专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2015166293A III族窒化物結晶の製造方法、III族窒化物結晶、半導体装置およびIII族窒化物結晶製造装置审中-公开
标题翻译：制造III类硝酸盐晶体的方法，III类氮化物晶体，半导体器件和制造III类氮化物晶体的装置
公开(公告)号：JP2015166293A
公开(公告)日：2015-09-24
申请号：JP2014041080
申请日：2014-03-03
申请人：国立大学法人大阪大学 , 伊藤忠プラスチックス株式会社 , 古河機械金属株式会社 , 株式会社サイオクス
发明人：森勇介 , 吉村政志 , 今出完 , 伊勢村雅士 , 碓井彰 , 柴田真佐知 , 吉田丈洋
IPC分类号： C30B25/20 , C30B19/02 , C23C16/08 , C23C16/34 , H01L21/208 , H01L21/205 , C30B29/38
CPC分类号： C30B29/38 , C30B19/02 , C30B25/20 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02625
摘要：【課題】気相成長法により大サイズで、かつ、歪み、転位、反り等の欠陥が少なく高品質なIII族窒化物結晶の製造方法の提供。【解決手段】液相成長法により第1のIII族窒化物結晶1003を製造する第1のIII族窒化物結晶製造工程と、第1の結晶1003上に、気相成長法により第2のIII族窒化物結晶1004を製造する第2のIII族窒化物結晶製造工程とを含む、III族窒化物結晶の製造方法であって、前記第1のIII族窒化物結晶製造工程は、予め準備されたIII族窒化物の複数の種結晶1003aの表面をアルカリ金属融液に接触させ、窒素を含む雰囲気下において、III族元素と前記窒素とを前記アルカリ金属融液中で反応させ、複数の種結晶1003aから成長した複数のIII族窒化物結晶の成長により、前記複数のIII族窒化物結晶を結合させて第1の結晶1003とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造具有大尺寸的III族氮化物晶体的方法，较少的应变，位错和翘曲的缺陷以及通过气相生长方法的高质量。方法：一种制造III族的方法氮化物晶体包括：通过液相生长法制造第一III族氮化物晶体1003的第一III族氮化物晶体制造步骤; 以及通过气相生长法在第一晶体1003上制造第二III族氮化物晶体1004的第二III族氮化物晶体制造步骤。第一III族氮化物晶体制造步骤包括：将预先制备的III族氮化物的多个晶种1003a的表面与碱金属熔体接触; 在包含氮气的气氛下，使碱金属熔体中的III族元素与氮反应; 以及通过从所述多个晶种1003a中生长所述多个III族氮化物晶体来接合多个III族氮化物晶体以形成所述第一晶体1003。

2. 发明专利

JP6621615B2 13族窒化物単結晶の製造方法、および13族窒化物単結晶の製造装置有权
公开(公告)号：JP6621615B2
公开(公告)日：2019-12-18
申请号：JP2015158489
申请日：2015-08-10
申请人：株式会社サイオクス , 古河機械金属株式会社
发明人：佐藤隆 , 三好直哉 , 和田純一 , 林昌弘 , 皿山正二 , 砂川晴夫 , 石原裕次郎 , 碓井彰
IPC分类号： C30B29/38

3. 发明专利

JP6548509B2 13族窒化物単結晶の製造方法、および13族窒化物単結晶の製造装置有权
公开(公告)号：JP6548509B2
公开(公告)日：2019-07-24
申请号：JP2015158488
申请日：2015-08-10
申请人：株式会社サイオクス , 古河機械金属株式会社
发明人：林昌弘 , 皿山正二 , 佐藤隆 , 和田純一 , 三好直哉 , 碓井彰 , 錦織豊
IPC分类号： C30B19/12 , H01L21/208 , C30B29/38

5. 发明专利

JP2017036174A III族窒化物半導体基板、及び、III族窒化物半導体基板の製造方法审中-公开
标题翻译： III族氮化物半导体衬底和III族氮化物半导体衬底的制造方法
公开(公告)号：JP2017036174A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：JP2015157967
申请日：2015-08-10
申请人：古河機械金属株式会社
发明人：碓井彰 , 錦織豊
IPC分类号： C23C16/34 , H01L21/205 , C30B29/38
摘要：【課題】転位密度の小さいIII族窒化物半導体層を実現することを課題とする。【解決手段】当該課題を解決するため、本発明によれば、+C面が露出した平坦面と、当該平坦面から傾いており、+C面と異なる面方位の非+C面が露出した傾斜面と、を含む成長面を有するIII族窒化物半導体基板が提供される。【選択図】図12
摘要翻译：本发明公开了实现小的III族氮化物半导体层的位错密度的对象。解决方案为了解决上述问题，根据本发明，暴露+ C面由平坦面倾斜的平面表面，所述平面取向从+ C面不同的非+ C面露出具有生长表面包括倾斜面III族氮化物半导体衬底，提供。 .The 12

6. 发明专利

JP2020079194A 基板の製造方法、III族窒化物半導体系素子の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020079194A
公开(公告)日：2020-05-28
申请号：JP2020009007
申请日：2020-01-23
申请人：古河機械金属株式会社
发明人：碓井彰 , 錦織豊
IPC分类号： C30B25/18 , C23C16/34 , H01L21/205 , C30B29/38
摘要：【課題】転位密度の小さいIII族窒化物半導体層を実現するための、III族窒化物半導体基板の提供。【解決手段】+C面が露出した平坦面と、当該平坦面から傾いており、+C面と異なる面方位の非+C面が露出した傾斜面と、を含む成長面を有するIII族窒化物半導体基板。【選択図】図12

7. 发明专利

JP6652347B2 III族窒化物半導体基板、及び、III族窒化物半導体基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6652347B2
公开(公告)日：2020-02-19
申请号：JP2015157967
申请日：2015-08-10
申请人：古河機械金属株式会社
发明人：碓井彰 , 錦織豊
IPC分类号： C23C16/34 , H01L21/205 , C30B29/38

8. 发明专利

JP2017038006A 窒化物半導体発光ダイオード及び窒化物半導体発光ダイオードの製造方法审中-公开
标题翻译：的氮化物半导体的发光二极管的制造方法及氮化物半导体发光二极管
公开(公告)号：JP2017038006A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：JP2015159393
申请日：2015-08-12
申请人：学校法人金沢工業大学 , 古河機械金属株式会社
发明人：山口敦史 , 碓井彰 , 後藤裕輝
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L33/32
摘要：【課題】高品質かつ低コストで、光取り出し効率が高い窒化物半導体発光ダイオードを提供する。【解決手段】異種基板1と、第1のIII族窒化物半導体層2と、酸化物又は窒化物で構成され、周期的なパターンを形成したマスク3と、マスク3越しに第1のIII族窒化物半導体層2の上にエピタキシャル成長した第2のIII族窒化物半導体層4と、第1の導電型窒化物半導体層11、第2の導電型窒化物半導体層13及び電極14、15を有する発光構造10と、を有し、発光構造10の発光波長をλとすると、マスク3のパターンの周期は0.85λ以上1.15λ以下であり、パターンが周期性を備える方向のマスク3の幅は0.25λ以上0.60λ以下であり、マスク3の厚さは0.15λ以上0.70λ以下、又は、1.25λ以上1.80λ以下である窒化物半導体発光ダイオード100。【選択図】図1
摘要翻译：高品质，低成本，光提取效率，以提供高度的氮化物半导体发光二极管。和A异质衬底1，III族氮化物半导体层2由氧化物或氮化物的第一组，和掩模3而形成的周期性图案，所述第一III族掩模3上具有氮化物半导体层2和4的外延生长所述第二III族氮化物半导体层，在第一导电型氮化物半导体层11，第二导电型氮化物半导体层13和电极14和15上它包括一个发光结构10，而当发光结构10和λ的发光波长，掩模3的图案的周期不超过1.15λ或更0.85Ramuda，掩模3的图案的包括周期性0.25宽度方向和在λ至少0.60λ或更小，掩模3的厚度为0.15λ或0.70λ或更小，或者，氮化物半导体发光二极管100是等于或大于1.25λ1.80λ或更小。点域1

9. 发明专利

JP6831486B2 基板の製造方法、III族窒化物半導体系素子の製造方法有权
公开(公告)号：JP6831486B2
公开(公告)日：2021-02-17
申请号：JP2020009007
申请日：2020-01-23
申请人：古河機械金属株式会社
发明人：碓井彰 , 錦織豊
IPC分类号： C30B25/18 , C23C16/34 , H01L21/205 , C30B29/38

10. 发明专利

JP2017036179A 13族窒化物単結晶の製造方法、および13族窒化物単結晶の製造装置审中-公开
标题翻译：过程用于制造第13族氮化物单晶，和13族氮化物单晶的制造装置
公开(公告)号：JP2017036179A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：JP2015158489
申请日：2015-08-10
申请人：株式会社リコー , 古河機械金属株式会社
发明人：佐藤隆 , 三好直哉 , 和田純一 , 林昌弘 , 皿山正二 , 砂川晴夫 , 石原裕次郎 , 碓井彰
IPC分类号： C30B29/38
CPC分类号： C30B29/38
摘要：【課題】クラックを低減する。【解決手段】13族窒化物単結晶40の製造方法は、溶解工程と、結晶成長工程と、を含む。溶解工程は、混合融液24と、種結晶30と、囲み部材90と、を内側に保持した反応容器52における混合融液24中に、窒素を溶解させる工程である。混合融液24は、アルカリ金属と13族金属を含む。種結晶30は、混合融液24中に設置され13族窒化物結晶からなり主面をc面とする種結晶である。囲み部材90は、種結晶30における側面の全領域を囲むように配置されている。結晶成長工程は、種結晶30に13族窒化物結晶32を結晶成長させる。【選択図】図2
摘要翻译：本发明的一个目的是减少裂纹。一种用于制造第13族氮化物单晶40工艺包括熔化步骤，晶体和生长步骤。溶解工序，混合熔体24，籽晶30时，包封部件90，在氮气中溶解的步骤内保持的反应容器52中的熔融混合物24。熔融混合物24包括碱金属和第13族金属。籽晶30，主表面由安装13族氮化物晶体到熔融混合物24是晶种的c面。包封件90设置，以便围绕晶种30的侧表面的整个区域。晶体生长过程中，籽晶30 13族氮化物晶体32生长。 .The

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式