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1. 发明专利

JP2014085472A Resist composition, resist pattern formation method, and polymeric compound 有权
标题翻译：耐蚀组合物，耐蚀图案形成方法和聚合物
公开(公告)号：JP2014085472A
公开(公告)日：2014-05-12
申请号：JP2012233750
申请日：2012-10-23
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： KAIHO TAKAAKI , UTSUMI YOSHIYUKI , IWASHITA ATSUSHI , KONNO TAKEMASA , YAHAGI MASATO
IPC分类号： G03F7/039 , C08F20/38 , G03F7/004 , H01L21/027
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist composition capable of forming a resist pattern with more improved lithography characteristic, and a resist pattern formation method using the resist composition, and also a polymeric compound for use in the resist composition.SOLUTION: The invention is a resist composition which generates acid upon exposure and whose solubility in respect to a developer changes in accordance with the action from acid, and it contains a base material component (A) whose solubility in respect to a developer changes in accordance with the action from acid, and the base material component (A) comprises a polymeric compound (A1) that has a constitutional unit (a0) comprising -NH-SO-containing cyclic group and a constitutional unit (a6) that generates acid upon exposure. Also provided is a resist pattern formation method using the resist composition.
摘要翻译：要解决的问题：提供能够形成具有更好的光刻特性的抗蚀剂图案的抗蚀剂组合物，以及使用抗蚀剂组合物的抗蚀剂图案形成方法，以及用于抗蚀剂组合物的聚合物。解决方案：本发明是在曝光时产生酸的抗蚀剂组合物，其相对于显影剂的溶解度根据酸的作用而变化，并且其含有相对于显影剂的溶解度根据酸的作用而变化的基材成分（A），并且所述基材成分（A）含有具有包含含-NH-SO的环状基团的结构单元（a0）和曝光时产生酸的结构单元（a6）的高分子化合物（A1）。还提供了使用该抗蚀剂组合物的抗蚀剂图案形成方法。

2. 发明专利

JP2014153440A Resist composition, polymeric compound, compound and method for forming resist pattern 审中-公开
标题翻译：耐蚀组合物，聚合物，化合物和形成耐火图案的方法
公开(公告)号：JP2014153440A
公开(公告)日：2014-08-25
申请号：JP2013020926
申请日：2013-02-05
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： KAIHO TAKAAKI , KOMURO YOSHITAKA
IPC分类号： G03F7/039 , C08F20/26 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0045 , C07C309/01 , C07C381/12 , C08F220/22 , C08F220/38 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/325 , H01L21/0271
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist composition having good lithography characteristics.SOLUTION: The resist composition generates an acid by exposure and induces changes in the solubility with a developer by an action of an acid; and the composition comprises a base component (A'), in which the component (A') comprises a polymeric compound (A1') having a structural unit (a0) derived from a compound expressed by formula (a0-1). In the formula, Rand Rrepresent a group expressed by formula (a0-2) or a functional group; Vand Veach independently represent a single bond, an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms which may have a substituent, or the like; Yrepresents a single bond or a divalent connecting group; Yrepresents a fluorinated alkylene group having 1 to 4 carbon atoms which may have a substituent; Lrepresents O or a group expressed by -NR'-, where R'represents H or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms; and Mrepresents an organic cation having a valence of m.
摘要翻译：要解决的问题：提供具有良好光刻特性的抗蚀剂组合物。解决方案：抗蚀剂组合物通过暴露产生酸，并通过酸的作用诱导与显影剂的溶解度变化; 并且所述组合物包含基础组分（A'），其中组分（A'）包含具有衍生自由式（a0-1）表示的化合物的结构单元（a0））的聚合化合物（A1'）。在公式中，Rand Rrepresent表示由式（a0-2）表示的基团或官能团; Vand Veach独立地表示单键，可以具有取代基的具有1〜10个碳原子的亚烷基等; Y表示单键或二价连接基团; Y表示可以具有取代基的碳原子数为1〜4的氟化亚烷基; L表示O或由-NR'-表示的基团，其中R'表示H或具有1至5个碳原子的烷基; 并且M表示具有m价的有机阳离子。

3. 发明专利

JP2014130222A Resist composition, method for forming resist pattern, and polymer compound 有权
标题翻译：耐蚀组合物，形成耐火图案的方法和聚合物化合物
公开(公告)号：JP2014130222A
公开(公告)日：2014-07-10
申请号：JP2012287623
申请日：2012-12-28
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： KAIHO TAKAAKI , UTSUMI YOSHIYUKI , IWASHITA ATSUSHI , YAHAGI MASATO
IPC分类号： G03F7/039 , C08F20/38 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist composition or the like which is excellent in lithography characteristics.SOLUTION: The resist composition, which generates an acid upon exposure and whose solubility in a developer changes by the action of an acid, is characterized in that: it contains a base component (A) whose solubility in a developer changes by the action of an acid; and the base component (A) contains a polymer compound (A1) having a constituent unit (a0) derived from a compound represented by general formula (a0-1). [In the formula, Ris a hydrocarbon group of carbon number 5 or more which may have a substituent; Yis a divalent linking group; Vis an alkylene group; Vis a fluorinated alkylene group; n is an integer of 0-2; Mis an m-valent organic cation; and m is an integer of 1 or more.]
摘要翻译：要解决的问题：提供光刻特性优异的抗蚀剂组合物等。解决方案：曝光后产生酸并且其在显影剂中的溶解度随酸的作用而变化的抗蚀剂组合物的特征在于，：它含有其中在显影剂中的溶解度通过酸的作用而改变的碱成分（A）碱成分（A）含有具有由通式（a0-1）表示的化合物衍生的构成单元（a0）的高分子化合物（A1）。 [式中，R为可以具有取代基的碳数5以上的烃基，是二价连接基团; 观察亚烷基; 维持氟化亚烷基; n是0-2的整数; 错配有机阳离子; m为1以上的整数。]

4. 发明专利

JP2011113034A Positive resist composition and resist pattern forming method 有权
标题翻译：积极抵抗组合和阻力图形成方法
公开(公告)号：JP2011113034A
公开(公告)日：2011-06-09
申请号：JP2009271779
申请日：2009-11-30
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： SUZUKI YUICHI , KAIHO TAKAAKI
IPC分类号： G03F7/039 , C08F220/38 , G03F7/004 , H01L21/027
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a positive resist composition excellent in lithography characteristics and pattern profile, and also to provide a resist pattern forming method. SOLUTION: The positive resist composition contains: a base component (A) which exhibits increased solubility in an alkali developer under the action of an acid; and an acid generator component (B) which generates an acid upon exposure, wherein the base component (A) contains a resin component (A1) having a structural unit (a0) represented by general formula (a0-1) and a structural unit (a1) derived from an acrylic ester containing an acid dissociable, dissolution inhibiting group, and wherein the acid generator component (B) contains a compound (B1) represented by a general formula (b0). COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供光刻特性和图案轮廓优异的正性抗蚀剂组合物，并且还提供抗蚀剂图案形成方法。正性抗蚀剂组合物含有：在酸性作用下在碱性显影剂中表现出增加的溶解度的碱成分（A）和含有具有通式（a0-1）表示的结构单元（a0）和结构单元（a0-1））的树脂成分（A1）的酸成分组分（B），其中， a1）衍生自含有酸解离的溶解抑制基团的丙烯酸酯，并且其中所述酸产生剂组分（B）含有由通式（b0）表示的化合物（B1）。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

5. 发明专利

JP2014234348A スルホニウム塩および光酸発生剤有权
标题翻译：硫酸钠和光酸发生器
公开(公告)号：JP2014234348A
公开(公告)日：2014-12-15
申请号：JP2013114827
申请日：2013-05-31
申请人：サンアプロ株式会社 , San Apro Kk , 東京応化工業株式会社 , Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
发明人： SUZUKI KAZUO , IKEDA TAKUYA , TAKASHIMA YUSAKU , FURUTA TSUYOSHI , KOMURO YOSHITAKA , UTSUMI YOSHIYUKI , KAIHO TAKAAKI , NAMITO TOSHIAKI
IPC分类号： C07C381/12 , C07C309/06 , C07C309/19 , C07C309/29 , C07C309/30 , C07C311/48 , C07C317/04 , C07F5/00 , C07F5/02 , C07F9/52 , C09K3/00
CPC分类号： C07C309/06 , C07C309/19 , C07C311/48 , C07C317/04 , C07C381/12 , C07C2602/42
摘要：【課題】有機溶剤に対する溶解性が高く、特に、deep−UV(254nm)以下の波長の光に対して高い分解効率を有するスルホニウム塩及び該スルホニウム塩を含んでなる新たな光酸発生剤の提供。【解決手段】式(1)で示されるスルホニウム塩及び該スルホニウム塩を含有する光酸発生剤。〔式中、R1は電子吸引性基を表し;R2およびR3は炭素数1〜5のアルキル基などを表し;p、qはそれぞれ独立に0〜5の整数であり;X−は一価の対アニオンを表す。〕【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供与有机溶剂具有高溶解度的锍盐和相对于深UV（254nm）波长或更短的光以及具有锍盐的新型光酸产生剂的高分解效率。解决方案：所提供的锍盐由式（1）表示; 还提供了包含锍盐的光学酸发生剂[在该式中，吸引吸电子基团; 兰德反应具有1-5个碳原子的烷基; p和q独立地为0至5的整数; X表示一价抗衡阴离子]。

6. 发明专利

JP2014209167A レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物有权
标题翻译：耐蚀组合物，形成耐火图案的方法和化合物
公开(公告)号：JP2014209167A
公开(公告)日：2014-11-06
申请号：JP2013197580
申请日：2013-09-24
申请人：東京応化工業株式会社 , Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
发明人： KAWAKAMI AKINARI , KAIHO TAKAAKI , NAKAMURA TAKESHI
IPC分类号： G03F7/004 , C07C309/04 , C07C309/17 , C07C381/12 , C07D213/18 , C07D307/00 , C07D307/32 , C07D327/04 , C07D333/46 , C07D333/54 , C07D333/76 , C07D335/02 , C07D493/18 , C07D497/18 , G03F7/038 , G03F7/039
CPC分类号： G03F7/0045 , C07C309/00 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/30 , Y10S430/114 , Y10S430/115
摘要：【課題】リソグラフィー特性を改善することができるレジスト組成物、該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法、及びレジスト組成物として有用な化合物の提供。【解決手段】露光により酸を発生し、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)と、下記一般式(d0)で表される化合物からなる光崩壊性クエンチャー(D0)と、を含有することを特徴とするレジスト組成物。[式中、R1は、置換基を有していてもよい炭素数4〜20の炭化水素基であり、Y1は2価の連結基であり、R2及びR3は、独立して、フッ素原子ではない炭素数0〜20の置換基であり、R2又はR3のいずれか一方は、Y1と環を形成していてもよく、Mm+はm価の有機カチオンである。mは1以上の整数である。][化1]【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供能够提高平版印刷性能的抗蚀剂组合物，使用该抗蚀剂组合物形成抗蚀剂图案的方法和用作抗蚀剂组合物的化合物。溶液：曝光后产生酸并且变化的抗蚀剂组合物在酸的作用下在显影液中的溶解度包括在酸的作用下在显影液中溶解度变化的碱成分（A）和含有通式（d0）表示的化合物的光分解猝灭剂（D0）这个数字。在该式中，R表示可以具有取代基的碳原子数为4〜20的烃基; Y代表二价连接基团; Rand Reach独立地表示除氟原子以外具有0至20个碳原子的取代基，其中Rand Rmay中的一个与Y形成环; M表示m价有机阳离子; m表示1以上的整数。

7. 发明专利

JP2013101277A Resist composition, method for forming resist pattern, compound, and polymeric compound 有权
标题翻译：耐蚀组合物，形成耐蚀图案，化合物和聚合物的方法
公开(公告)号：JP2013101277A
公开(公告)日：2013-05-23
申请号：JP2011245904
申请日：2011-11-09
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： TAKAGI DAICHI , SHIONO HIROHISA , UTSUMI YOSHIYUKI , KAIHO TAKAAKI
IPC分类号： G03F7/039 , C08F20/58 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： C07C233/92 , C07C233/90 , C07C233/91 , C07C235/88 , C07D493/08 , C08F220/18 , C08F220/30 , C08F220/40 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/30
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polymeric compound, a resist composition and a method for forming a resist pattern, excellent in sensitivity, resolution, lithographic characteristics and etching durability.SOLUTION: A resist composition comprises: a base component (A) containing a polymeric compound which has a structural unit expressed by (a5-0) and the solubility of which in a developer is changed by an action of an acid; and an acid generator component (B) that generates an acid by exposure. In the formula (a5-0), R represents a hydrogen atom, an alkyl group or a halogenated alkyl group. Rrepresents a sulfur atom or an oxygen atom. Rrepresents a single bond or a divalent linking group. Y represents an aromatic hydrocarbon group or an aliphatic hydrocarbon group having a polycyclic group.
摘要翻译：要解决的问题：提供高灵敏度，分辨率，平版印刷特性和蚀刻耐久性的聚合物，抗蚀剂组合物和形成抗蚀剂图案的方法。抗蚀剂组合物包括：含有具有由（a5-0）表示的结构单元的聚合物的基础组分（A），其在显影剂中的溶解度由酸的作用而改变; 和通过曝光产生酸的酸发生剂组分（B）。在式（a5-0）中，R表示氢原子，烷基或卤代烷基。 R 1 表示硫原子或氧原子。 R 2 表示单键或二价连接基团。 Y表示芳族烃基或具有多环基团的脂肪族烃基。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2017081990A 化合物有权
公开(公告)号：JP2017081990A
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：JP2017004431
申请日：2017-01-13
申请人：東京応化工業株式会社 , Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
发明人： TAKAGI DAICHI , SHIONO HIROHISA , UTSUMI YOSHIYUKI , KAIHO TAKAAKI
IPC分类号： C07C233/92
摘要：【課題】感度、解像性、リソグラフィー特性及びエッチング耐性に優れるレジスト組成物、該レジスト組成物用として有用な化合物、該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】一般式(1)’で表される化合物。式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基、又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基である。R1は硫黄原子又は酸素原子である。R2は単結合、−Y21−O−Y22−で表される基、−[Y21−C(=O)−O]m’−Y21−で表される基、−C(=O)−O−Y22−で表される基、又は−Y21−O−C(=O)−Y22−で表される基である。Y21及びY21は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基である。m’は0〜3の整数である。Yはパーフルオロ芳香族炭化水素基である。[化1]【選択図】なし

9. 发明专利

JP2014235248A レジスト組成物、化合物、高分子化合物及びレジストパターン形成方法有权
标题翻译：耐蚀组合物，化合物，聚合物复合材料和电阻图案形成方法
公开(公告)号：JP2014235248A
公开(公告)日：2014-12-15
申请号：JP2013115542
申请日：2013-05-31
申请人：東京応化工業株式会社 , Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
发明人： KOMURO YOSHITAKA , KAIHO TAKAAKI , NAMITO TOSHIAKI , KAWAKAMI AKINARI , TSUCHIYA JUNICHI , UTSUMI YOSHIYUKI
IPC分类号： G03F7/004 , C07C59/125 , C07C69/14 , C07C69/753 , C07C309/12 , C07C309/17 , C07C381/12 , C07D307/00 , C07D307/93 , C07D327/04 , C07D493/18 , C08F20/38 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/027 , C07C309/65 , C07C381/12 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/038 , G03F7/0397 , G03F7/20 , G03F7/2041
摘要：【課題】レジスト組成物、化合物、高分子化合物及びレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】下記化合物(m0)を含むレジスト組成物。[式(m0)中、Rb1は電子吸引性基であり、Rb2、Rb3はそれぞれ独立に置換基を有していてもよいアリール基、アルキル基またはアルケニル基を表し、Rb2とRb3は、相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。X0−は1価の対アニオンである。][化1]【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供抗蚀剂组合物，化合物，高分子化合物和抗蚀剂图案形成方法。解决方案：抗蚀剂组合物含有化合物（m0）。 [式（m0）中，Rb是吸电子基团; Rband Rbeach独立地表示可以具有取代基的芳基，烷基或烯基; R带Rb可以相互结合形成式中具有硫原子的环; X0为一价抗衡阴离子。]

10. 发明专利

JP2014153686A Resist composition, method for forming resist pattern, compound, radical polymerization initiator, production method of compound, and polymer 有权
标题翻译：耐蚀组合物，形成耐蚀图案的方法，化合物，自由基聚合引发剂，化合物的生产方法和聚合物
公开(公告)号：JP2014153686A
公开(公告)日：2014-08-25
申请号：JP2013026074
申请日：2013-02-13
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： DAZAI NAOHIRO , UTSUMI YOSHIYUKI , TAKAGI DAICHI , KAIHO TAKAAKI
IPC分类号： G03F7/039 , C07C253/30 , C07C255/65 , C08F220/26 , G03F7/038 , H01L21/027
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist composition excellent in lithography characteristics and a pattern profile, a polymer useful for the resist composition, and an easy production method for obtaining the polymer.SOLUTION: The resist composition comprises a base component (A) which shows changes in the solubility with a developer by an action of an acid; and the base component (A) comprises a polymer having a group expressed by general formula (I-1) in at least one terminal of the main chain. In formula (I-1), Rrepresents a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms; Z represents a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or a cyano group, and Rand Z may be bonded to each other to form a ring; X represents a single bond or a divalent connecting group which may include -O-C(=O)-, -NH-C(=O)- or -NH-C(=NH)-; and Rrepresents a tertiary ester type acid dissociable group having 4 to 20 carbon atoms (excluding a tert-butyl group).
摘要翻译：要解决的问题：提供光刻特性和图案轮廓优异的抗蚀剂组合物，可用于抗蚀剂组合物的聚合物和获得聚合物的容易制备方法。溶胶：抗蚀剂组合物包含基础组分（A）通过酸的作用显示与显影剂的溶解度的变化; 碱性成分（A）在主链的至少一个末端含有具有通式（I-1）表示的基团的聚合物。式（I-1）中，R表示碳原子数1〜10的烃基， Z表示碳原子数1〜10的烃基或氰基，兰可以相互结合形成环， X表示可以包括-O-C（= O） - ， - NH-C（= O） - 或-NH-C（= NH） - ）的单键或二价连接基团。 R表示具有4〜20个碳原子的叔酯型酸解离基（不包括叔丁基）。

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