会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 2. 发明专利
    • 駆動装置
    • 驱动装置
    • JP2015195699A
    • 2015-11-05
    • JP2014213590
    • 2014-10-20
    • 株式会社デンソー
    • 金森 淳赤間 貞洋山本 聖小林 敦
    • H03K17/08H03K17/56H02M1/08
    • H03K17/14H03K17/165H03K17/168
    • 【課題】パワースイッチング素子のオンオフ動作を行う駆動装置において、温度によるスイッチング損失の悪化を低減する。 【解決手段】この駆動装置は、パワースイッチング素子のオン動作を行うオン側回路と、パワースイッチング素子のオフ動作を行うオフ側回路と、パワースイッチング素子の温度を検出する温度検出部と、を備えている。オン側回路およびオフ側回路の少なくとも一方の回路は、ゲート電流を供給あるいは引く抜くための、少なくとも2つの電流経路と、電流経路を切り替えることによりゲート電流を切り替えるスイッチ回路と、を有し、該スイッチ回路は、ゲート電流の切り替え時において、温度検出部により検出されたパワースイッチング素子の温度に基づいて、ゲート電流を過渡的に変化させる。 【選択図】図4
    • 要解决的问题:为了减少由电力开关元件进行ON / OFF动作的驱动装置中的由温度引起的开关损耗的劣化。解决方案:驱动装置包括:ON侧电路,其进行ON操作 功率开关元件; OFF侧电路,其进行功率开关元件的OFF动作; 以及检测功率开关元件的温度的温度检测部。 ON侧电路和OFF侧电路中的至少一个电路包括:用于提供或取出栅极电流的至少两个电流路径; 以及用于通过切换电流路径来切换栅极电流的开关电路。 在栅极电流的变化中,开关电路基于由温度检测部检测出的功率开关元件的温度来传递地改变栅极电流。
    • 4. 发明专利
    • 駆動回路のタイミング調整方法及び駆動回路のタイミング調整回路
    • 驱动电路的时序调整方法和驱动电路的时序调整电路
    • JP2015204659A
    • 2015-11-16
    • JP2014081890
    • 2014-04-11
    • 株式会社デンソー
    • 小林 敦山本 聖金森 淳赤間 貞洋
    • H02M1/08
    • H03K17/162H03K17/168
    • 【課題】実際に使用する電圧駆動型半導体素子や駆動回路の特性に応じて、ターンオフ時にスイッチング速度を切換えるために駆動信号に付与する遅延時間の調整を適切に行う。 【解決手段】IGBT3がターンオフする際に、コレクタ−エミッタ間電圧VCEが、立上り開始から電源電圧VHに上昇するまでの時間を立上り完了時間tEとし、立上り完了時間tEが経過した時点におけるゲート電圧VGを推定したものを推定端子電圧VTとする。そして、駆動信号をIGBT3をターンオフさせるハイレベルに変化させた時点からローレベルにするまでに、ゲート電圧VGが推定端子電圧VT以下にならなければ、遅延回路6に設定する遅延時間を単位時間増加させてから駆動信号を再度上述のように変化させ、ゲート電圧VGが最初に推定端子電圧VT以下になった時点に設定していた遅延時間を遅延回路6に固定的に設定する値として決定する。 【選択図】図1
    • 要解决的问题:根据实际使用的电压驱动半导体器件或驱动电路的特性,适当地调整用于切换关断期间的切换速度的驱动信号的延迟时间。解决方案: 当关断IGBT3时,集电极 - 发射极间电压VCE从上升开始上升到电源电压VH的时间被定义为上升完成时间tE,并且在时间点之后的时间点估计栅极电压VG 上升完成时间tE的经过被定义为估计的终端电压VT。 如果栅极电压VG从驱动信号变为高电平时的估计端子电压VT变为等于或低于关断IGBT3以将驱动信号变更为低电平的延迟时间 被设置为延迟电路6的单位时间增加,然后如上所述再次改变驱动信号。 在栅极电压VG第一次变为等于或低于估计端子电压VT的时间点设置的延迟时间被确定为将被固定地设置到延迟电路6的值。
    • 8. 发明专利
    • 駆動装置
    • 驱动装置
    • JP2015195700A
    • 2015-11-05
    • JP2014219348
    • 2014-10-28
    • 株式会社デンソー
    • 赤間 貞洋山本 聖小林 敦金森 淳
    • H03K17/04H01L21/336H01L29/78H01L27/04H01L27/088H02M1/08
    • H03K17/0406G05F1/565H03K17/167H03K17/567H03K17/6871
    • 【課題】駆動装置において、ゲート電流を高精度で制御しつつ、ゲート電流の切り替え速度の高速化する。 【解決手段】駆動装置100は、パワースイッチング素子のオフ動作を行うオフ側回路120と、オン動作を行うオン側回路110とを備える。これらの少なくとも一方の回路は、複数のメインMOSトランジスタと、メインMOSトランジスタに対してカレントミラーを構成するセンスMOSトランジスタと、センスMOSトランジスタのドレイン電流を一定に制御するセンス電流制御回路とを有する。センス電流制御回路は、センスMOSトランジスタに、基準抵抗の抵抗値と参照電位とによって決まる一定のドレイン電流を流すように構成される。さらに、メインMOSトランジスタのゲートに接続され、メインMOSトランジスタのオンオフを制御することによりパワースイッチング素子のゲート電流を切り替えるスイッチ回路SWを有する。 【選択図】図1
    • 要解决的问题:在高精度地控制驱动装置中的栅极电流的同时加速栅极电流的切换速度。驱动装置100包括:用于执行功率开关元件的断开操作的侧面电路120;以及 用于执行操作的旁路电路110。 电路中的至少一个包括:多个主MOS晶体管; 配置对主MOS晶体管的电流镜的感测MOS晶体管; 以及用于恒定地控制读出MOS晶体管的漏极电流的感测电流控制电路。 感测电流控制电路被构造成使得由参考电阻器的电阻值和参考电位确定的固定漏极电流被允许流入到感测MOS晶体管中。 包括连接到主MOS晶体管的栅极的另外的开关电路SW,以通过控制主MOS晶体管的导通/截止来切换功率开关元件的栅极电流。