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1. 发明专利

JP2014209203A レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物有权
标题翻译：耐蚀组合物，形成耐火图案的方法和化合物
公开(公告)号：JP2014209203A
公开(公告)日：2014-11-06
申请号：JP2014054189
申请日：2014-03-17
申请人：東京応化工業株式会社 , Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
发明人： KOMURO YOSHITAKA , MAEBASHI TAKAYA , NAGAMINE TAKASHI
IPC分类号： G03F7/004 , C07C309/12 , C07C381/12 , C07D307/00 , C09K3/00 , G03F7/039
CPC分类号： C09K3/00 , G03F7/00
摘要：【課題】レジスト組成物、レジストパターン形成方法及び化合物の提供。【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)及び露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物であって、前記酸発生剤成分(B)が、下記一般式(b1)で表される化合物を含むことを特徴とするレジスト組成物。[式中、R0はヒドロキシ基を有するラクトン含有環式基であり、Y1はフッ素原子を有していてもよいアルキレン基であり、mは1以上の整数であって、Mm+はm価の有機カチオンである。][化1]【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供抗蚀剂组合物，形成抗蚀剂图案的方法和化合物。溶胶：抗蚀剂组合物包括在酸的作用下在显影液中显示出改变的溶解度的碱成分（A），和酸发生剂组分（B），其在暴露时产生酸。酸发生剂组分（B）含有图中由通式（b1）表示的化合物。在该式中，R表示含有羟基的含内酯的环状基团， Y表示可以具有氟原子的亚烷基; m是等于或大于1的整数; 和一个m价有机阳离子。

2. 发明专利

JP2015031760A レジスト組成物、酸発生剤、高分子化合物及びレジストパターン形成方法有权
标题翻译：耐蚀组合物，酸发生剂，聚合物和形成耐火图案的方法
公开(公告)号：JP2015031760A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：JP2013159899
申请日：2013-07-31
申请人：東京応化工業株式会社 , Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
发明人： NAGAMINE TAKASHI , KOMURO YOSHITAKA , ARAI MASATOSHI , UTSUMI YOSHIYUKI
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/027 , C07C381/12 , C08F224/00 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/038 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/30
摘要：【課題】レジスト組成物における酸発生剤として有用な化合物、該化合物を含有するレジスト組成物、該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】一般式(m0)で表される化合物を含有することを特徴とするレジスト組成物。式(m0)中、R1及びR2は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルキル基、又は置換基を有していてもよいアルケニル基を表し、相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。R3は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよいアルケニル基、又は置換基を有していてもよいアルキニル基を表す。V1は、単結合又はアルキレン基を表す(但し、R3が置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である場合、アルキレン基である)。X0−は、1価の有機アニオンを表す。[化1]【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供可用作抗蚀剂组合物中的酸产生剂的化合物，含有该化合物的抗蚀剂组合物和使用该抗蚀剂组合物形成抗蚀剂图案的方法。溶胶：抗蚀剂组合物含有由通式公式（m0）。在式（m0）中，Rand Reach独立地表示任选具有取代基的芳基，任选具有取代基的烷基或任选具有取代基的烯基，并且可以彼此键合形成环，并与硫原子在配方中; R表示任选具有取代基的芳族烃基，任选具有取代基的烯基或任选具有取代基的炔基; V表示单键或亚烷基（但是，当R 1为任选具有取代基的芳族烃基时，Vis为亚烷基）。 XO表示一价有机阴离子。

3. 发明专利

JP2017116677A レジスト組成物、レジストパターン形成方法、酸発生剤成分及び化合物审中-公开
公开(公告)号：JP2017116677A
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：JP2015250578
申请日：2015-12-22
申请人：東京応化工業株式会社 , Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
发明人： NAGAMINE TAKASHI , ENDO KOTARO , IKUKAWA TOMOHIRO
IPC分类号： G03F7/004 , C07D493/08 , C08F220/28 , C09K3/00 , G03F7/038 , G03F7/039
CPC分类号： G03F7/0045 , C07C211/63 , C07C321/28 , C07C323/20 , C07C2103/74 , C07D493/08 , G03F7/0046 , G03F7/038 , G03F7/0397 , G03F7/091 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2041 , G03F7/325 , G03F7/38
摘要：【課題】リソグラフィー特性がより優れたレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)と、を含有し、酸発生剤成分(B)は、一般式(b1)で表される化合物(B1)を含むことを特徴とする。一般式(b1)中、Rb1は、極性基を含む炭素数7〜30の有橋脂環式基を表す。Yb1は、置換基(但し、芳香族炭化水素基及びビニル基からなる群より選択される置換基を除く)を有していてもよい、炭素数9以上の直鎖状炭化水素基を表す。Vb1は、フッ素化アルキレン基を表す。mは1以上の整数であって、Mm+はm価の有機カチオンを表す。[化1]【選択図】なし

4. 发明专利

JP2014224993A レジスト組成物、レジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：电阻组合和电阻形成方法
公开(公告)号：JP2014224993A
公开(公告)日：2014-12-04
申请号：JP2014067153
申请日：2014-03-27
申请人：東京応化工業株式会社 , Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
发明人： KOMURO YOSHITAKA , MAEBASHI TAKAYA , NAGAMINE TAKASHI
IPC分类号： G03F7/004 , C08F20/34 , C08F20/38 , C08F20/54 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/325
摘要：【課題】レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分及び露光により酸を発生する酸発生剤成分を含有するレジスト組成物。基材成分が、(a0−1)で表される構成単位を有する高分子化合物を含み、酸発生剤成分は、(b1)で表される化合物を含むレジスト組成物。[化1]【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供抗蚀剂组合物和抗蚀剂图案形成方法。解决方案：抗蚀剂组合物包含：其在显影剂中的溶解度由酸的作用而变化的基础组分; 以及在暴露时产生酸的酸发生剂组分。碱成分含有具有由式（a0-1）表示的结构单元的高分子化合物，该酸产生剂成分含有式（b1）表示的化合物。

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