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1. 发明专利

JP6826627B2 単結晶半導体層、自立基板、積層構造体及びこれらの製造方法有权
公开(公告)号：JP6826627B2
公开(公告)日：2021-02-03
申请号：JP2019071078
申请日：2019-04-03
申请人：古河機械金属株式会社
发明人：石原裕次郎 , 住田行常 , 錦織豊
IPC分类号： C30B25/16 , H01L21/205 , C30B29/38

2. 发明专利

JP2019112302A 単結晶半導体層、自立基板、積層構造体及びこれらの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019112302A
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：JP2019071078
申请日：2019-04-03
申请人：古河機械金属株式会社
发明人：石原裕次郎 , 住田行常 , 錦織豊
IPC分类号： C30B25/16 , H01L21/205 , C30B29/38
摘要：【課題】LEDやLD等のデバイスにおいて、内部量子効率を向上させることを課題とする。【解決手段】In x Ga 1−x N(0≦x≦1)で構成され、c軸方向の格子定数をL1とし、(0.575x+5.185)ÅをL2としたとき、L2を基準としたL1の変化率(L1−L2)/L2は、0.386×10 −4 以上4.243×10 −4 以下であり、a軸方向の格子定数をM1とし、(0.359x+3.189)ÅをM2としたとき、M2を基準としたM1の変化率(M1−M2)/M2は、0.314×10 −4 以上4.077×10 −4 以下である単結晶半導体層を提供する。【選択図】図5

3. 发明专利

JP6427330B2 自立基板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP6427330B2
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：JP2014077904
申请日：2014-04-04
申请人：古河機械金属株式会社
发明人：布田将一 , 鷲見紀彦 , 錦織豊
IPC分类号： C30B33/02 , H01L33/16 , C30B29/38

4. 发明专利

JP2016074549A 自立基板、及び、自立基板の製造方法有权
标题翻译：自由站立基板和制造自由基板的方法
公开(公告)号：JP2016074549A
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：JP2014204524
申请日：2014-10-03
申请人：古河機械金属株式会社
发明人：鷲見紀彦 , 錦織豊
IPC分类号： C30B29/38
摘要：【課題】自立基板の上に形成するデバイス(例:光デバイス、電子デバイス等)の特性への悪影響を軽減するための新たな技術を提供することを課題とする。【解決手段】III族窒化物半導体からなる層と、当該層の中に存在し、III族窒化物半導体の成長過程で成長面に形成されたピットの内部からIII族窒化物半導体がエピタキシャル成長することで形成され、当該層の厚さ方向に延伸し、他の領域よりも不純物濃度が高いピット埋込領域11と、を有し、当該層の露出面におけるピット埋込領域11の密度は、0.9個/cm 2 以下である自立基板10を提供する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种减少对在独立基板上形成的器件（例如，光学器件和电子器件等）的特性的不利影响的新技术。解决方案：独立式基板 10包括：由III族氮化物半导体构成的层; 凹坑嵌入区域11，其通过从存在于该层内的凹坑的内部外延生长III族氮化物半导体而形成，并且在III族氮化物半导体的生长过程中形成在生长表面上，该层在层的厚度方向上延伸，并具有杂质浓度高于其他区域。层的暴露表面上的凹坑嵌入区域11的密度为0.9 / cm以下。选择图：图1

5. 发明专利

JP2015151331A III族窒化物半導体基板の評価方法有权
标题翻译：第III组氮化物半导体衬底的评估方法
公开(公告)号：JP2015151331A
公开(公告)日：2015-08-24
申请号：JP2014029763
申请日：2014-02-19
申请人：古河機械金属株式会社
发明人：住田行常 , 錦織豊
IPC分类号： C30B29/38
摘要：【課題】複数の転位に対応するピットが形成される不都合を軽減し、転位解析の精度を向上させること。【解決手段】評価対象の基板に、基板の第1の面から基板の厚さ方向に伸び、基板に形成された転位と繋がり、かつ、第1の面における開口の直径Diが100nm≦Di≦500nmを満たす縦長ピットを含むピットを複数形成するピット形成工程S10と、ピット形成工程S10の後、縦長ピットの数をカウントすることで、第1の面に貫通する転位の数をカウントする解析工程S20と、を有するIII族窒化物半導体基板の評価方法を提供する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：通过减少形成与多个易位相对应的凹坑的缺点来提高易位分析的精度。解决方案：III族氮化物半导体衬底的评估方法包括：凹坑形成步骤S10，在评价对象的基板上，包括多个凹坑，其包括从基板的第一面在基板的厚度方向上延伸的纵向凹坑，所述纵向凹坑连接到形成在基板中的位错，并且其中直径Di 第一面的开口满足100nm≤Di≤500nm; 以及分析步骤S20，通过对凹坑形成步骤S10之后的纵向凹坑的数量进行计数来对通过第一面的位错数进行计数。

6. 发明专利

JP6334259B2 自立基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6334259B2
公开(公告)日：2018-05-30
申请号：JP2014106140
申请日：2014-05-22
申请人：古河機械金属株式会社
发明人：錦織豊 , 藤山泰治
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/306 , C23C14/06 , C23C16/34 , C30B29/38

7. 发明专利

JP6315665B2 III族窒化物半導体層およびIII族窒化物半導体基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6315665B2
公开(公告)日：2018-04-25
申请号：JP2014029758
申请日：2014-02-19
申请人：古河機械金属株式会社
发明人：住田行常 , 錦織豊
IPC分类号： C23C16/34 , H01L21/205 , C30B29/38

8. 发明专利

JP6250368B2 自立基板の製造方法および自立基板有权
公开(公告)号：JP6250368B2
公开(公告)日：2017-12-20
申请号：JP2013238738
申请日：2013-11-19
申请人：古河機械金属株式会社
发明人：住田行常 , 石原裕次郎 , 錦織豊
IPC分类号： C30B33/00 , C30B25/16 , H01L21/205 , C30B29/38

9. 发明专利

JP6224424B2 III族窒化物半導体自立基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6224424B2
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：JP2013236527
申请日：2013-11-15
申请人：古河機械金属株式会社
发明人：錦織豊 , 佐々木斉
IPC分类号： C30B29/40 , C30B29/38

10. 发明专利

JP2015098413A 自立基板の製造方法および自立基板有权
标题翻译：自支撑基板的生产方法和自支撑基板
公开(公告)号：JP2015098413A
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：JP2013238738
申请日：2013-11-19
申请人：古河機械金属株式会社
发明人：住田行常 , 石原裕次郎 , 錦織豊
IPC分类号： C30B33/00 , C30B25/16 , H01L21/205 , C30B29/38
摘要：【課題】本発明は、簡便な工程で、反りを低減した自立基板を提供するものである。【解決手段】自立基板の製造方法は、窒化物半導体からなる下地基板210を準備する工程、下地基板210上に炭素を不純物として導入しながら第1の窒化物半導体層220を形成する工程、および、第1の窒化物半導体層220の上に厚さが50μm以上である第2の窒化物半導体層230を形成する工程を含む。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种通过简单方法减少翘曲的自立式基板。解决方案：自立式基板的制造方法包括以下步骤：制备包括氮化物半导体的接地基板210; 形成第一氮化物半导体层220，同时将碳作为杂质引入到接地衬底210上; 以及在第一氮化物半导体层220上形成厚度为50μm或更厚的第二氮化物半导体层230。

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