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1. 发明专利

JP2014240336A 炭化珪素単結晶の製造方法有权
标题翻译：生产碳化硅单晶的方法
公开(公告)号：JP2014240336A
公开(公告)日：2014-12-25
申请号：JP2013123800
申请日：2013-06-12
申请人：株式会社デンソー , Denso Corp , 一般財団法人電力中央研究所 , Central Research Institute Of Electric Power Industry
发明人： MAKINO HIDEMI , KOJIMA ATSUSHI , TOKUDA YUICHIRO , TSUCHIDA SHUICHI , KAMATA ISAO , HOSHINO NORIHIRO
IPC分类号： C30B29/36 , C30B25/16
CPC分类号： C30B25/12 , C30B25/16 , C30B29/36
摘要：【課題】高品質なSiC単結晶をさらに高速成長させられるSiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】所定の回転速度でSiC単結晶20の成長表面を高速回転させつつ、SiC単結晶20の成長速度が増加するか低下するか、凸面成長しているか凹面成長しているかに基づいて、回転速度を制御する。例えば、SiC単結晶20の結晶中心での成長速度が狙い値を中心とした閾範囲の上限値よりも大きければ回転速度を維持もしくは低下させ、閾範囲の下限値よりも小さければ回転速度を上昇させる。このように、SiC単結晶20の成長表面を高速回転させることによって高速成長を可能としつつ、成長速度に応じて回転速度を制御することでSiC単結晶20を凸面成長もしくはフラット成長となるように制御できる。これにより、高品質なSiC単結晶20をさらに高速成長させることが可能となる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种生产能够以更高生长速度生长高质量SiC单晶的SiC单晶的方法。解决方案：制造SiC单晶的方法包括根据是否控制转速同时以特定的高转速旋转SiC单晶20的生长表面，SiC单晶20的生长速率增加或减少，以及SiC单晶是否经历凸表面生长或凹面生长。更具体地说，当晶体中心处的SiC单晶20的生长速度高于在目标值附近的阈值范围内的上限值时，转速保持或降低。当生长速度低于阈值范围的下限值时，转速增加。 SiC单晶的生长面的高速旋转能够高速生长，根据生长速度的转速的控制能够控制SiC单晶20的凸面生长或平面生长。因此能够以更高的生长速度生长高质量的SiC单晶20。

2. 发明专利

JP2013145873A Deposition apparatus and deposition method 有权
标题翻译：沉积装置和沉积方法
公开(公告)号：JP2013145873A
公开(公告)日：2013-07-25
申请号：JP2012265217
申请日：2012-12-04
申请人： Nuflare Technology Inc , 株式会社ニューフレアテクノロジー , Central Research Institute Of Electric Power Industry , 一般財団法人電力中央研究所 , Denso Corp , 株式会社デンソー , Toyota Motor Corp , トヨタ自動車株式会社 , Toyota Central R&D Labs Inc , 株式会社豊田中央研究所
发明人： ITO HIDEKI , SUZUKI KUNIHIKO , SATO HIROSUKE , TSUCHIDA SHUICHI , KAMATA ISAO , ITO MASAHIKO , NAITO MASAMI , FUJIBAYASHI HIROAKI , ADACHI AYUMI , NISHIKAWA KOICHI
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455
CPC分类号： C30B25/165 , C30B25/14
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a deposition apparatus and a deposition method, which inhibit reaction of a source gas on a shower plate.SOLUTION: A deposition apparatus 100 supplies a plurality of kinds of gases toward a substrate 101 in a chamber 103 by using a shower plate 124. The shower plate 124 includes: a plurality of gas passages 121 which extend in the shower plate along a first surface on the substrate 101 side and which are connected to gas tubes 131 for supplying the plurality of kinds of gases, respectively; and a plurality of gas jetting ports 129 which are pierced so as to communicate the plurality of gas passages 121 and the inside of the chamber 103 on the first surface side. In the deposition apparatus 100, the plurality of kinds of gases which are respectively supplied from the gas tubes 131 to the gas passages 121 of the shower plate 124, and which are supplied from the gas jetting ports 129 to the substrate 101, respectively, without being mixed near and inside the shower plate 124.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种抑制源气体在喷淋板上的反应的沉积设备和沉积方法。解决方案：沉积设备100通过使用多个气体朝向室103中的基板101提供多种气体淋浴板124.淋浴板124包括：多个气体通道121，其沿着基板101侧的第一表面在淋浴板中延伸并分别连接到用于供应多种气体的气体管131 ; 以及多个气体喷射口129，其被刺穿以便在第一表面侧上连通多个气体通道121和室103的内部。在沉积装置100中，分别从气体管131向喷淋板124的气体通道121供给并从气体喷射口129分别供给到基板101的多种气体，没有在淋浴板124附近和内部混合。

3. 发明专利

JP2014187282A Film deposition apparatus and a film forming method 有权
标题翻译：薄膜成型装置和薄膜成型方法
公开(公告)号：JP2014187282A
公开(公告)日：2014-10-02
申请号：JP2013062150
申请日：2013-03-25
申请人： Nuflare Technology Inc , 株式会社ニューフレアテクノロジー , Central Research Institute Of Electric Power Industry , 一般財団法人電力中央研究所 , Denso Corp , 株式会社デンソー , Toyota Motor Corp , トヨタ自動車株式会社 , Toyota Central R&D Labs Inc , 株式会社豊田中央研究所
发明人： ITO HIDEKI , TSUCHIDA SHUICHI , KAMATA ISAO , ITO MASAHIKO , NAITO MASAMI , FUJIBAYASHI HIROAKI , ADACHI AYUMI , NISHIKAWA KOICHI
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/42 , C23C16/44 , C23C16/46
CPC分类号： H01L21/68785 , C23C16/4408 , C30B25/10 , C30B25/14 , C30B25/16 , H01L21/67109
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film forming apparatus and a film forming method, capable of preventing a corrosive gas from contaminating a space including a lower heater and preventing the lower heater from being corroded by the corrosive gas when a substrate is carried in or carried out, and increasing productivity by making it possible to carry in or carry out the substrate at a high temperature.SOLUTION: When a substrate is carried in or carried out, a space in which film forming process is performed, a space including a lower heater 16, and a space including an upper heater 19 are made to be an atmosphere of an inert gas.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种成膜设备和成膜方法，其能够防止腐蚀性气体污染包括下加热器的空间，并且当衬底被携带时防止下加热器被腐蚀性气体腐蚀，或实现并且通过使得可以在高温下携带或执行基板来提高生产率。解决方案：当衬底被携带或执行时，进行成膜处理的空间包括较低的加热器16和包括上加热器19的空间被制成惰性气体的气氛。

4. 发明专利

JP2013216514A Method of manufacturing silicon carbide single crystal 有权
标题翻译：制造单晶碳化硅的方法
公开(公告)号：JP2013216514A
公开(公告)日：2013-10-24
申请号：JP2012086568
申请日：2012-04-05
申请人： Denso Corp , 株式会社デンソー , Central Research Institute Of Electric Power Industry , 一般財団法人電力中央研究所
发明人： MAKINO HIDEMI , HOSHINO NORIHIRO , KAMATA ISAO , TSUCHIDA SHUICHI
IPC分类号： C30B29/36 , C30B25/08
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To control a growth surface of an SiC single crystal becoming a concave shape, to reduce a curvature of the recessed shape at least, and to make the growth surface become a projecting shape desirably.SOLUTION: A third heat insulating material 16 is provided to protrude from an inner periphery wall surface of a heating vessel 8 enclosing a pedestal 9. As a result, a temperature of an outer edge of an SiC single crystal 20 can be pulled to a temperature of the third heat insulating material 16, and that a growth surface of the SiC single crystal 20 becomes a recessed shape can be controlled. Therefore, generation of stress in an intracrystalline part of the SiC single crystal 20 can be controlled, and quality can be prevented from being deteriorated by generation of crystal defect (dislocation) or the like.
摘要翻译：要解决的问题：为了控制成为凹形的SiC单晶的生长表面，至少减小凹陷形状的曲率，并使生长表面理想地成为突出形状。解决方案：第三绝热材料 16被设置为从包围基座9的加热容器8的内周壁面突出。结果，可以将SiC单晶20的外缘的温度拉至第三隔热材料16的温度并且可以控制SiC单晶20的生长表面变成凹陷形状。因此，可以控制SiC单晶20的晶体内部的应力的产生，并且通过产生晶体缺陷（位错）等可以防止质量劣化。

5. 发明专利

JP2015005658A 炭化珪素半導体成膜装置およびそれを用いた成膜方法有权
标题翻译：硅碳化硅半导体膜沉积装置和使用其的膜沉积方法
公开(公告)号：JP2015005658A
公开(公告)日：2015-01-08
申请号：JP2013130836
申请日：2013-06-21
申请人：株式会社デンソー , Denso Corp , 一般財団法人電力中央研究所 , Central Research Institute Of Electric Power Industry , 株式会社ニューフレアテクノロジー , Nuflare Technology Inc , トヨタ自動車株式会社 , Toyota Motor Corp , 株式会社豊田中央研究所 , Toyota Central R&D Labs Inc
发明人： FUJIBAYASHI HIROAKI , NAITO MASAMI , ITO MASAHIKO , KAMATA ISAO , TSUCHIDA SHUICHI , ITO HIDEKI , ADACHI AYUMI , NISHIKAWA KOICHI
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455
CPC分类号： C30B25/14 , C23C16/325 , C23C16/45519 , C23C16/45548 , C23C16/45553 , C23C16/45574 , C23C16/45587 , C23C16/4584 , C23C16/4586 , C30B25/165 , C30B29/36 , H01L21/02529 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02598 , H01L21/0262
摘要：【課題】SiC半導体におけるパーティクル発生の抑制と、膜厚および濃度の面内均一性の両立を図る。【解決手段】各分離部屋41〜43に各種ガスが別々に導入されるようにし、Si原料含有ガスとC原料含有ガスが第1、第2分離部屋41、42から延びる供給路41b、42を通じて独立して成長空間に供給されるようにする。また、第3分離部屋43から、供給路43bを通じて、Si原料含有ガスとC原料含有ガスの間に原料ガス以外のガスとなる第3ガスが導入されるようにする。これにより、供給路41b、42bの出口を出たのち、成長空間において初めて各種ガスが混じるようにできる。また、第3ガスが第1、第2ガスの間に流されることから、第1、第2ガスの拡散が低減される。このため、原料ガスが供給路41b、42b外側に拡散することを抑制でき、不要なSiC生成物が形成されることを抑制できる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了实现对SiC半导体中的颗粒产生的抑制和膜厚度和浓度的面内均匀性的解决方案。解决方案：各种气体被独立地引入各个分离的室41-43中，并且含有Si材料的气体含有C材料的气体通过从第一和第二分离室41,42延伸的供给路径41b，42而独立地供给到生长空间。作为除了材料g以外的气体的第三气体被引入含有Si材料的气体和含有C材料的气体。因此，在从供给路径41b，42b的出口排出后，在生长空间中首先将各种气体混合。由于允许第三气体在第一气体和第二气体之间流动，所以第一气体和第二气体的扩散减少。由此，可以抑制原料气体向供给通路41b，42b的外部扩散，能够抑制不必要的SiC制品的形成。

6. 发明专利

JP2013030758A Film formation device and film formation method 有权
标题翻译：胶片形成装置和胶片形成方法
公开(公告)号：JP2013030758A
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：JP2012135435
申请日：2012-06-15
申请人： Nuflare Technology Inc , 株式会社ニューフレアテクノロジー , Central Research Institute Of Electric Power Industry , 一般財団法人電力中央研究所 , Denso Corp , 株式会社デンソー , Toyota Motor Corp , トヨタ自動車株式会社 , Toyota Central R&D Labs Inc , 株式会社豊田中央研究所
发明人： SUZUKI KUNIHIKO , ITO HIDEKI , IKETANI NAOHISA , TSUCHIDA SHUICHI , KAMATA ISAO , ITO MASAHIKO , NAITO MASAMI , FUJIBAYASHI HIROAKI , ADACHI AYUMI , NISHIKAWA KOICHI
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/46
CPC分类号： C30B25/10
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film formation device and a film formation method which efficiently heat a substrate with fine temperature control while suppressing cracks of a liner.SOLUTION: A film formation device 100 comprises: a chamber 1; a liner 2 dividing an inner wall 1a of the chamber 1 from a space A; a main heater 9 heating a substrate 7 from below; and auxiliary heaters 18 disposed between the liner 2 and the inner wall 1a and heating the substrate 7 from above. Both of the main heater 9 and the auxiliary heaters 18 are resistor heating type heaters. The auxiliary heaters 18 includes a first auxiliary heater 18a, a second auxiliary heater 18b, and a third auxiliary heater 18c. The first auxiliary heater 18a heats the substrate 7 in cooperation with the main heater 9. The second auxiliary heater 18b and the third auxiliary heater 18c heat the liner 2 with output lower than that of the first auxiliary heater 18a.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在抑制衬垫的裂纹的同时，在精细的温度控制下有效地加热衬底的成膜装置和成膜方法。解决方案：成膜装置100包括：室1; 将空腔1的内壁1a与空间A分隔开的衬垫2; 从下方加热基板7的主加热器9。以及设置在衬套2和内壁1a之间的辅助加热器18，并从上方加热衬底7。主加热器9和辅助加热器18都是电阻加热型加热器。辅助加热器18包括第一辅助加热器18a，第二辅助加热器18b和第三辅助加热器18c。第一辅助加热器18a与主加热器9配合加热基板7.第二辅助加热器18b和第三辅助加热器18c以比第一辅助加热器18a低的输出加热衬套2。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP2013225665A Silicon carbide deposition apparatus and silicon carbide deposition method 有权
标题翻译：硅碳化硅沉积法和碳化硅沉积法
公开(公告)号：JP2013225665A
公开(公告)日：2013-10-31
申请号：JP2013042248
申请日：2013-03-04
申请人： Nuflare Technology Inc , 株式会社ニューフレアテクノロジー , Central Research Institute Of Electric Power Industry , 一般財団法人電力中央研究所 , Denso Corp , 株式会社デンソー , Toyota Motor Corp , トヨタ自動車株式会社
发明人： SUZUKI KUNIHIKO , ITO HIDEKI , SATO HIROSUKE , TSUCHIDA SHUICHI , KAMATA ISAO , ITO MASAHIKO , NAITO MASAMI
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/42 , C23C16/52 , C23C16/54
CPC分类号： H01L21/02529 , C23C16/325 , C23C16/46 , C23C16/52 , C30B25/10 , C30B25/16 , C30B29/36
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a silicon carbide deposition apparatus and deposition method in which throughput can be improved by minimizing the time from completion of a deposition process to start of the next deposition process.SOLUTION: A silicon carbide deposition apparatus comprises a deposition chamber in which a reaction gas is supplied and a deposition process is performed, a temperature measuring section which measures a temperature inside of the deposition chamber, a plurality of heaters disposed within the deposition chamber, an output control section which independently controls output from each of the heaters, and a substrate conveyance section which conveys a substrate into and out of the deposition chamber. When the deposition process to the substrate is completed, the output control section turns off or decreases output from at least one of the plurality of heaters and, when the temperature measured by the temperature measuring section becomes such a temperature that the substrate conveyance section is operable within the deposition chamber, turns off or increases output from the at least one heater the output of which has been turned off or decreased. The substrate on which the deposition process has been performed is conveyed out of the deposition chamber by the substrate conveyance section.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种碳化硅沉积设备和沉积方法，其中通过最小化从沉积工艺完成到开始下一沉积工艺的时间可以提高生产量。解决方案：碳化硅沉积设备包括沉积室其中提供反应气体并进行沉积处理，测量沉积室内部的温度的温度测量部分，设置在沉积室内的多个加热器，输出控制部分，其独立地控制从每个加热器和将基板输入和离开沉积室的基板输送部分。当完成对基板的沉积处理时，输出控制部分关闭或减少来自多个加热器中的至少一个的输出，并且当由温度测量部分测量的温度变为使得基板输送部分可操作的温度在沉积室内，关闭或增加其输出已经被关闭或减少的至少一个加热器的输出。已经进行了沉积处理的基板通过基板传送部分被输送出淀积室。

8. 发明专利

JP2014166937A Method for manufacturing hexagonal single crystal, method for manufacturing hexagonal single crystal wafer, hexagonal single crystal wafer and hexagonal single crystal element 有权
标题翻译：用于制造六角单晶的方法，用于制造六角形单晶的方法，六角形单晶和六角形单晶
公开(公告)号：JP2014166937A
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：JP2013102573
申请日：2013-05-14
申请人： Central Research Institute Of Electric Power Industry , 一般財団法人電力中央研究所
发明人： TSUCHIDA SHUICHI , KAMATA ISAO , HOSHINO NORIHIRO
IPC分类号： C30B29/36
CPC分类号： C30B19/12 , C30B19/04 , C30B23/00 , C30B23/025 , C30B25/20 , C30B29/36
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a hexagonal single crystal, capable of bending a penetration dislocation included in a hexagonal single crystal on the side of a base plane from a c axial direction to exhaust the penetration dislocation outside the crystal when newly forming a hexagonal single crystal layer using the top of a hexagonal single crystal as a base.SOLUTION: The growth process of a hexagonal single crystal comprises: setting an off-angle in a first direction [11-20] to a base plane {0001} used as a principal surface of crystal growth in the hexagonal single crystal used as a base during crystal growth; converting a dislocation included in the hexagonal single crystal and penetrated in a c axial direction to a defect inclined by 40° or more on the side of the base plane from the c axial direction during crystal growth by forming a cross sectional shape step-wisely reducing crystal thickness toward second directions [-1100] and [1-100] on both side orthogonal to the first direction [11-20] from a reference line AA' parallel to the first direction [11-20]; and controlling a propagation direction of the defect in a direction between a direction [-1-120] opposite to the first direction [11-20] and the second directions [-1100] and [1-100] to exhaust the defect outside the crystal.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种六角形单晶的制造方法，其能够在从基准面侧向交叉轴向弯曲包含在六边形单晶中的贯通位错，以在新形成时排出晶体外部的贯通位错使用六方晶单晶的顶部作为基底的六边形单晶层。解决方案：六边形单晶的生长过程包括：将第一方向[11-20]的偏角设定为基面{0001} 用作在晶体生长期间用作基底的六方晶单晶中的晶体生长的主要表面; 在晶体生长期间，将包含在六边形单晶中的位错转换成在轴向方向上从基准面侧向倾斜40°以上的缺陷，通过形成横截面形状来逐步降低晶体从与第一方向[11-20]平行的基准线AA'向与第一方向[11-20]正交的两侧的第二方向[-1100]和[1-100]的厚度。并且在与第一方向[11-20]相反的方向[-1-120]与第二方向[-1100]和[1-100]之间的方向上控制缺陷的传播方向，以将缺陷排出到水晶。

9. 发明专利

JP2012248764A Cvd apparatus 有权
标题翻译： CVD装置
公开(公告)号：JP2012248764A
公开(公告)日：2012-12-13
申请号：JP2011120964
申请日：2011-05-30
申请人： Showa Denko Kk , 昭和電工株式会社 , National Institute Of Advanced Industrial & Technology , 独立行政法人産業技術総合研究所 , Central Research Institute Of Electric Power Industry , 一般財団法人電力中央研究所
发明人： MOMOSE KENJI , ODAWARA MICHIYA , MATSUZAWA KEIICHI , OKUMURA HAJIME , KOJIMA KAZUSATO , ISHIDA YUKI , TSUCHIDA SHUICHI , KAMATA ISAO
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/44
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a CVD apparatus which produces an SiC epitaxial film where SiC particles and the like, adhered on the film or buried in the film, are reduced.SOLUTION: A CVD apparatus according to this invention includes: a wafer placement member on which a wafer is horizontally placed; a heating member disposed above the wafer placement member and facing the wafer placement member; and a blocking member which is made of a material having higher adhesiveness to a film material than a material of the heating member, is disposed between the heating member and the wafer placement member so as to be located close to the heating member, and blocks gas accumulation from a gaseous phase to the heating member.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种生成SiC外延膜的CVD装置，其中附着在膜上或埋在膜中的SiC颗粒等被还原。解决方案：根据本发明的CVD装置包括：晶片放置构件，其上水平放置晶片; 设置在所述晶片放置构件上方并面向所述晶片放置构件的加热构件; 在加热部件和晶片放置部件之间设置由与加热部件的材料相比具有较高的粘合性的材料构成的阻挡部件，位于靠近加热部件的位置，并阻塞气体从气相到加热构件的积聚。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JP2014169944A Method for inspecting silicon carbide substrate or silicon carbide semiconductor element, and method for manufacturing silicon carbide substrate or silicon carbide semiconductor element 有权
标题翻译：用于检查碳化硅衬底或碳化硅半导体元件的方法，以及用于制造碳化硅衬底或碳化硅半导体元件的方法
公开(公告)号：JP2014169944A
公开(公告)日：2014-09-18
申请号：JP2013042354
申请日：2013-03-04
申请人： Central Research Institute Of Electric Power Industry , 一般財団法人電力中央研究所
发明人： NAGANO MASAHIRO , TSUCHIDA SHUICHI , KAMATA ISAO
IPC分类号： G01N21/64 , C30B29/36 , H01L21/66
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for inspecting a silicon carbide substrate or a silicon carbide semiconductor element capable of identifying defects in an easy and non-destructive manner, and to provide a method for manufacturing a silicon carbide substrate or a silicon carbide semiconductor element with improved performances.SOLUTION: The inspection method includes: irradiating an object 1 to be inspected, which is a silicon carbide substrate or a silicon carbide semiconductor element, with laser; receiving fluorescent light radiated from the object 1 to be inspected, by the laser; forming an image indicating a light emitting state of the object 1 to be inspected; and identifying a direction of Burgers vector of threading edge dislocations (TED) existing in the object 1 to be inspected on the basis of the image. In addition, by analyzing distortions and stresses generated by the Burgers vector, a manufacturing condition is identified so as to suppress the distortions and stresses. Thus, the silicon carbide substrate or the silicon carbide semiconductor element is manufactured under the manufacturing condition.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于检查能够以简单且无损的方式识别缺陷的碳化硅衬底或碳化硅半导体元件的方法，并且提供一种制造碳化硅衬底或碳化硅半导体的方法具有改进性能的元件。解决方案：检查方法包括：用激光照射作为碳化硅衬底或碳化硅半导体元件的待检查对象1; 通过激光接收从待检查物体1辐射的荧光; 形成表示待检查物体1的发光状态的图像; 并基于图像识别存在于待检查对象1中的穿线边缘位错（TED）的汉堡向量的方向。此外，通过分析由汉堡矢量产生的变形和应力，确定制造条件以抑制失真和应力。因此，在制造条件下制造碳化硅基板或碳化硅半导体元件。

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