的原子或原子基团取代 。 版权所有(C)2013,JPO&INPIT