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1. 发明专利

JP6637146B2 イオンビーム装置および試料の3次元構造解析方法有权
公开(公告)号：JP6637146B2
公开(公告)日：2020-01-29
申请号：JP2018219623
申请日：2018-11-22
申请人：株式会社日立ハイテクサイエンス
发明人：杉山安彦 , 大庭弘
IPC分类号： H01J37/22 , H01J37/317

2. 发明专利

JP2019024026A イオンビーム装置および試料の3次元構造解析方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019024026A
公开(公告)日：2019-02-14
申请号：JP2018219623
申请日：2018-11-22
申请人：株式会社日立ハイテクサイエンス
发明人：杉山安彦 , 大庭弘
IPC分类号： H01J37/22 , H01J37/317
摘要：【課題】モノマーイオンおよびクラスターイオンを有効的に併用できるイオンビーム装置を提供する。【解決手段】集束イオンビーム装置1は、アルゴンガスを導入する原料ガス導入部60と、原料ガス導入部60が接続され、アルゴンガスからクラスターを生成するクラスター生成機構(ノズル31および原料ガス導入部60)を備えるクラスター生成室30と、原料ガス導入部60およびクラスター生成室30が接続され、プラズマを生成するプラズマ生成機構(RFコイル43およびRF電源71)を備えるプラズマ生成室40と、を有するイオン源20と、プラズマ生成室40から引き出されたイオンビームが照射される試料が配置される試料室10と、イオンビームを試料に照射した際に試料から生じる二次電子を検出する二次電子検出器と、を有する。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2021150236A 集束イオンビーム加工装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021150236A
公开(公告)日：2021-09-27
申请号：JP2020050997
申请日：2020-03-23
申请人：株式会社日立ハイテクサイエンス
发明人：大庭弘 , 杉山安彦 , 中川良知 , 永原幸児
IPC分类号： H01J37/317
摘要：【課題】集束イオンビームによる断面加工を行う際、断面形状を改善させるとともに、作業効率を向上させた集束イオンビーム加工装置を提供する。【解決手段】イオン源21と、試料200を保持する試料ステージ50と、集束レンズ22と、一辺24tが直線状のスリット24sを有するアパーチャ24と、アパーチャと試料台との間のビーム経路に配置される投射レンズ28と、を有し、試料に断面を加工する集束イオンビーム加工装置100であって、ケーラー照明法により、投射レンズの主面に集束イオンビーム20Aが合焦するときの集束レンズの印加電圧を100としたとき、該印加電圧が100未満、80以上に設定され、アパーチャの一辺を、集束イオンビームの中心より一辺が0μmより大きく、500μm以下の距離Sで集束イオンビームがアパーチャにマスクされるよう、アパーチャの位置が設定され、スリットの形状が試料に転写される転写モードをなす。【選択図】図8

4. 发明专利

JP6441702B2 イオン源、イオンビーム装置および試料の加工方法有权
公开(公告)号：JP6441702B2
公开(公告)日：2018-12-19
申请号：JP2015019346
申请日：2015-02-03
申请人：株式会社日立ハイテクサイエンス
发明人：杉山安彦 , 大庭弘
IPC分类号： H01J27/16 , H01J37/08 , H01J37/317 , H01J37/30 , H01J27/02

6. 发明专利

JP2015064603A EUVマスク修正装置有权
标题翻译： EUV掩模校正装置
公开(公告)号：JP2015064603A
公开(公告)日：2015-04-09
申请号：JP2014246043
申请日：2014-12-04
申请人：株式会社日立ハイテクサイエンス
发明人：小川貴志 , 大庭弘 , 荒巻文朗 , 八坂行人
IPC分类号： G03F1/24 , H01L21/027 , G03F1/74
摘要：【課題】EUVマスクの反射層の反射率を大幅に低下させることなく欠陥修正を行うこと。【解決手段】水素イオンビームを発生する電界電離型イオン源と、水素イオンビームをEUVマスク上に集束させ、走査照射するイオン光学系と、EUVマスクを載置する試料台と、EUVマスクから発生する二次荷電粒子を検出する検出器と、検出器の出力信号に基づいてEUVマスクの観察像を形成する像形成部と、を有する装置を提供する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：执行缺陷校正，而不会使EUV掩模中的反射层的反射率明显恶化。解决方案：提供一种EUV掩模校正装置，包括：产生氢离子束的电场电离型离子源; 将氢离子束聚焦在EUV掩模上并执行扫描和照射的离子光学系统; 样品台用EUV面罩安装; 检测从EUV掩模产生的二次带电粒子的检测器; 以及基于检测器的输出信号形成EUV掩模的观察图像的图像形成部分。

7. 发明专利

JP2015062170A 修正装置有权
标题翻译：校正装置
公开(公告)号：JP2015062170A
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：JP2014146187
申请日：2014-07-16
申请人：株式会社日立ハイテクサイエンス
发明人：荒巻文朗 , 八坂行人 , 松田修 , 杉山安彦 , 大庭弘 , 小堺智一 , 相田和男
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/248 , H01J37/317 , G03F1/74 , H01L21/027 , H01J27/26
CPC分类号： G21K5/04 , G21K1/14 , H01J37/08 , H01J37/3053 , H01J2237/0807 , H01J2237/202 , H01J2237/31744
摘要：【課題】試料へのダメージが小さく、長期間に亘って安定かつ効率良くマスクなどの微細箇所の修正を行なう。【解決手段】修正装置10は、先鋭化されたティップを有するガス電界電離イオン源と、ティップを冷却する冷却手段と、ガス電界電離イオン源において発生したガスのイオンを集束させて集束イオンビームを形成するイオンビーム鏡筒11と、イオンビーム鏡筒11により形成された集束イオンビームが照射される試料を設置して移動可能な試料ステージ15と、試料ステージ15を内蔵する試料室13と、集束イオンビームによって試料としてのマスク14またはナノインプリントリソグラフィのモールドを修正する制御部20と、を少なくとも備える。ガス電界電離イオン源は、イオンを窒素とし、イオンを発生可能な単一の頂点を有するイリジウム単結晶により構成されたティップを備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了有效地纠正掩模等的细微细节，对样品的损伤小并且长时间具有稳定的效果。解决方案：校正装置10至少包括具有尖锐尖端的气田电离离子源用于冷却末端的冷却装置，用于通过聚焦由气体电离离子源产生的气体离子形成聚焦离子束的离子束透镜镜筒11，可移动并装载被聚焦的样品的样品台15 由离子束透镜镜筒11形成的离子束，内置有样品台15的样品室13和校正掩模14作为样品的控制单元20，或者利用聚焦离子束进行纳米压印光刻的模具。气田电离离子源设置有由具有单顶点的铱单晶形成的尖端，以从离子产生氮并能产生离子。

8. 发明专利

JP6879663B2 荷電粒子ビーム装置有权
公开(公告)号：JP6879663B2
公开(公告)日：2021-06-02
申请号：JP2015253893
申请日：2015-12-25
申请人：株式会社日立ハイテクサイエンス
发明人：大庭弘 , 清原正寛 , 楊宗翰
IPC分类号： H01J37/317

9. 发明专利

JP2021051892A 荷電粒子ビーム装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021051892A
公开(公告)日：2021-04-01
申请号：JP2019173640
申请日：2019-09-25
申请人：株式会社日立ハイテクサイエンス
发明人：廣瀬菜緒子 , 大庭弘 , 杉山安彦
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/04 , H01J37/09
摘要：【課題】試料照射時間外にイオンビームによる損傷から絞りを保護することができる荷電粒子ビーム装置を提供する。【解決手段】荷電粒子ビーム装置10は、イオン源21と、イオン光学系22とを備える。イオン光学系22は、イオン源21から発生するイオンビームを集束させるコンデンサレンズ32と、イオンビームの電流値を規制する可動絞り35と、コンデンサレンズ32と可動絞り35との間でイオンビームの遮断と通過とを切り替える遮断装置33とを備える。遮断装置33は、イオンビームを遮断する遮断部材33aと、イオンビームの光軸に直交する方向に沿って挿入位置と退出位置との間で遮断部材33aを進退移動させる駆動機構33bとを備える。【選択図】図1

10. 发明专利

JP2021044268A 集束イオンビーム装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021044268A
公开(公告)日：2021-03-18
申请号：JP2020211645
申请日：2020-12-21
申请人：株式会社日立ハイテクサイエンス
发明人：川浪義実 , 大庭弘 , 松田修 , 小堺智一 , 椎名健介 , 永原幸児
IPC分类号： H01J27/26 , H01J37/317
摘要：【課題】エミッターの先端の鈍化を抑制することができる集束イオンビーム装置を提供すること。【解決手段】集束イオンビーム装置は、予め決められた第1期間が経過する毎に、エミッターの再成形が起こる温度よりも低い温度であって予め決められた温度まで第1加熱装置によってエミッター及びエミッターとともに冷却されるイオン発生室の内側の温度を上昇させる。【選択図】図4

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